公开(公告)号：WO2018208524A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：PCT/US2018/030168

申请日：2018-04-30

申请人： QUALCOMM INCORPORATED

发明人： HE, Dongming ,  ZHAO, Lily ,  WANG, Wei ,  SYED, Ahmer

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/56 ,  H01L23/291 ,  H01L23/293 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3171 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/10 ,  H01L24/11 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/0218 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0221 ,  H01L2224/02215 ,  H01L2224/02311 ,  H01L2224/02313 ,  H01L2224/02331 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/024 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03466 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05582 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/0544 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014

摘要： A device comprising a semiconductor die and a redistribution portion coupled to the semiconductor die. The redistribution portion includes a passivation layer and a redistribution interconnect comprising a first surface and a second surface opposite to the first surface. The redistribution interconnect is formed over the passivation layer such that the first surface is over the passivation layer and the second surface is free of contact with any passivation layer. The device includes a bump interconnect coupled to the second surface of the redistribution interconnect. In some implementations, the bump interconnect comprises a surface that faces the redistribution interconnect, and wherein an entire surface of the bump interconnect that faces the redistribution interconnect is free of contact with the passivation layer.

公开(公告)号：WO2017048388A1

公开(公告)日：2017-03-23

申请号：PCT/US2016/045255

申请日：2016-08-03

申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.

发明人： MARIOTTINI, Giorgio ,  VADHAVKAR, Sameer ,  HUANG, Wayne ,  CHANDOLU, Anilkumar ,  BOSSLER, Mark

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/05 ,  H01L24/03 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02126 ,  H01L2224/02135 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/03013 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/03472 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03906 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05009 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05555 ,  H01L2224/05565 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/05687 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/114 ,  H01L2224/11472 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13026 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/053

摘要： The present technology is directed to manufacturing collars for under-bump metal (UBM) structures for die-to-die and/or package-to-package interconnects and associated systems. A semiconductor die includes a semiconductor material having solid-state components and an interconnect extending at least partially through the semiconductor material. An under-bump metal (UBM) structure is formed over the semiconductor material and is electrically coupled to corresponding interconnects. A collar surrounds at least a portion of the side surface of the UBM structure, and a solder material is disposed over the top surface of the UBM structure.

摘要翻译： 本技术涉及制造用于管芯到管芯和/或封装到封装互连及相关系统的凸块下金属（UBM）结构的套圈。 半导体管芯包括具有固态部件的半导体材料和至少部分延伸穿过半导体材料的互连。 在半导体材料之上形成凸块下金属（UBM）结构，并且电耦合到相应的互连。 套环围绕UBM结构的侧表面的至少一部分，并且焊料材料设置在UBM结构的顶表面上。

公开(公告)号：WO2014088966A3

公开(公告)日：2015-01-15

申请号：PCT/US2013072675

申请日：2013-12-02

申请人： INVENSAS CORP

发明人： UZOH CYPRIAN EMEKA

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/50 ,  H01L21/60 ,  H01L23/10 ,  H01L23/498 ,  H05K3/34

CPC分类号： H05K13/046 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/10 ,  H01L23/481 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2224/02372 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05026 ,  H01L2224/05027 ,  H01L2224/05138 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05157 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05171 ,  H01L2224/0518 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05187 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13009 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/13076 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13105 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13138 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13184 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/14131 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/16501 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/27452 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/27464 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29023 ,  H01L2224/2908 ,  H01L2224/29082 ,  H01L2224/29105 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29138 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/32505 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81075 ,  H01L2224/8112 ,  H01L2224/81141 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81825 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/8312 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/381 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01071 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/01034 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2224/05552

