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1.发明申请
公开(公告)号：WO2020260546A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/067967
申请日：2020-06-25
Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , ALEDIA , UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Inventor： DAUDIN, Bruno-Jules , CHIKHAOUI, Walf , GRUART, Marion
Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication de diodes électroluminescentes comprenant la formation d'éléments semiconducteurs tridimensionnels (26), s'étendant selon des axes parallèles, en un composé lll-V, comprenant chacun une portion inférieure (62) et une portion supérieure (64) évasée inscrite dans un tronc de cône de demi-angle au sommet a. Le procédé comprend en outre, pour chaque élément semiconducteur, la formation d'une zone active (40) recouvrant le sommet de la portion supérieure et la formation d'au moins une couche semiconductrice (44) du composé lll-V recouvrant la zone active par dépôt sous phase vapeur à une pression inférieure à 10 mPa, en utilisant un flux de l'élément du du groupe III selon une direction inclinée d'un angle θ III et un flux de l'élément du groupe V selon une direction inclinée d'un angle θ ν par rapport à l'axe vertical, les angles θ III et θ V étant inférieurs strictement à l'angle α.
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公开(公告)号：WO2022069431A1
公开(公告)日：2022-04-07
申请号：PCT/EP2021/076573
申请日：2021-09-28
Applicant: ALEDIA
Inventor： DAANOUNE, Mehdi , CHIKHAOUI, Walf
Abstract: La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant des premières, deuxièmes, et troisièmes diodes électroluminescentes tridimensionnelles à configuration axiale. Chaque diode électroluminescente comprend un élément semiconducteur (20, 22, 24), et une région active reposant sur l'élément semiconducteur. Chaque élément semiconducteur correspond à un microfil, un nanofil, un élément conique ou tronconique de taille nanométrique ou micrométrique. Les premières, deuxièmes, et troisièmes diodes électroluminescentes sont configurées pour émettre respectivement des premier, deuxième, et troisième rayonnements à des première, deuxième, et troisième longueurs d'onde. Les éléments semiconducteurs des premières, deuxièmes, et troisièmes diodes électroluminescentes ont respectivement des premier, deuxième, et troisième diamètres (D1, D2, D3). Le premier diamètre (D1) est inférieur au deuxième diamètre (D2) et le deuxième diamètre (D2) est inférieur au troisième diamètre (D3), la première longueur d'onde étant supérieure à la troisième longueur d'onde et la deuxième longueur d'onde étant supérieure à la première longueur d'onde.
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公开(公告)号：WO2021009426A1
公开(公告)日：2021-01-21
申请号：PCT/FR2020/051119
申请日：2020-06-26
Applicant: ALEDIA
Inventor： CHIKHAOUI, Walf , KUMARESAN, Vishnuvartan , GILET, Philippe
Abstract: Dispositif optoélectronique (10) comprenant une pluralité de pixels (11) comportant chacun au moins un sous-pixel primaire (lia) comprenant une diode électroluminescente primaire (111) formée sur une face support (110) d'un substrat (101), dotée d'une première portion semiconductrice primaire (112) ayant une forme globalement filaire allongée comportant une extrémité sommitale (112a), une couche d'accommodation de paramètres de maille primaire (113) agencée sur l'extrémité sommitale (112a) de la première portion semiconductrice primaire (112), une deuxième portion semiconductrice active primaire (114) agencée au moins sur la couche d'accommodation de paramètres de maille primaire (113), une troisième portion semiconductrice primaire (115) agencée sur la deuxième portion semiconductrice active primaire (114), dans lequel la couche d'accommodation de paramètres de maille primaire (113) présente, avec la deuxième portion semiconductrice active primaire (114), une première différence de paramètres de maille primaire comprise entre 2.12% et 0.93 % par rapport à la deuxième portion semiconductrice active primaire (114).
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Patent Agency Ranking4.发明申请
公开(公告)号：WO2020260549A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/067970
申请日：2020-06-25
Applicant: ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Inventor： GRUART, Marion , DAUDIN, Bruno-Jules , CHIKHAOUI, Walf
Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (10) comprenant des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant la formation d'éléments semiconducteurs tridimensionnels (26), s'étendant selon des axes parallèles, en un composé lll-V, avec une polarité de l'élément du groupe III, le procédé comprenant en outre, pour chaque élément semiconducteur, la formation d'une zone active (40) recouvrant l'élément semiconducteur et un empilement (42) de couches semiconductrices recouvrant la zone active, la zone active étant formée par dépôt sous phase vapeur à basse pression et comprenant des puits quantiques (50) séparés par des couches barrières (52), chaque puits quantique (50) comprenant un alliage ternaire comprenant un premier élément du groupe III, l'élément du groupe V, et un second élément du groupe III, le rapport entre le flux atomique des éléments du groupe III et le flux atomique de l'élément du groupe V étant compris entre 1 et 1,8.
