公开(公告)号：WO2018002497A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/FR2017/051692

申请日：2017-06-26

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  ALEDIA

Inventor： AMSTATT, Benoit ,  DUPONT, Florian ,  HENAFF, Ewen ,  HYOT, Bérangère

IPC: C30B23/02 ,  C30B23/04 ,  C30B29/60 ,  C30B25/04 ,  C30B25/18 ,  H01L21/02

Abstract: L'invention porte sur une structure de nucléation (10) adaptée à la croissance épitaxiale d'éléments semiconducteurs tridimensionnels (31), comportant : - un substrat (11) comprenant un matériau monocristallin formant une surface de croissance (13); - une pluralité de portions intermédiaires (14) en un matériau cristallin intermédiaire épitaxié à partir de ladite surface de croissance (13) et définissant une surface intermédiaire supérieure (15); - une pluralité de portions de nucléation (16), en un matériau comprenant un métal de transition formant un matériau cristallin de nucléation, épitaxié chacune à partir de la surface intermédiaire supérieure (15), et définissant une surface de nucléation (17) adaptée à la croissance épitaxiale d'un élément semiconducteur tridimensionnel.

Abstract translation: 本发明涉及合适的成核结构（10）。 三维半导体元件（31）的外延生长，包括： - 包括形成生长表面（13）的单晶材料的衬底（11）;以及 - - 多个＆oacute; 的中间部分（14）转变为缩写的中间晶体材料 ＆Agrave; 从所述生长表面（13）并且限定上部中间表面（15）; - 多个＆oacute; 在包含形成结晶成核材料的过渡金属的材料中的成核部分（16），＃ 每个＆gt; 从上部中间表面（15）移除，并限定合适的成核表面（17）; 三维半导体元件的空间生长。

公开(公告)号：WO2014064263A2

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/EP2013/072424

申请日：2013-10-25

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ALEDIA

Inventor： HYOT, Bérangère ,  AMSTATT, Benoit ,  ARMAND, Marie-Françoise ,  DUPONT, Florian

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L21/02609 ,  B82Y20/00 ,  B82Y40/00 ,  C30B25/005 ,  C30B25/183 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B29/403 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02614 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02653 ,  H01L21/02658 ,  H01L22/12 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/16 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Le procédé de croissance d'au moins un nanofil (3) semi-conducteur, ledit procédé de croissance comporte une étape de formation, au niveau d'un substrat (1), d'une couche de nucléation (2) pour la croissance du nanofil (3) et une étape de croissance du nanofil (3). L'étape de formation de la couche de nucléation (2) comporte les étapes suivantes: le dépôt sur le substrat (1) d'une couche d'un métal de transition (4) choisi parmi Ti, V, Cr, Zr, Nb, Mo, Hf, Ta; la nitruration d'au moins une partie (2) de la couche de métal de transition de sorte à former une couche de métal de transition nitruré présentant une surface destinée à la croissance du nanofil (3).

Abstract translation: 本发明涉及一种用于生长至少一个半导体纳米线（2）的方法，包括形成步骤，其中在基底（1）上形成成核层（2）以便生长纳米线（3），并且纳米线 （3）生长步骤。 成核层（2）形成步骤包括以下步骤：沉积在选自Ti，V，Cr，Zr，Nb，Mo，Hf，Ta中的过渡金属层的基板（1）上; 过渡金属层的至少部分（2）的氮化，以形成具有用于生长纳米线（3）的表面的过渡氮化物金属层。

公开(公告)号：WO2018002498A1

公开(公告)日：2018-01-04

申请号：PCT/FR2017/051693

申请日：2017-06-26

Applicant: ALEDIA ,  COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES

Inventor： DUPONT, Florian ,  AMSTATT, Benoit ,  BEIX, Vincent ,  LACAVE, Thomas ,  GILET, Philippe ,  HENAFF, Ewen ,  HYOT, Bérangère ,  BONO, Hubert

