公开(公告)号：WO2016054963A1

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：PCT/CN2015/089844

申请日：2015-09-17

Applicant: 江南大学 ,  中国科学院微电子研究所

Inventor： 丁玉强 ,  赵超 ,  许从应 ,  杨淑艳 ,  项金娟 ,  苗红艳 ,  王大伟

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/20

CPC classification number: C23C16/20 ,  C07F5/066 ,  C07F5/069 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/403 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45553

Abstract: 提供具有如下的结构式（I）或（II）的薄膜沉积铝前驱体，其中各取代基定义如说明书所述。该薄膜沉积前驱体热稳定性好，不易分解，便于储存和运输，高温挥发性好，成膜性能优良。

公开(公告)号：WO2014087592A1

公开(公告)日：2014-06-12

申请号：PCT/JP2013/006812

申请日：2013-11-20

Applicant: 株式会社フジキン

Inventor： 日高　敦志 ,  永瀬　正明 ,  山下　哲 ,  西野　功二 ,  池田　信一

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4485 ,  C23C16/4481 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/52 ,  F17C9/02 ,  F22B1/284 ,  F22B1/285

Abstract: 　本発明は、固体原料であっても、或いは液体原料であっても、殆どの原料ガスを、熱分解を起こすこと無しに所望の高温、高蒸気圧の原料ガスとすることにより、高純度で且つ所望の濃度の原料ガスを高精度で流量制御しつつ、プロセスチャンバへ安定して供給できるようにする。　本発明は、原料受入タンクと、液体受入タンクから圧送されてきた液体を気化する気化器と、気化器からの原料ガスの流量を調整する流量制御装置と、気化器と高温型圧力式流量制御装置とこれ等に接続された流路の所望部分を加熱する加熱装置とから構成した原料ガス供給装置において、少なくとも前記原料受入タンクと気化器と流量制御装置と前記各機器装置間を連結する流路と流路に介設した開閉弁バルブのいずれかの金属表面の各接液部又は接ガス部を、Al 2 O 3 不働態処理又はCr 2 O 3 不働態処理又はFeF 2 不働態処理をしたものにする。

Abstract translation: 本发明允许几乎所有原料气体，无论是从固体原料还是液体原料，均以高精度稳定地供应到处理室，同时以高精度控制流速，并且通过使气体 进入具有期望的高温和高蒸气压的原料气体，而不引起热击穿。 提供了一种原料气化和供料装置，包括原料接收罐，用于气化从液体接收罐供给的液体压力的气化器，用于调节来自气化器的原料气体的流量的流量控制装置，以及加热 用于加热气化器的装置，高温压力型流量控制装置和连接到气化器和流量控制装置的流路的期望部分，其中与液体接触部分或金属表面的气体接触部分 至少原料接收罐，气化器，流量控制装置，连接这些仪器和装置的流动路径或设置在流路中的开关阀进行Al 2 O 3钝化处理，Cr 2 O 3钝化 处理或FeF2钝化处理。

公开(公告)号：WO2009113400A1

公开(公告)日：2009-09-17

申请号：PCT/JP2009/053543

申请日：2009-02-26

Applicant: 三井造船株式会社 ,  服部 望

Inventor： 服部 望

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/45593 ,  C30B25/14 ,  Y10T137/7761 ,  Y10T137/85978

Abstract: 　原料供給装置（１０５）は、キャリアガスを原料容器（１５１）に導入する導入配管（１５２ａ）と、原料容器より導出した原料ガスが輸送される輸送配管（１５２ｂ）と、輸送配管より分岐して原料ガスを成膜室（１０１）に供給するための供給配管（１５５ａ）と、輸送配管（１５２ｂ）より分岐して原料ガスを導入配管（１５２ａ）に戻すための循環配管（１５５ｂ）と、導入配管に設けられた導入弁（１５６ａ）と、供給配管に設けられた供給弁（１５６ｂ）と、循環配管に設けられた循環弁（１５６ｃ）と、各弁の開閉を制御する制御部（１５７）とを備えている。制御部は、供給弁と循環弁との開閉を異なる状態に制御する。これにより、原料の無駄を抑制した状態で、より安定して原料ガスを供給することができる。

