투명 전극 및 투명 전극 형성 방법
    8.
    发明申请
    투명 전극 및 투명 전극 형성 방법 审中-公开
    透明电极和形成透明电极的方法

    公开(公告)号:WO2016208963A1

    公开(公告)日:2016-12-29

    申请号:PCT/KR2016/006619

    申请日:2016-06-22

    Inventor: 김태근 김경헌

    CPC classification number: H01L31/0224 H01L31/18 Y02P70/521

    Abstract: 본 발명은 투명 전극 및 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극 형성 방법은 일정한 간격으로 서로 이격되도록, 저항 변화 물질로 저항 변화 돌출부를 형성하고, 각 저항 변화 돌출부마다 일일이 포밍 공정을 수행하여 그 내부에 전도성 필라멘트를 형성하여 저항 상태를 고저항 상태에서 저저항 상태로 변화시킴으로써, 반도체 기판 전체에 균일하게 전도성 필라멘트가 형성된 투명전극을 형성할 수 있다. 따라서, 반도체 기판과 양호한 오믹 접촉을 형성하면서 반도체 기판 전체에 균일하게 전류를 주입할 수 있어 전류 확산 효율을 향상시킬 수 있다.

    Abstract translation: 公开了透明电极和形成透明电极的方法。 根据本发明的优选实施方案,形成透明电极的方法可以形成透明电极,该透明电极具有均匀地形成在整个半导体衬底上的导电细丝,该透明电极通过形成具有可变电阻材料的可变电阻突起,该电阻突起与每个 然后以预定间隔进行其他处理,然后对每个可变电阻突起进行形成处理,以在其中形成导电丝,以将电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态。 因此,可以在与半导体衬底进行良好的欧姆接触的同时将电流均匀地注入整个半导体衬底,从而提高电流扩散效率。

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