公开(公告)号：WO2009031582A1

公开(公告)日：2009-03-12

申请号：PCT/JP2008/065870

申请日：2008-09-03

Applicant: 株式会社 アルバック ,  座間 秀昭 ,  石川 道夫 ,  角田 巧 ,  長谷川 千尋

Inventor： 座間 秀昭 ,  石川 道夫 ,  角田 巧 ,  長谷川 千尋

IPC: H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3205

CPC classification number: C23C16/18 ,  C23C16/045 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76876 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/7833

Abstract: ルテニウム含有膜と銅含有膜とを含む銅配線の低抵抗化を図り、その信頼性を向上させた半導体装置の製造方法、及び半導体装置の製造装置を提供する。一般式（１）で示される有機ルテニウム錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、凹部が形成された基板の上にＲｕ膜を形成する（ステップＳ１２）。そして、一般式（２）で示される有機銅錯体を含む原料と、還元性ガスとを用いるＣＶＤ法によって、Ｒｕ膜の上にＣｕ膜を形成し、凹部にＲｕ膜とＣｕ膜とを含む銅配線を形成する（ステップＳ１４）。

Abstract translation: 公开了一种制造半导体器件的方法，该半导体器件具有降低含有含钌膜和含铜膜的铜布线的电阻，从而提高了可靠性。 还公开了一种用于制造半导体器件的装置。 具体而言，通过使用含有通式（1）表示的有机钌络合物和还原气体的原料（步骤S12），通过CVD法在具有凹部的基板上形成Ru膜，然后将Cu膜 通过使用包含由通式（2）表示的有机铜络合物的原料和还原气体的CVD法在Ru膜上形成，从而在凹部中形成含有Ru膜和Cu膜的铜布线（步骤 S14）。

公开(公告)号：WO2006035784A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/JP2005/017772

申请日：2005-09-27

Applicant: 株式会社アルバック ,  宇部興産株式会社 ,  渡部 幹雄 ,  座間 秀昭 ,  角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  綿貫 耕平

Inventor： 渡部 幹雄 ,  座間 秀昭 ,  角田 巧 ,  長谷川 千尋 ,  綿貫 耕平

IPC: C23C16/18 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/285 ,  C07F7/18

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C23C16/18 ,  H01L21/76841

Abstract: [PROBLEMS] To provide a process for forming low-resistance copper-containing film at low temperature by CVD method. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] A copper-containing film is formed by CVD method on a barrier layer made from an organometallic raw material gas and a reducing gas by the use of a copper complex represented by the general formula (I) which has a ß-diketonato ligand represented by the general formula (I)': (I)' (I-I) (I) wherein Z is hydrogen or alkyl of 1 to 4 carbon atoms; X is a group represented by the general formula (I-I) (wherein R

Abstract translation: [问题]提供通过CVD法在低温下形成低电阻含铜膜的工艺。 解决问题的手段通过使用由通式（I）表示的铜络合物的有机金属原料气体和还原气体制成的阻挡层，通过CVD法形成含铜膜，该铜络合物具有ß （I）'（II）（I）表示的由通式（I）'表示的二酮配位体：其中Z为氢或1至4个碳原子的烷基; X是由通式（I-I）表示的基团（其中R

公开(公告)号：WO2006035591A1

公开(公告)日：2006-04-06

申请号：PCT/JP2005/016712

申请日：2005-09-12

Applicant: 株式会社アルバック ,  渡部 幹雄 ,  座間 秀昭

Inventor： 渡部 幹雄 ,  座間 秀昭

IPC: H01L21/3205 ,  H01L23/52 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  C07C49/92 ,  C07F1/08

CPC classification number: H01L21/28556 ,  C07C49/92 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/045 ,  C23C16/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: ＣＶＤ法により、埋め込み性、下地層との密着性に優れた銅配を形成するために、ホール等が形成された基板表面上に、原料として４価のアミド素バナジウム有機金属ガスまた、 還元性ガスとしてターシャリーブチルヒドラジン等を用いて、ＣＶＤ法によりＶ又はＴｉ含有膜からなる下地層を形成し、この上に、銅含有膜を形成し、ホール等を埋め込み、配線を形成する。半導体産業における銅配線の分野に適用可能。

Abstract translation: 为了通过CVD工艺形成具有优异的填充性能和对基底层的粘合性的铜布线，在基板表面上形成由含V或膜的膜构成的基底层，该基底表面设置有孔 通过使用四价酰胺型钒有机金属气体作为原料的CVD法和叔丁基肼等作为还原气体，在其上形成含铜膜，从而填充孔等， 形成布线。 这种形成方法可以应用于半导体工业中的铜布线领域。