公开(公告)号：WO2006070452A1

公开(公告)日：2006-07-06

申请号：PCT/JP2004/019602

申请日：2004-12-28

Applicant: 株式会社ルネサステクノロジ ,  金岡 卓

Inventor： 金岡 卓

IPC: C25D21/18

CPC classification number: H01L21/2885 ,  C25D17/001 ,  C25D21/12 ,  H01L23/3114 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/05001 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05024 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/00

Abstract: 　ウェハ上に形成されるニッケル膜の膜厚変動を防止しながら、めっき液中に存在するスラッジを効率的に除去することができる技術を提供することを目的とする。この目的を達するため、めっき処理槽２０とは別に設けられためっき液貯蔵槽２１内に磁石３３ａ～３３ｄを配置する。具体的には、めっき液貯蔵槽２１のうちめっき液２７の流入口に設けられた堰に磁石３３ａを設置する。また、貯蔵されているめっき液２７の表層部に磁石３３ｂを設け、さらに、めっき液２７の流出口近傍に磁石３３ｃを設ける。そして、めっき液２７の底部に磁石３３ｄを設ける。

Abstract translation: 一种半导体装置的制造方法，其特征在于，除了电镀处理槽（20）之外，还设置有用于储存镀液的储罐（21），并且在所述电镀液储罐中配置磁铁（33a〜33d） 设置在电镀液储存槽（21）的电镀液（27）的入口处的坝中的磁体（33a），存储在其中的电镀液（27）的表层的磁体（33b），磁体 （33c）的电镀液（27）的出口附近的电极（33c）和电镀液（27）的底部的磁体（33d）。 上述方法可以适当地用于有效地除去电镀液中存在的污泥，同时防止在晶片上形成的镍膜的膜厚度的波动。