公开(公告)号：WO2017125672A1

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：PCT/FR2017/050095

申请日：2017-01-17

申请人： ENHELIOS NANOTECH

发明人： GENEVEE, Pascal ,  DUTITRE, Eric

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/54 ,  C23C16/04

CPC分类号： C23C16/45551 ,  C23C16/04 ,  C23C16/042 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45578 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/545

摘要： L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase gazeuse à flux alternés et à séparation spatiale des gaz réactifs, pour former une couche sur une face d'un substrat (20) selon un motif à deux ou trois dimensions contrôlables, comprenant: •L'exposition d'une première zone (21) de la face dudit substrat (20) à un premier gaz réactif (A) injecté par une première barrette (1) dans un premier espace confiné; •L'exposition d'une deuxième zone (22) de la face dudit substrat (20) à un deuxième gaz réactif (B) injecté par une deuxième barrette (2) dans un deuxième espace confiné; Le procédé comprend une étape de déplacement correspondant à un mouvement relatif des barrettes (1,2) vis-à-vis du substrat (20) et contrôlé, dont l'amplitude est comprise dans une fourchette de recouvrement, de sorte que la première zone (21) et la deuxième zone (22) se recouvrent au moins partiellement au niveau d'une zone de recouvrement (23) qui définit ledit motif. L'invention concerne également un dispositif de dépôt.

摘要翻译：

本发明涉及一种方法 气相化学降解剂＆gt; 备用流量和“rdquo; 在空间上分隔反应气体，以根据图案在基板（20）的一侧上形成层; 两个或三个可控尺寸，包括：·暴露所述衬底（20）的所述面的第一区域（21）; 注入第一反应气体（A）; 通过第一杆（1）在第一受限空间中移动; ·所述衬底（20）的面的第二区域（22）的暴露; 注入第二反应气体（B）; 由第二杆（2）在第二有限空间内移动; d＆oacute的过程; 包括相应的启动步骤; 杆（1,2）相对于基板（20）和控制器1的相对运动，控制器1的幅度在覆盖范围内，使得第一区域（21） 和第二区域（22）至少部分地在限定所述图案的重叠区域（23）重叠。 本发明还涉及一种用于拆解的装置。

公开(公告)号：WO2016060429A1

公开(公告)日：2016-04-21

申请号：PCT/KR2015/010757

申请日：2015-10-13

申请人： 한국생산기술연구원

发明人： 변철수 ,  한만철

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45565 ,  C23C16/4401 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45589 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

摘要： 화학기상장치용 반응챔버가 제공된다. 본 발명의 예시적인 실시예에 따른 화학기상장치용 반응챔버는 내부공간을 갖는 하우징; 상기 내부공간에 배치되고 상부면에 기판이 로딩되는 서셉터; 상기 서셉터의 상부측에 위치하도록 상기 내부공간에 배치되고 공정가스를 상기 기판 측으로 분사하는 샤워헤드; 상,하부가 개방되고 소정의 높이를 갖는 중공형으로 구비되며, 상부테두리가 상기 샤워헤드의 둘레부에 위치하여 상기 기판 및 서셉터를 감싸도록 상기 내부공간 내에 배치되는 내부배럴; 및 상기 내부배럴과 동력전달수단을 매개로 연결되는 구동수단;을 포함하고, 상기 내부배럴은 상기 기판 및 서셉터의 교환시 상기 구동수단의 작동을 통해 상기 기판 또는 서셉터가 상기 내부배럴의 내측으로부터 노출되는 개방상태로 변경된다.

摘要翻译： 提供了一种用于化学气相装置的反应室。 根据本发明的一个示例性实施例的用于化学气相装置的反应室包括：具有内部空间的壳体; 设置在所述内部空间中并具有装载在其上侧的基板的感受体; 淋浴头，其设置在内部空间中，以便定位在基座上方并将处理气体喷射到基板; 中空的内筒具有开口的顶部和底部和预定高度，并且设置在内部空间内部以围绕基板和基座，其上边缘位于喷头周围; 以及通过动力传递装置的介质连接到内筒的驱动装置，其中在更换基底和基座时，内筒被改变到打开状态，其中基底或基座从内侧暴露于 通过操作驱动装置的内桶。

公开(公告)号：WO2016040448A1

公开(公告)日：2016-03-17

申请号：PCT/US2015/049137

申请日：2015-09-09

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： LI, Ning ,  MARCUS, Steven D. ,  NGO, Tai T. ,  GRIFFIN, Kevin

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45544

摘要： Apparatus and methods for spatial atomic layer deposition including at least one first exhaust system and at least one second exhaust system. Each exhaust system including a throttle valve and a pressure gauge to control the pressure in the processing region associated with the individual exhaust system.

