公开(公告)号：WO2021241903A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：PCT/KR2021/005617

申请日：2021-05-04

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 송윤흡 ,  김봉석 ,  남인호

IPC: H01L27/11575 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L27/11582 ,  G11C8/14 ,  H01L21/768 ,  G11C16/04 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02

Abstract: 집적화를 도모하는 3차원 플래시 메모리와 그 제조 방법이 개시된다. COP(Cell on Peripheral circuit) 구조가 적용된 3차원 플래시 메모리는, 상기 COP 구조에 따라 주변 회로의 적어도 하나의 트랜지스터가 형성된 기판; 상기 적어도 하나의 트랜지스터의 상부로부터 일 방향으로 연장 형성되는 적어도 하나의 메모리 셀 스트링; 및 상기 적어도 하나의 트랜지스터 및 상기 적어도 하나의 메모리 셀 스트링에 의해 공통으로 사용되는 공통 소스 라인을 포함한다.

公开(公告)号：WO2021246664A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：PCT/KR2021/005621

申请日：2021-05-04

Applicant: 한양대학교 산학협력단

Inventor： 송윤흡 ,  김봉석 ,  심재민 ,  최선준

IPC: H01L27/11582 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L21/285 ,  H01L21/768 ,  H01L27/1159 ,  H01L27/11592 ,  H01L27/11597 ,  H01L27/11568

Abstract: 누설 전류를 개선하는 3차원 플래시 메모리 및 기판이 개시된다. 3차원 플래시 메모리는 기판 상 일 방향으로 연장 형성되는 스트링-상기 스트링은 상기 일 방향으로 연장 형성되는 채널층 및 상기 채널층을 감싸도록 상기 일 방향으로 연장 형성되는 전하 저장층을 포함함-; 상기 스트링의 상단 또는 하단에 수직으로 연결되는 적어도 하나의 선택 라인(Selection Line); 및 상기 적어도 하나의 선택 라인의 상부 또는 하부에 위치한 채 상기 스트링에 수직으로 연결되는 복수의 워드 라인들을 포함하고, 상기 채널층은, 산화물 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 한다.