摘要： A microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) includes a first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) having a first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a second substrate (14, 114, 214, 314, 414) having a second conductive element (26, 126, 226, 326, 426). The assembly further includes an electrically conductive alloy mass (16, 116) joined to the first and second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022), including a first, a second and a third material. First and second materials of the alloy mass (16, 116) each have a melting point lower than a melting point of the alloy. A concentration of the first material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) to a relatively lower amount toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426), and a concentration of the second material varies in concentration from a relatively higher amount at a location disposed toward the second conductive element (26, 126, 226, 326, 426) to a relatively lower amount toward the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022). The microelectronic assembly (10, 110, 210, 310, 410) is formed by aligning the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912), having a first bond component (30, 230, 330, 430), with the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), having a second bond component (40, 240, 340, 440), such that the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components are in contact with each other, the first bond component (30, 230, 330, 430, 1030) including a first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936) adjacent the first conductive element (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) and a first protective layer (38, 538, 638, 738, 838, 938) overlying the first material layer (36, 536, 636, 736, 836, 936), the second bond component (40, 240, 340, 440) including a second material layer (46) adjacent the second conductive element (26) and a second protective layer (48) overlying the second material layer (46), and heating the first (30, 230, 330, 430, 1030) and second (40, 240, 340, 440) bond components such that at least portions of the first (36, 536, 636, 736, 836, 936) and second (46) material layers diffuse together to form the alloy mass (16, 116) joining the first (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and second (14, 114, 214, 314, 414) substrates with one another. There may be formed a plurality of first conductive elements (26, 126, 226, 326, 426, 526, 626, 726, 826, 926, 1022) on the first substrate (12, 112, 212, 312, 412, 512, 612, 712, 812, 912) and a plurality of second conductive elements (26, 126, 226, 326, 426) on the second substrate (14, 114, 214, 314, 414), joined by a plurality of conductive alloy masses (16, 116). The conductive alloy mass (116) may also surround and hermetically seal an internal volume.

摘要翻译： 微电子组件（10,110,210,310,410）包括具有第一导电元件（26,126,226）的第一衬底（12,112,212,312,412,512,612,712,812,912） 具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414），以及具有第二导电元件（26,126,226,326,426）的第二基板（14,114,214,314,414）。 组件还包括接合到第一和第二导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的导电合金块（16,116），包括第一， 第二和第三材料。 合金质量（16,116）的第一和第二材料的熔点低于合金的熔点。 第一材料的浓度在朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化到相对较低的量 朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）的量，并且第二材料的浓度在朝向第二导电元件（26,126,226,326,426）设置的位置处的相对较高的量的浓度变化 ，426）朝向第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1012）相对较低的量。 微电子组件（10,110,210,310,410）通过使具有第一粘合组分（30,110,210,310,410）的第一粘合组分（30,110,210,310,410） 具有第二接合部件（40,42,340,440）的第二基板（14,114,214,314,414），使得所述第一基板（30,230,340,440） 所述第一接合部件（30,230,330,430,1030）包括第一材料层（36,536,630）和第二接合部件（40,42,340,440），所述第一接合部件 邻近第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022）的第一保护层（38,538,638,738,838），第三保护层 ，覆盖在第一材料层（36,536,636,736,836,936）上的第二结合部件（40,240,340,440）包括邻近第二导电元件（26）的第二材料层（46） ）和覆盖在第二材料层（46）上的第二保护层（48），并且加热第一（30,230,33 0,430,1030）和第二（40,42,340,440）粘合部件，使得第一（36,536,636,736,836,936）和第二（46）材料层的至少一部分一起扩散到 形成将第一（12,112,212,312,412,912）和第二（14,114,214,314,414）基板彼此接合的合金块（16,116） 。 可以在第一衬底（12,112,212,312,412,512,512）上形成多个第一导电元件（26,126,226,326,426,526,626,726,826,926,1022） 612,1112,812,912）以及由第二基片（14,114,214,314,414）上的多个第二导电元件（26,126,226,326,426）组成的多个导电合金块 （16,116）。 导电合金质量块（116）也可以围绕并气密地密封内部体积。

公开(公告)号：WO2014129395A1

公开(公告)日：2014-08-28

申请号：PCT/JP2014/053460

申请日：2014-02-14

申请人： デクセリアルズ株式会社

发明人： 波木　秀次 ,  蟹澤　士行 ,  馬越　英明 ,  青木　正治 ,  石神　明

IPC分类号： C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00 ,  C23C14/34 ,  H01L21/60 ,  H01L33/62

CPC分类号： C09J11/00 ,  C08K7/16 ,  C08K9/00 ,  C09J9/02 ,  C23C14/025 ,  C23C14/205 ,  C23C14/223 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L33/486 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29413 ,  H01L2224/29439 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/73104 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81903 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2224/05599