Abstract translation: 原料供给装置（105）具备将载气导入原料容器（151）的导入管道（152a），将从原料容器引出的原料​​气体输送的输送管道（152b），供给管路 155a），并且将原料气体供给到成膜室（101），从输送管道（152b）分支并将原料气体返回到导入管路（152a）的循环管道（155b）， 设置在引入管道中的引入阀（156a），设置在供给管道中的供给阀（156b），设置在循环管道中的循环阀（156c）和控制部（157），用于控制 阀门。 控制部分控制供给阀和循环阀的打开和关闭到不同的状态。 可以更加稳定地供给原料气体，同时减少原料的浪费。

公开(公告)号：WO2009085962A1

公开(公告)日：2009-07-09

申请号：PCT/US2008/087441

申请日：2008-12-18

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC. ,  ZILBAUER, Thomas ,  EISELE, Ignaz ,  MATUSCHE, Jan ,  SCHMIDT, Ursular Ingeborg

Inventor： ZILBAUER, Thomas ,  EISELE, Ignaz ,  MATUSCHE, Jan ,  SCHMIDT, Ursular Ingeborg

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4407 ,  C23C16/405 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45525

Abstract: A method and apparatus for performing ALD deposition of hafnium oxide on a substrate is provided. The apparatus includes a process chamber, a precursor delivery subsystem, an oxidizer delivery subsystem, a purge gas subsystem, a solvent flush subsystem, and optional solvent recovery and purification subsystems. The method includes pulsing precursor compounds into the process chamber in sequence. While one precursor is pulsed, purge gas is provided through the other precursor line. After pulsing, precursor lines are purged, and the chamber is evacuated and purged. A solvent flush step is employed to remove precursor deposits that build up in piping over time.

Abstract translation: 提供了一种用于在衬底上进行氧化铪沉积的方法和装置。 该设备包括处理室，前体递送子系统，氧化剂递送子系统，吹扫气体子系统，溶剂冲洗子系统和任选的溶剂回收和纯化子系统。 该方法包括依次将前体化合物脉冲化成工艺室。 当一个前体被脉冲时，通过另一个前体管线提供净化气体。 在脉冲之后，将前体管线清除，并将室抽真空并吹扫。 使用溶剂冲洗步骤来去除在管道中随时间累积的前体沉积物。

公开(公告)号：WO2008024874A3

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：PCT/US2007076570

申请日：2007-08-22

Applicant: APPLIED MATERIALS INC ,  STEVENS RONALD ,  MCDOUGALL BRENDAN ,  SMITH JACOB ,  KWONG GARRY ,  NIJHAWAN SANDEEP ,  WASHINGTON LORI

Inventor： STEVENS RONALD ,  MCDOUGALL BRENDAN ,  SMITH JACOB ,  KWONG GARRY ,  NIJHAWAN SANDEEP ,  WASHINGTON LORI

IPC: G01F17/00 ,  G01F23/14

CPC classification number: C23C16/4482

Abstract: Methods are disclosed of determining a fill level of a precursor in a bubbler. The bubbler is fluidicly coupled with a substrate processing chamber through a vapor-delivery system. The bubbler and vapor-delivery system are backfilled with a known dose of a backfill gas. A pressure and temperature of the backfill gas are determined, permitting a total volume for the backfill gas in the bubbler and vapor-delivery system to be determined by application of a gas law. The fill level of the precursor in the bubbler is determined as a difference between (1) a total volume of the bubbler and vapor-delivery system and (2) the determined total volume for the backfill gas.

Abstract translation: 公开了确定起泡器中前体的填充水平的方法。 起泡器通过蒸气输送系统与基底处理室流体耦合。 起泡器和蒸气输送系统用已知剂量的回填气体回填。 确定回填气体的压力和温度，允许通过应用气体定律确定起泡器和蒸气输送系统中回填气体的总体积。 起泡器中的前体的填充水平被确定为（1）起泡器和蒸气输送系统的总体积和（2）确定的回填气体的总体积之间的差。

公开(公告)号：WO2006099619A2

公开(公告)日：2006-09-21

申请号：PCT/US2006/010037

申请日：2006-03-17

Applicant: NOAH PRECISION, LLC ,  ATLAS, Boris ,  BICHUTSKY, Yefim ,  BRUK, Boris