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公开(公告)号：WO2022258731A1
公开(公告)日：2022-12-15
申请号：PCT/EP2022/065627
申请日：2022-06-09
Applicant: ALEDIA
Inventor： KUMARESAN, Vishnuvarthan , CHIKHAOUI, Walf , GRUART, Marion , GILET, Philippe , AMSTATT, Benoit
Abstract: L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une LED 3D comprenant des formations des parties axiales (2) suivantes, selon (z) : - une partie inférieure (21), - une région active (22) prenant appui sur la partie inférieure (21), - une partie supérieure (23) prenant appui sur la région active (22), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre une formation d'une partie radiale (3), comprenant : - une couche de blocage de porteurs (31, 32) s'étendant au contact de la base (220) ou du sommet (221) de la région active (22), et couvrant totalement des parois (212, 222) d'une partie axiale (2, 21, 22), ladite formation radiale étant intercalée entre deux formations axiales successives. L'invention a également pour objet une LED 3D comprenant des parties axiales et des parties radiales alternées.
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6.发明申请DISPOSITIF OPTOELECTRONIQUE A DIODES ELECTROLUMINESCENTES A COURANT DE FUITE REDUIT 审中-公开具有减少漏电流的发光二极管的光电器件
公开(公告)号：WO2015097260A1
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：PCT/EP2014/079266
申请日：2014-12-23
Applicant: ALEDIA
Inventor： BAVENCOVE, Anne-Laure , NAPIERALA, Jérôme , CHIKHAOUI, Walf , AMSTATT, Benoît
CPC classification number: H01L33/18 , H01L33/0033 , H01L33/08 , H01L33/145 , H01L33/24 , H01L33/44
Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique (40) comprenant des diodes électroluminescentes (DEL), chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur (20) filaire, conique ou tronconique ayant des flancs latéraux (24) et un sommet (25), et une coque (26) comprenant au moins une couche active recouvrant l'élément semiconducteur, adaptée à émettre un rayonnement et recouverte d'au moins une couche semiconductrice, la coque comprenant une première partie (39) recouvrant le sommet et se prolongeant par une deuxième partie (38) recouvrant au moins partiellement les flancs latéraux; une couche conductrice (30) recouvrant la couche semiconductrice de la coque de chaque diode électroluminescente; et des moyens (42) pour réduire ou annuler le passage de porteurs de charges entre la couche conductrice et la couche semiconductrice au niveau de la première partie de la coque ou entre la couche active et l'élément semiconducteur au niveau de la première partie de la coque, lesdits moyens étant caractérisés par une portion conductrice (62) interposée entre la couche conductrice (30) et la couche semiconductrice (47) au niveau de la première partie (39) de la coque (26) et adaptée à former un contact Schottky avec la première partie de la coque (26), ou caractésisés par la couche semiconductrice (46, 47) comprenant une concentration de dopants supérieure ou égale à 5.10 19 atomes/cm 3 .
Abstract translation: 本发明涉及包括发光二极管（LED）的光电子器件（40），每个发光二极管包括具有侧面（24）和顶部（25）的锥形或截头圆锥形的线状半导体元件（20） 以及壳体（26），其包括覆盖所述半导体元件的至少一个有源层，所述有源层适于发射辐射并被至少一个半导电层覆盖，所述壳体包括覆盖所述顶部并延伸第二部分的第一部分（39） 至少部分地覆盖侧面的部分（38）; 覆盖每个发光二极管的壳体的半导体层的导电层（30）; 以及用于在所述壳体的第一部分处减小或阻止所述导电层和所述半导体层在所述壳体的第一部分处或所述有源层和所述半导电层之间的通过的装置（42） 所述装置的特征在于在外壳（26）的第一部分（39）处插入在导电层（30）和半导体层（47）之间的导电部分（62），并且适合于与壳体（26）形成肖特基接触 壳体（26）的第一部分，或其特征在于，半导电层（46,47）包括不低于5.1019原子/ cm3的掺杂剂的浓度。
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7.发明申请
公开(公告)号：WO2020260548A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/067969
申请日：2020-06-25
Applicant: ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Inventor： GRUART, Marion , DAUDIN, Bruno-Jules , CHIKHAOUI, Walf
Abstract: La présente description concerne un dispositif optoélectronique (55) comprenant une ou des diodes électroluminescentes (DEL), chaque diode électroluminescente comprenant un élément semiconducteur tridimensionnel (26), une zone active (40) reposant sur l'élément semiconducteur tridimensionnel et un empilement (42) de couches semiconductrices (44, 46, 48) recouvrant la zone active, la zone active comprenant une pluralité de puits quantiques (50), ledit empilement étant au contact physique direct de plusieurs des puits quantiques.
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公开(公告)号：WO2020260541A1
公开(公告)日：2020-12-30
申请号：PCT/EP2020/067959
申请日：2020-06-25
Applicant: ALEDIA , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , UNIVERSITE GRENOBLE ALPES
Inventor： DAUDIN, Bruno-Jules , CHIKHAOUI, Walf , GRUART, Marion , GILET, Philippe
Abstract: La présente description concerne un procédé de fabrication d'un dispositif optoélectronique (60) comprenant des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant la formation d'éléments semiconducteurs tridimensionnels (26) en un composé III-V comprenant chacun une portion inférieure (62) et une portion supérieure (64), et, pour chaque élément semiconducteur, la formation d'une zone active (40) recouvrant le sommet (30) de la portion supérieure et la formation d'au moins une couche semiconductrice (44) du composé III-V recouvrant la zone active. Les portions supérieures sont formées par dépôt sous phase vapeur à une pression inférieure à 1,33 mPa.
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