摘要翻译： 用于空间原子层沉积的装置和方法包括至少一个第一排气系统和至少一个第二排气系统。 每个排气系统包括节流阀和压力计，以控制与各排气系统相关联的处理区域中的压力。

公开(公告)号：WO2014132892A1

公开(公告)日：2014-09-04

申请号：PCT/JP2014/054177

申请日：2014-02-21

申请人： 三井造船株式会社

发明人： 服部　望 ,  宮武　直正 ,  森　康成

IPC分类号： C23C16/455 ,  H01L21/31 ,  H05H1/46

CPC分类号： C23C16/45574 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/545 ,  H01J37/32091 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32761 ,  H01J2237/332

摘要： 　成膜装置は、成膜中の基板を搬送する搬送機構と、成膜用ガスを前記基板に向けて供給するインジェクタを前記基板の搬送経路に沿って複数設けたインジェクタユニットと、反応物質を生成する反応物質供給ユニットと、を備える。前記インジェクタユニットは、前記インジェクタの間のそれぞれの隙間から前記反応物質を前記成膜成分の層に供給する。前記インジェクタの基板対向面は、前記成膜用ガスを出力する成膜用ガス供給口と、前記成膜用ガス供給口に対して前記基板の搬送方向の両側に設けられ、成膜用ガス等の余分なガスを吸引する第１ガス排気口と、前記第１ガス排気口のそれぞれに対して前記成膜用ガス供給口から遠ざかる側に設けられ、不活性なガスを供給する不活性ガス供給口と、を有する。

摘要翻译： 一种成膜装置，其在成膜时具有用于输送基板的输送机构，在基板的输送路径上设置有多个用于向基板供给成膜气体的喷射器的喷射器单元， 用于产生反应物质的反应物质进料单元。 喷射器单元将反应物质从喷射器之间的间隙供给到成膜部件的层。 喷射器的面向基板的表面具有用于输出成膜气体的成膜气体供给口; 用于抽吸多余的成膜气体和其它气体的第一排气口，所述第一排气口设置在所述基板相对于所述成膜气体供给口的输送方向的两侧; 惰性气体供给口用于供给惰性气体，惰性气体供给口设置在远离成膜气体供给口的一侧，相对于相应的第一排气口。

公开(公告)号：WO2014035096A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：PCT/KR2013/007571

申请日：2013-08-23

申请人： 주식회사 유진테크

发明人： 양일광 ,  송병규 ,  김경훈 ,  김용기 ,  신양식

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45559 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/481 ,  H01L21/67115

摘要： 본 발명의 일 실시예에 의하면 기판에 대한 공정이 이루어지는 기판 처리 장치에 있어서 상부가 개방된 형상을 가지며, 일측에 상기 기판이 출입하는 통로가 형성되는 메인챔버; 상기 메인챔버 내부에 설치되며, 상기 기판이 놓여지는 서셉터; 상기 메인챔버의 개방된 상부에 설치되며, 상기 서셉터의 상부에 위치하는 상부설치공간과 상기 상부설치공간의 외측에 배치되는 가스공급통로를 가지는 챔버덮개; 상기 상부설치공간에 설치되며, 상기 기판을 가열하는 히팅블럭; 및 상기 가스공급통로와 연결되어 상기 공정공간을 향해 공정가스를 공급하는 가스공급포트를 포함한다.

摘要翻译： 根据本发明的一个实施例，发生基板的处理的基板处理装置包括：具有开口顶部形状并且具有用于基板进出的通路的主室，形成 在其一侧; 基座，安装在主室内并放置基板; 室盖安装在主室的敞开的顶部，并且具有位于基座的顶部的顶部安装空间，并且具有设置在顶部安装空间外部的气体供给通道; 加热块，其安装在顶部安装空间中并加热基板; 以及气体供给口，其连接到气体供给路径，并将处理气体朝向处理空间供给。

公开(公告)号：WO2013043247A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：PCT/US2012/045600

申请日：2012-07-05

申请人： APPLIED NANOSTRUCTURED SOLUTIONS, LLC ,  MALECKI, Harry, C. ,  DAHNE, Jason, L. ,  LOEBACH, James, P. ,  GAIGLER, Randy, L. ,  LEDFORD, Jordan, T.