Inventor： ATLAS, Boris ,  BICHUTSKY, Yefim ,  BRUK, Boris

IPC: C23C16/00

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/52 ,  Y10S261/65

Abstract: A temperature control device (20) for use in a process reactor system with a bubbler (19) having a container (21) provided with a side wall. The device includes a vessel (120) having an internal chamber (128) adapted to receive the container of the bubbler. An enclosure member (124) is extendable between the container of the bubbler and the vessel for enclosing the side wall of the container within the internal chamber. A temperature-changing device (162) is coupled to the vessel for providing heat or cold to the internal chamber.

Abstract translation: 一种用于具有带有侧壁的容器（21）的起泡器（19）的工艺反应器系统中的温度控制装置（20）。 该装置包括具有适于接收起泡器的容器的内室（128）的容器（120）。 外壳构件（124）可在起泡器的容器和容器之间延伸，用于将容器的侧壁封闭在内室内。 温度改变装置（162）与容器连接，用于向内室提供热量或冷量。

公开(公告)号：WO2006075709A1

公开(公告)日：2006-07-20

申请号：PCT/JP2006/300383

申请日：2006-01-13

Applicant: 東京エレクトロン株式会社 ,  小島 康彦 ,  星野 智久

Inventor： 小島 康彦 ,  星野 智久

IPC: C23C16/448 ,  H01L21/31

CPC classification number: C23C16/4482 ,  C23C16/18

Abstract: 　圧送されてくる液体原料を減圧雰囲気中にて気化させて原料ガスを発生させ、この原料ガスをキャリアガスと一緒に送り出す気化装置６において、圧送されてくる液体原料を一時的に貯留する液溜め室７０と、液溜め室に弁口６６を介して連通する気化室６２と、弁口を区画する弁座に液溜め室の側から着座する弁体７２と、弁体を駆動するアクチュエータ８１と、弁体の弁口を臨む位置に設けられたキャリアガス噴射口９２と、気化室内の原料ガスを排出する排出口２８と、を設ける。キャリアガス噴射口の特定の配置に基づき、気化装置の弁口より下流側に未気化の液体原料が残留することが防止される。

Abstract translation: 本发明提供一种蒸发器（6），其能够在真空气氛中蒸发在压力下供给的液体原料，从而产生原料气体，并将原料气体与载气一起排出，该载体气体包括用于暂时存储 液体原料在压力下进料; 通过阀口（66）与储液室连通的蒸发室（62）; 阀盘（72），其适于从液体储存室侧面坐在阀座上，用于分隔阀口; 用于驱动阀盘的致动器（81） 载气喷射孔（92），其设置在所述阀盘的面向所述阀口的位置; 以及用于从蒸发室排出原料气体的排气口（28）。 通过载气喷射孔的指定布置，可以防止蒸发器的阀口的未蒸发的液体原料流出物的任何残留。

公开(公告)号：WO2004010473A2

公开(公告)日：2004-01-29

申请号：PCT/US0322392

申请日：2003-07-18

Applicant: ASM INC

Inventor： STAMP MICHAEL R ,  AMRHEIM FREDERICK J ,  DALE ARNOLD J ,  POTTEBAUM JOSEPH C ,  EBERT BRIAN J

IPC: C23C16/24 ,  C23C16/40 ,  C23C16/448 ,  H01L21/02 ,  H01L21/205 ,  H01L

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/24 ,  C23C16/4482 ,  H01L28/84 ,  Y10S261/65

Abstract: A vaporization chamber for a substrate processing system comprises a main body, a cover member and a transition member. The main body is made of aluminum and defines a first inner surface, which defines, at least in part, a cavity. The cover member is also made of aluminum. The cover member defines a second inner surface, which also defines, at least in part, the cavity. The cover member comprises a carrier gas cover inlet, a liquid source cover inlet, a source cover outlet which extends from a first outer surface through the cover member to the second inner surface. The transition member is made of stainless steel and has a transition outer surface and a transition inner surface. The transition inner surface is aluminum cladded. The cover member comprising a carrier gas cover inlet, a liquid source cover inlet, a source cover outlet which extend from a first outer surface through the cover member to second inner surface. The transition inner surface and the cover outer surface are welded together.