摘要： 　放射光の強度が高い発光装置を提供する。３６０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に発光光のピークを有する青色ＬＥＤチップ２０は、異方性導電接着剤１２によって、電極基板１１に接着されている。異方性導電接着剤１２に含有される導電粒子１の表面には、銀合金の光反射層が形成されており、青色の光に対する反射率が高い。光反射層は、Ａｇ、Ｂｉ、Ｎｄの合計を１００重量％としたとき、Ｂｉを０．１重量％以上３．０重量％以下の値、Ｎｄを０．１重量％以上２．０重量％以下の値で含有するスパッタリングターゲットをスパッタして形成されており、マイグレーションに対する耐性も高い。

摘要翻译： 提供了一种发光器件，其从其辐射强度高。 通过各向异性导电粘合剂（12）将具有360nm至500nm范围内的发射光峰值的蓝色LED芯片（20）接合到电极基板（11）。 在各向异性导电性粘合剂（12）中包含的导电性粒子（1）的表面上形成由银合金形成的光反射层，导电性粒子（1）相对于蓝色光具有高反射率。 通过溅射含有0.1重量％〜3.0重量％（以下）Bi的溅射靶和0.1重量％〜2.0重量％（以下）的Nd来形成光反射层，如果Ag， Bi和Nd取为100重量％，光反射层具有高的耐迁移性。

公开(公告)号：WO2014044435A1

公开(公告)日：2014-03-27

申请号：PCT/EP2013/065296

申请日：2013-07-19

申请人： ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH

发明人： BECK, Thomas ,  STEINBERGER, Gerhard ,  WALTER, Andreas

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L24/14 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05657 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/10145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11821 ,  H01L2224/11822 ,  H01L2224/11823 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/11901 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13013 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13157 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/13673 ,  H01L2224/13676 ,  H01L2224/16507 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/20751 ,  H01L2924/2076 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2224/05552

摘要： The present invention relates to a method for forming a copper pillar on a semi-conducting substrate, the copper pillar having an underbump metallization area comprising a metal less noble than copper and optionally a solder bump on the top portion, and having a layer of a second metal selected from tin, tin alloys, silver, and silver alloys deposited onto the side walls of said copper pillar. A layer of a first metal which is more noble than copper is deposited onto the entire outer surface of the copper pillar prior to deposition of the second metal layer. The layer of a second metal then has at least a reduced number of undesired pin-holes and serves as a protection layer for the underlying copper pillar.

摘要翻译： 本发明涉及一种在半导体基板上形成铜柱的方法，所述铜柱具有底部金属化区域，该底部金属化区域包括比铜更贵的金属，并且可选地在顶部上具有焊料凸块，并且具有 选自沉积在所述铜柱的侧壁上的锡，锡合金，银和银合金的第二金属。 在沉积第二金属层之前，在铜柱的整个外表面上沉积比铜更贵的第一金属层。 然后，第二金属层至少具有减少数量的不期望的针孔，并且用作下面的铜柱的保护层。

公开(公告)号：WO2014029930A1

公开(公告)日：2014-02-27

申请号：PCT/FR2013/051852

申请日：2013-07-31

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： ALIANE, Abdelkader ,  COPPARD, Romain ,  TALLAL, Jamal

IPC分类号： H01L23/14 ,  H01L23/495 ,  H01L31/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L24/03 ,  H01L21/4867 ,  H01L21/563 ,  H01L23/145 ,  H01L23/49811 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/02175 ,  H01L2224/0219 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/03848 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/10156 ,  H01L2224/10175 ,  H01L2224/1131 ,  H01L2224/11332 ,  H01L2224/11515 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13187 ,  H01L2224/1601 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/8123 ,  H01L2224/81409 ,  H01L2224/818 ,  H01L2224/8184 ,  H01L2224/819 ,  H01L2224/81948 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/20754 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/05552

摘要： Ce procédé de fabrication d'un dispositif microélectronique comportant un premier composant (12) hybridé à un second composant (14) au moyen d'interconnexions électriques, consiste : à réaliser des premier et second composants (12, 14), le second composant (14) étant transparent à un rayonnement ultraviolet au moins au droit d'emplacements prévus pour les interconnexions; à former des éléments d'interconnexion (22) comprenant de l'oxyde de cuivre sur le second composant (14) aux emplacements prévus pour les interconnexions; à reporter les premier et second composants (12, 14) l'un sur l'autre; et à appliquer un rayonnement ultraviolet au travers le second composant (14) sur les éléments comprenant de l'oxyde de cuivre de manière à mettre en œuvre un recuit ultraviolet transformant l'oxyde de cuivre en cuivre.

