公开(公告)号：WO2018208112A1

公开(公告)日：2018-11-15

申请号：PCT/KR2018/005411

申请日：2018-05-11

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 나문경 ,  강인호 ,  김상철 ,  문정현 ,  방욱 ,  석오균

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L21/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/324 ,  H01L29/45

Abstract: 본 발명은 반도체와 금속 사이에 형성되는 오믹접촉 및 오믹접촉 형성방법에 있어서, 탄화규소 기판 상부에 니켈층 및 티타늄층을 적층하는 단계와; 열처리를 통해 니켈/티타늄 오믹접촉을 형성하는 단계를 포함하는 것을 기술적 요지로 한다. 이에 의해 본 발명의 오믹접촉은 탄화규소와 우수한 반응성을 통해 니켈실리사이드의 형성이 용이하며, 카본 클러스터의 형성이 방지되어 균일한 계면을 가지는 효과를 얻을 수 있다.

公开(公告)号：WO2018194336A1

公开(公告)日：2018-10-25

申请号：PCT/KR2018/004407

申请日：2018-04-17

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 석오균 ,  강인호 ,  김상철 ,  김형우 ,  나문경 ,  문정현 ,  방욱

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/872

Abstract: 본 발명은 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 낮은 턴-온 전압을 가질 뿐만 아니라 역방향 특성을 향상시킬 수 있는 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 실리콘카바이드 기판의 상부에 에피택시얼층, 폴리실리콘, 산화막 및 포토레지스트를 차례대로 형성하는 제1단계; 포토레지스트를 패터닝하여 포토레지스트패턴을 형성한 후, 포토레지스트패턴으로 산화막을 식각하여 산화막패턴을 형성하는 제2단계; 산화막패턴으로 폴리실리콘을 식각하여 폴리실리콘패턴을 형성하고, 포토레지스트패턴을 제거하는 제3단계; 산화막패턴으로 에피택시얼층 바닥 영역을 소정의 깊이로 식각하여 에피택시얼패턴을 형성한 후, 산화막패턴을 제거하여 트렌치를 완성하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘을 이용한 실리콘카바이드 트렌치 쇼트키 배리어 다이오드 및 이의 제조방법을 기술적 요지로 한다.

公开(公告)号：WO2021049801A1

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：PCT/KR2020/011654

申请日：2020-08-31

Applicant: 한국전기연구원

Inventor： 문정현 ,  강인호 ,  김상철 ,  김형우 ,  나문경 ,  방욱 ,  석오균

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/16 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/324 ,  H01L21/265 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78

Abstract: 본 발명은 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 본 발명의 트렌치 게이트형 SiC MOSFET 디바이스는, SiC 기판(예, n형 4H-SiC 기판)에 형성된 게이트 트렌치를 덮는 게이트 산화막, 상기 게이트 트렌치 영역에서 상기 게이트 산화막 하부에 형성된 도핑된 웰(예, BPW), 상기 게이트 산화막이 덮인 상기 게이트 트렌치 내부에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극 위에 형성된 층간절연막, 상기 기판의 에피택셜층의 전면에 형성된 소스 영역을 위한 도핑층의 상면과 상기 층간절연막의 상면을 덮는 소스 전극 및 상기 기판의 배면에 형성된 드레인 전극을 포함한다.

公开(公告)号：WO2011034272A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/KR2010/003053

申请日：2010-05-14

Applicant: 한국전기연구원 ,  박효열 ,  안명상 ,  나문경

Inventor： 박효열 ,  안명상 ,  나문경

IPC: H05B3/10

CPC classification number: H05B6/6482

Abstract: 본 발명은 전기를 이용하는 전자레인지나 전기오븐 등의 조리기에 관한 것으로서, 특히 전기를 이용하는 조리기에 있어서, 내부에 그릴히터가 구비된 전기를 이용하는 조리기에 있어서, 상기 그릴히터의 조리영역으로 향하는 전면에 적외선 방사층을 코팅하는 것을 특징으로 하는 적외선 방사층이 코팅된 조리기를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 그릴히터의 조리영역으로 향하는 전면에 적외선 방사층을 코팅하여 소형 경량의 조리기를 제공할 수 있으며, 조리영역으로 적외선 방사가 이루어져 에너지를 절약하면서 신속한 조리를 수행할 수 있는 이점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种烹调器，例如微波炉，电烤箱等，其使用电烹饪食物。 更具体地，本发明的关键技术特征涉及一种炊具，该炊具涂覆有红外辐射层，其使用电烹饪食物，并且其内部设置有格栅加热器，其中红外辐射层涂覆在 格栅加热器的前表面朝向烹饪器的烹饪区域。 因此，本发明提供了一种小型轻型炊具，其中，朝向炊具的烹饪区域的格栅加热器的前表面被涂覆有红外辐射层，并且红外线照射到烹饪区域，从而有助于快速和 节能烹饪。

公开(公告)号：WO2011034271A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/KR2010/003042

申请日：2010-05-14

Applicant: 한국전기연구원 ,  박효열 ,  안명상 ,  나문경

Inventor： 박효열 ,  안명상 ,  나문경

IPC: H05B3/10 ,  F24C7/06

CPC classification number: H05B6/6482 ,  F24C7/06

Abstract: 본 발명은 전기를 이용하는 전자레인지나 전기오븐 등의 조리기에 관한 것으로서, 특히 전기를 이용하는 조리기에 있어서, 발열플레이트와; 상기 발열플레이트에 접합형성된 히터와; 상기 발열플레이트 전면에 코팅형성된 적외선 방사층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 적외선 방사층이 코팅된 조리기를 기술적 요지로 한다. 이에 의해 히터에 접합형성된 발열플레이트에 적외선 방사층을 코팅하여 소형 경량의 조리기를 제공할 수 있으며, 적외선 방사층이 코팅된 발열플레이트가 평판형으로 형성되어 균일하고 신속한 적외선 방사가 가능하여 신속한 조리를 수행할 수 있는 이점이 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种烹调器，例如微波炉，电烤箱等，其使用电烹饪食物。 更具体地，本发明的关键技术特征涉及一种炊具，包括：加热板; 加热器结合到加热板上; 以及涂覆在加热板的前表面上的红外辐射层。 因此，本发明提供了一种小型轻质的炊具，其中结合到加热器的加热板涂覆有红外辐射层，并且涂覆有红外辐射层的加热板形成为平坦的形状，使得能够均匀和快速 辐射红外线，从而促进快速烹饪。