发明人： MALECKI, Harry, C. ,  DAHNE, Jason, L. ,  LOEBACH, James, P. ,  GAIGLER, Randy, L. ,  LEDFORD, Jordan, T.

IPC分类号： D01F9/12

CPC分类号： D01F9/133 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/15 ,  C23C16/045 ,  C23C16/455 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/46 ,  C23C16/545 ,  D06M11/74 ,  D06M2101/40

摘要： An apparatus for growing carbon nanostructures (CNSs) on a substrate can include at least two CNS growth zones with at least one intermediate zone disposed therebetween and a substrate inlet before the CNS growth zones sized to allow a spoolable length substrate to pass therethrough.

摘要翻译： 用于在基底上生长碳纳米结构（CNS）的装置可以包括至少两个CNS生长区，其中设置有至少一个中间区，并且在CNS生长区之前的基底入口被设计成允许可卷绕长度的衬底通过。

公开(公告)号：WO2012101891A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：PCT/JP2011/076775

申请日：2011-11-21

申请人： 三菱電機株式会社 ,  横山 吉典 ,  出尾 晋一 ,  吉田 幸久 ,  村上 隆昭

发明人： 横山　吉典 ,  出尾　晋一 ,  吉田　幸久 ,  村上　隆昭

IPC分类号： H05H1/24 ,  C23C16/455 ,  C23C16/50 ,  H01L21/205

CPC分类号： C23C16/50 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45595 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2412 ,  H05H2240/10

摘要： 　大気圧プラズマ処理装置は、大気圧プラズマ処理ヘッド１と、被処理部材１９を保持して大気圧プラズマ処理ヘッドと被処理部材とを相対的に移動させる移動手段３８と、反応ガスおよびカーテンガスを供給するガス供給部３１，３２と、排気部３３と、制御部４０と、を備え、制御部は、移動手段によって大気圧プラズマ処理ヘッドと被処理部材が相対移動される場合には、相対移動しない場合に比べて、大気圧プラズマ処理ヘッドに対する被処理部材の相対的な移動方向と反対方向側からの反応ガスの流量およびカーテンガスの流量を増加させ、被処理部材の相対的な移動方向側の反応ガスの流量およびカーテンガスの流量を減少させるように制御する。

摘要翻译： 大气等离子体处理装置包括：大气等离子体处理头（1）; 用于保持处理目标构件（19）并相对移动大气等离子体处理头和处理目标构件的移动装置（38）; 用于供应反应气体和帘式气体的气体供应单元（31,32） 排出单元（33）; 以及控制单元（40），其中当大气等离子体处理头和处理对象构件被移动装置相对移动时，控制单元增加沿与方向相反的方向供应的反应气体和帘式气体的量 其中处理目标构件相对于大气等离子体处理头移动，并且相对于大气等离子体处理头，处理对象构件相对于大气等离子体处理头移动的方向减少反应气体和帘式气体的量 其中大气等离子体处理头和处理目标构件不相对移动。

公开(公告)号：WO2012057770A2

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：PCT/US2010/054548

申请日：2010-10-28

申请人： ALTA DEVICES, INC. ,  BOUR, David, P.

发明人： BOUR, David, P.

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/458 ,  C23C16/46

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45519 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/6776

摘要： A method and apparatus for performing chemical vapor deposition (CVD) processes is provided. In one embodiment, the apparatus comprises a reactor body having a processing region, comprising a wafer carrier track having a wafer carrier disposed thereon, at least one sidewall having an exhaust assembly for exhausting gases from the processing region, a lid assembly disposed on the reactor body, comprising a lid support comprising a first showerhead assembly for supplying reactant gases to the processing region, a first isolator assembly for supplying isolation gases to the processing region, a second showerhead assembly for supplying reactant gases to the processing region, and a second isolator assembly for supplying isolation gases to the processing region, wherein the first showerhead assembly, the first isolator assembly, the second showerhead assembly, and the second isolator assembly are consecutively and linearly disposed next to each other.

