公开(公告)号：WO2015028263A1

公开(公告)日：2015-03-05

申请号：PCT/EP2014/066796

申请日：2014-08-05

Applicant: ABB TECHNOLOGY AG

Inventor： BOTAN, Virgiliu ,  VOBECKY, Jan ,  STIEGLER, Karlheinz

IPC: H01L29/74 ,  H01L29/10 ,  H01L29/08 ,  H01L29/06 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/744 ,  H01L29/0638 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/0834 ,  H01L29/0839 ,  H01L29/102 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/66363 ,  H01L29/74

Abstract: The invention relates to a bipolar non-punch-through power semiconductor device (1) and a corresponding manufacturing method. The device comprises a semiconductor wafer (2) and a first electrode (35) formed on a first main side (3) of the wafer and a second electrode (45) formed on a second main side (4) of the wafer opposite the first main side. The wafer comprises a pair of layers of different conductivity types, such as a drift layer (5) of a first conductivity type, and a first layer (6) of a second conductivity type arranged on the drift layer towards the first main side and contacting the first electrode. The wafer comprises an inner region (7) and an outer region (8) surrounding the inner region. The drift layer has a thickness (561) in the inner region greater than, or equal to, a thickness (562) in the outer region. A thickness of the first layer increases linearly over a transition region (11) between the inner region and the outer region from a thickness (615) of a first section (61) of the first layer in the inner region to a maximum thickness (625) in the outer region with a width of the transition region greater than 5 times said thickness of the first section of the first layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种双极非穿通功率半导体器件（1）及相应的制造方法。 该装置包括半导体晶片（2）和形成在晶片的第一主侧（3）上的第一电极（35）和形成在与第一主体相对的晶片的第二主侧（4）上的第二电极（45） 主要方面 晶片包括一对不同导电类型的层，例如第一导电类型的漂移层（5）和布置在漂移层上朝向第一主侧的第二导电类型的第一层（6），并且接触 第一个电极。 晶片包括内部区域（7）和围绕内部区域的外部区域（8）。 漂移层在内部区域具有大于或等于外部区域中厚度（562）的厚度（561）。 第一层的厚度从内部区域和外部区域之间的过渡区域（11）在内部区域中从第一层的第一部分（61）的厚度（615）线性上升到最大厚度（625 ），其中过渡区域的宽度大于第一层的第一部分的厚度的5倍。