Abstract translation: 用于基板处理系统的蒸发室包括主体，盖构件和过渡构件。 主体由铝制成并且限定了至少部分地限定空腔的第一内表面。 盖构件也由铝制成。 盖构件限定第二内表面，其还至少部分地限定空腔。 盖构件包括载气盖入口，液源盖入口，源盖出口，其从第一外表面延伸穿过盖构件到第二内表面。 过渡构件由不锈钢制成，具有过渡外表面和过渡内表面。 过渡内表面是铝包层。 盖构件包括载气盖入口，液源盖入口，源盖出口，其从第一外表面延伸穿过盖构件到第二内表面。 过渡内表面和盖外表面焊接在一起。

公开(公告)号：WO99047728A1

公开(公告)日：1999-09-23

申请号：PCT/US1999/006326

申请日：1999-03-22

IPC: C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455 ,  H01J37/32 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/045 ,  C23C16/402 ,  C23C16/4482 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/507 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32302 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/3299 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31051 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/31612 ,  H01L21/76837

Abstract: A method and apparatus for depositing a conformal dielectric layer employing a dep-etch technique features selectively reducing the flow of deposition gases into a process chamber where a substrate having a stepped surface to be covered by the conformal dielectric layer is disposed. By selectively reducing the flow of deposition gases into the process chamber, the concentration of a sputtering gas, from which a plasma is formed, in the process chamber is increased without increasing the pressure therein. It is preferred that the flow of deposition gases be periodically terminated so as to provide a sputtering gas concentration approaching 100 %. In this fashion, the etch rate of a conformal dielectric layer having adequate gap-filling characteristics may be greatly increased, while allowing an increase in the deposition rate of the same.

Abstract translation: 使用去蚀刻技术沉积保形介电层的方法和装置特征在于选择性地减少沉积气体流入处理室，其中设置具有被保形电介质层覆盖的台阶表面的基板。 通过选择性地减少沉积气体进入处理室的流量，在处理室中从其中形成等离子体的溅射气体的浓度增加而不增加其中的压力。 沉积气体的流动优选地周期性地终止，以提供接近100％的溅射气体浓度。 以这种方式，可以大大增加具有足够的间隙填充特性的保形介电层的蚀刻速率，同时允许其沉积速率的增加。

公开(公告)号：WO99027328A1

公开(公告)日：1999-06-03

申请号：PCT/US1998/021577

申请日：1998-10-13

IPC: G01F23/14 ,  C23C16/448 ,  G01F23/16 ,  G01L7/00 ,  H01L21/205 ,  C23C16/00 ,  H01L21/00

CPC classification number: G01F23/168 ,  C23C16/4482

Abstract: The present invention provides methods and systems for forming deposition films on semiconductor wafers. In particular, the present invention measures the amount of liquid remaining in a bubbler ampule of a semiconductor processing system used for chemical vapor deposition (CVD) on a semiconductor wafer. More particularly, measurements are made when gas has stopped flowing through the ampule, and the liquid is in a static condition. The system of the present invention comprises a container containing a liquid, a gas inlet for introduction of gas into the liquid, a gas outlet, and a pressure transducer fluidly connected to the gas inlet and the gas outlet. The device measures the amount of liquid in a bubbler ampule through measurements of gas pressure differential between gas exiting a nozzle near the bottom of the liquid and gas located above the level of the liquid. The depth of liquid remaining in the ampule may be extrapolated from the measured pressure differential.

Abstract translation: 本发明提供了在半导体晶片上形成沉积膜的方法和系统。 特别地，本发明测量在半导体晶片上用于化学气相沉积（CVD）的半导体处理系统的起泡器安瓿中剩余的液体量。 更具体地，当气体已经停止流过安瓿并且液体处于静止状态时进行测量。 本发明的系统包括容纳液体的容器，用于将气体引入液体的气体入口，气体出口和与气体入口和气体出口流体连接的压力传感器。 该装置通过测量离开位于液体底部附近的喷嘴的气体和位于液体高度之上的气体之间的气压差来测量起泡器安瓿中的液体量。 保留在安瓿中的液体的深度可以从测量的压力差外推。