摘要翻译： 用于制造包括通过电互连与第二部件（14）杂交的第一部件（12）的微电子器件的该工艺包括：产生第一和第二部件（12,14），第二部件（14）对于 紫外线辐射至少与提供给互连的位置一致; 在为所述互连提供的位置中形成在所述第二部件（14）上包含氧化铜的互连元件（22）; 将第一和第二部件（12,14）放置在另一个上; 以及通过所述第二部件（14）将紫外线辐射施加到包含氧化铜的元件上，以实现将所述氧化铜转化为铜的紫外线退火。

公开(公告)号：WO2014027418A1

公开(公告)日：2014-02-20

申请号：PCT/JP2012/070907

申请日：2012-08-17

申请人： 富士電機株式会社 ,  齋藤 隆 ,  西澤 龍男 ,  木下 慶人 ,  梨子田 典弘

发明人： 齋藤　隆 ,  西澤　龍男 ,  木下　慶人 ,  梨子田　典弘

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/60 ,  H01L21/603 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L24/33 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/0346 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27332 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32014 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32238 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/33505 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40091 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48229 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/8485 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00015 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83205 ,  H01L2924/00

摘要： 　半導体素子のおもて面電極となる導電部（１）の表面には、銅を主成分とする第１の金属膜（２）が成膜されている。第１の金属膜（２）の表面には、銀を主成分とする第２の金属膜（３）が成膜されている。第２の金属膜（３）の表面には、銀粒子を含有する接合層（４）を介して、導電部（１）と他部材（例えば絶縁基板（２３）の回路パターン（２４））とを電気的に接続する金属板（５）が接合されている。第２の金属膜（３）には、第２の金属膜（３）と銀粒子を含有する接合層（４）との接合強度を低下させるニッケルが含まれていない。これにより、高い接合強度および優れた耐熱性、放熱性を有する電子部品（１０）および電子部品（１０）の製造方法を提供することができる。

摘要翻译： 在用作半导体元件的前表面电极的导电部分（1）的表面上形成以铜为主要成分的第一金属膜（2）。 在第一金属膜（2）的表面上形成以银为主要成分的第二金属膜（3）。 在第二金属膜（3）的表面，金属板（5）与介于其间的含有银粒子的结合层（4）结合，金属板（5）可以将导电部 1）到另一个构件（例如，绝缘衬底（23）的电路图案（24））。 在第二金属膜（3）中，不含有可能降低第二金属膜（3）和含银粒子结合层（4）之间的接合强度的元素的镍。 因此，可以提供：具有高接合强度，优异的耐热性和优异的散热性能的电子部件（10）; 以及电子部件（10）的制造方法。

公开(公告)号：WO2014006682A1

公开(公告)日：2014-01-09

申请号：PCT/JP2012/066917

申请日：2012-07-02

申请人： 三菱電機株式会社 ,  川瀬 達也 ,  石原 三紀夫 ,  佐々木 太志 ,  高山 剛 ,  加藤 肇

发明人： 川瀬　達也 ,  石原　三紀夫 ,  佐々木　太志 ,  高山　剛 ,  加藤　肇

IPC分类号： H01L21/52 ,  B23K1/19 ,  B23K1/20 ,  H01L21/60 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

CPC分类号： B23K1/0016 ,  B23K2201/42 ,  H01L23/488 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/32258 ,  H01L2224/3226 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/291 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 　まず、導電板（４）の上面から下面に向かって複数の貫通孔（５）を形成する。次に、半導体素子（１）の電極（２）と金属フレーム（３）との間に、半田（６）で包んだ導電板（４）を挿入する。次に、半田（６）及び導電板（４）を介して電極（２）と金属フレーム（３）を加熱接合させる。このように半導体素子（１）の電極（２）と金属フレーム（３）との間に導電板（４）を挿入することで最低限の半田（６）の厚みを確保できるため、半田（６）の厚みの寸法公差を低減できる。また、導電板（４）を包む半田（６）の量を調整することで半田（６）が過剰供給されず、小さい半導体素子（１）にも適当量の半田を供給できる。