摘要翻译： 提供了用于执行化学气相沉积（CVD）过程的方法和设备。 在一个实施例中，该设备包括具有处理区域的反应器主体，该处理区域包括其上设置有晶片载体的晶片载体轨道，具有用于从处理区域排出气体的排气组件的至少一个侧壁，设置在反应器上的盖组件 包括盖支撑件，所述盖支撑件包括用于将反应气体供应到所述处理区域的第一喷头组件，用于向所述处理区域供应隔离气体的第一隔离组件，用于向所述处理区域供应反应气体的第二喷头组件，以及第二隔离件 组件，用于将隔离气体供应到处理区域，其中第一喷头组件，第一隔离器组件，第二喷头组件和第二隔离器组件连续并线性地彼此相邻布置。

公开(公告)号：WO2010042927A3

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：PCT/US2009060372

申请日：2009-10-12

申请人： ALTA DEVICES INC ,  HE GANG

发明人： HE GANG

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/458 ,  C30B25/025 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/67784

摘要： Embodiments of the invention generally relate to a method for forming a multi-layered material during a continuous chemical vapor deposition (CVD) process. In one embodiment, a method for forming a multi-layered material during a continuous CVD process is provided which includes continuously advancing a plurality of wafers through a deposition system having at least four deposition zones. Multiple layers of materials are deposited on each wafer, such that one layer is deposited at each deposition zone. The methods provide advancing each wafer through each deposition zone while depositing a first layer from the first deposition zone, a second layer from the second deposition zone, a third layer from the third deposition zone, and a fourth layer from the fourth deposition zone. Embodiments described herein may be utilized to form an assortment of materials on wafers or substrates, especially for forming Group III/V materials on GaAs wafers.

摘要翻译： 本发明的实施方案一般涉及在连续化学气相沉积（CVD）工艺期间形成多层材料的方法。 在一个实施例中，提供了在连续CVD工艺期间形成多层材料的方法，其包括通过具有至少四个沉积区的沉积系统连续推进多个晶片。 在每个晶片上沉积多层材料，使得在每个沉积区域沉积一层。 该方法提供每个晶片通过每个沉积区域，同时从第一沉积区沉积第一层，从第二沉积区沉积第二层，从第三沉积区沉积第三层，以及从第四沉积区沉积第四层。 本文描述的实施例可以用于在晶片或衬底上形成各种材料，特别是用于在GaAs晶片上形成III / V族材料。

公开(公告)号：WO2010042927A2

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：PCT/US2009/060372

申请日：2009-10-12

申请人： ALTA DEVICES, INC. ,  HE, Gang

发明人： HE, Gang

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/458 ,  C30B25/025 ,  C30B29/40 ,  C30B29/42 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/67784

摘要： Embodiments of the invention generally relate to a method for forming a multi-layered material during a continuous chemical vapor deposition (CVD) process. In one embodiment, a method for forming a multi-layered material during a continuous CVD process is provided which includes continuously advancing a plurality of wafers through a deposition system having at least four deposition zones. Multiple layers of materials are deposited on each wafer, such that one layer is deposited at each deposition zone. The methods provide advancing each wafer through each deposition zone while depositing a first layer from the first deposition zone, a second layer from the second deposition zone, a third layer from the third deposition zone, and a fourth layer from the fourth deposition zone. Embodiments described herein may be utilized to form an assortment of materials on wafers or substrates, especially for forming Group III/V materials on GaAs wafers.

摘要翻译： 本发明的实施例总体上涉及在连续化学气相沉积（CVD）过程期间形成多层材料的方法。 在一个实施例中，提供了一种用于在连续CVD工艺期间形成多层材料的方法，其包括连续地推进多个晶片通过具有至少四个沉积区的沉积系统。 在每个晶片上沉积多层材料，使得在每个沉积区域沉积一层。 该方法提供每个晶片通过每个沉积区，同时沉积来自第一沉积区的第一层，来自第二沉积区的第二层，来自第三沉积区的第三层和来自第四沉积区的第四层。 本文描述的实施例可用于在晶片或衬底上形成各种材料，特别是用于在GaAs晶片上形成III / V族材料。