公开(公告)号：WO2018110833A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：PCT/KR2017/012444

申请日：2017-11-03

Applicant: 주식회사 웨이비스

Inventor： 이상민 ,  최철순 ,  송명근 ,  정연국 ,  구황섭 ,  김현제 ,  정희석

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/768 ,  H01L21/28 ,  H01L21/027 ,  H01L29/40 ,  H01L21/288

CPC classification number: H01L21/027 ,  H01L21/28 ,  H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L29/40 ,  H01L29/778

Abstract: 본 발명은 고전자이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 기판의 상부에 순차적층되는 채널층, 장벽층 및 보호층과, 보호층의 개구 부분을 통해 노출되는 보호층의 하부층에 접촉되는 소스 전극, 드레인 전극 및 게이트 전극을 포함하는 고전자이동도 트랜지스터에 있어서, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 상부를 노출시키도록 상기 보호층 및 게이트 전극의 상부 전면에 위치하는 패시베이션층과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 각각의 상부에 위치하는 소스 전극 패드와 드레인 전극 패드와, 상기 소스 전극 패드에 연결되어 상기 게이트 전극 상의 상기 패시베이션층으로 연장된 전기도금 필드 플레이트를 포함한다.