摘要翻译： 首先，从导电板（4）的上表面向其下表面形成多个通孔（5）。 然后，用焊料（6）包裹的导电板（4）插入到半导体元件（1）的电极（2）和金属框架（3）之间。 然后，通过用焊料（6）和导电板（4）加热电极和金属框架，将电极（2）和金属框架（3）彼此接合。 以这种方式，由于可以通过将导电板（4）插入半导体元件（1）的电极（2）和金属框架（3）之间来确保焊料（6）的最小必要厚度，尺寸 可以减少焊料（6）的厚度的公差。 此外，通过调节焊料（6）的量来包裹导电板（4），焊料（6）不会过多地供应，并且可以向小型半导体元件（1）提供适量的焊料。

公开(公告)号：WO2013015304A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：PCT/JP2012/068800

申请日：2012-07-25

申请人： 積水化学工業株式会社 ,  西岡 敬三 ,  大塚 真弘

发明人： 西岡　敬三 ,  大塚　真弘

IPC分类号： H01B5/00 ,  H01B1/20 ,  H01B5/16 ,  H01L21/60 ,  H01R11/01

CPC分类号： H01R4/04 ,  H01B1/22 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/29455 ,  H01L2224/29484 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00

摘要： 　複数の導電性粒子が凝集するのを抑制でき、更に電極間の接続に用いた場合に電極間の接続抵抗を低くすることができる導電性粒子、並びに該導電性粒子を用いた導電材料を提供する。　本発明に係る導電性粒子１は、基材粒子２と、基材粒子２の表面上に配置されており、かつニッケルと、ボロンと、タングステン及びモリブデンの内の少なくとも１種の金属成分とを含む導電層３とを有する。本発明に係る導電材料は、導電性粒子１と、バインダー樹脂とを含む。

摘要翻译： 提供：能够抑制多个导电粒子的聚集的导电粒子，并且当在电极之间的连接中使用时减小电极之间的连接电阻; 以及使用该导电粒子的导电材料。 这些导电颗粒（1）具有基板颗粒（2）和设置在基板颗粒（2）的表面上并且包括至少一种选自以下的金属组分的导电层（3）：镍，硼，钨 和钼。 该导电材料包括导电颗粒（1）和粘合剂树脂。

公开(公告)号：WO2012176392A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：PCT/JP2012/003733

申请日：2012-06-07

申请人： パナソニック株式会社 ,  平野 博茂 ,  伊藤 豊 ,  石田 裕之 ,  石川 和弘

发明人： 平野　博茂 ,  伊藤　豊 ,  石田　裕之 ,  石川　和弘

IPC分类号： H01L23/12 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L23/532

CPC分类号： H01L23/53238 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76885 ,  H01L23/5283 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0382 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1146 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13344 ,  H01L2224/13347 ,  H01L2224/13355 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13686 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/00012

摘要： 　半導体装置は、半導体基板（２０）の上に形成された第１の絶縁膜（１）と、第１の絶縁膜（１）の上に形成された第１の配線（２）と、第１の絶縁膜（１）の上に第１の配線（２）を覆うように形成された第２の絶縁膜（３）と、第２の絶縁膜（３）の上に形成された第２の配線（３０）とを有している。第２の配線（３０）は、第２の絶縁膜（３）の上に形成されたバリア層（４）と、バリア層（４）の上に形成されためっき層（６）とを含む。バリア層（４）は、めっき層（６）の構成原子の第２の絶縁膜（３）への拡散を防止し、且つ、バリア層（４）の幅は、めっき層（６）の幅よりも大きい。

摘要翻译： 该半导体器件包括：形成在半导体衬底（20）上的第一绝缘膜（1）; 形成在第一绝缘膜（1）上的第一布线（2）; 形成在第一绝缘膜（1）上以覆盖第一布线（2）的第二绝缘膜（3）; 和形成在第二绝缘膜（3）上的第二布线（30）。 第二布线（30）包括形成在第二绝缘膜（3）上的阻挡层（4）和形成在阻挡层（4）上的镀层（6）。 阻挡层（4）防止镀层（6）的构成原子向第二绝缘膜（3）的扩散，阻挡层（4）的宽度大于镀层（6）的宽度， 。