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L27/1446 ,  H01L27/156 ,  H01L31/02005 ,  H01L31/022408 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/06 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/385 ,  H01L33/42 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: L'invention porte sur un dispositif optoélectronique (1), comportant : ‐ un support, comportant des faces opposées dites arrière (3a) et avant (3b); ‐ une pluralité de bandes conductrices de nucléation (6i) formant des premières électrodes de polarisation; ‐ une couche isolante intermédiaire (7) recouvrant les bandes conductrices de nucléation (6i); ‐ une pluralité de diodes (2), chacune comportant une première portion dopée (9) tridimensionnelle et une seconde portion dopée (11); ‐ une pluralité de bandes conductrices supérieures (14j) formant des secondes électrodes de polarisation, reposant sur la couche isolante intermédiaire (7), chaque bande conductrice supérieure (14j) étant agencée de manière à être au c o n t a c t d e s e c o n d e s portions dopées (11) d'un ensemble de diodes (2) dont les premières portions dopées (9) sont au contact de différentes bandes conductrices de nucléation (6i).

Abstract translation: 本发明涉及一种光电子器件（1），包括：支撑件，包括被称为后部（3a）和前部（3b）的相对的面; - 多个＆oacute; 成核导体条（6i）形成第一极化电极; 覆盖导电成核带（6i）的中间绝缘层（7）; - 多个＆oacute; 二极管（2），每个二极管具有三维的第一掺杂部分（9）和第二掺杂部分（11）; - 多个＆oacute; 形成第二极化电极的上导电条（14j），搁置在中间绝缘层（7）上，每个上导电条（14j）以这样的方式布置 ; 并且包含一组二极管（2）的第二掺杂部分（11），该组二极管的第一掺杂部分（9）与不同的导电核带（6i）接触。

公开(公告)号：WO2022258731A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/EP2022/065627

申请日：2022-06-09

Applicant: ALEDIA

Inventor： KUMARESAN, Vishnuvarthan ,  CHIKHAOUI, Walf ,  GRUART, Marion ,  GILET, Philippe ,  AMSTATT, Benoit

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une LED 3D comprenant des formations des parties axiales (2) suivantes, selon (z) : - une partie inférieure (21), - une région active (22) prenant appui sur la partie inférieure (21), - une partie supérieure (23) prenant appui sur la région active (22), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre une formation d'une partie radiale (3), comprenant : - une couche de blocage de porteurs (31, 32) s'étendant au contact de la base (220) ou du sommet (221) de la région active (22), et couvrant totalement des parois (212, 222) d'une partie axiale (2, 21, 22), ladite formation radiale étant intercalée entre deux formations axiales successives. L'invention a également pour objet une LED 3D comprenant des parties axiales et des parties radiales alternées.

公开(公告)号：WO2016087634A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/078640

申请日：2015-12-04

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ALEDIA

Inventor： DUPONT, Florian ,  AMSTATT, Benoit ,  HYOT, Bérangère

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/02491 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/0676 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/1852 ,  H01L31/1856 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  Y02E10/544

Abstract: Le dispositif électronique comprend un substrat (1), au moins un élément filaire semi-conducteur (2) formé par un nitrure d'un matériau du groupe III et une couche électriquement conductrice (3) interposée entre le substrat (1) et ledit au moins un élément filaire semi-conducteur (2). Ledit au moins un élément filaire semi-conducteur (2) s'étend à partir de ladite couche électriquement conductrice (3), et la couche électriquement conductrice (3) comporte un carbure de zirconium ou un carbure de hafnium.

Abstract translation: 本发明涉及一种电子设备，包括基板（1），由III族材料的氮化物形成的至少一个半导体导线元件（2）和插入在基板（1）之间的导电层（3） 并且所述至少一个半导电线元件（2）。 所述至少一个半导电线元件（2）从所述导电层（3）延伸，并且所述导电层（3）包括碳化锆或碳化铪。

公开(公告)号：WO2014064264A2

公开(公告)日：2014-05-01

申请号：PCT/EP2013/072426

申请日：2013-10-25

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  ALEDIA

Inventor： HYOT, Bérangère ,  AMSTATT, Benoit ,  ARMAND, Marie-Françoise ,  DUPONT, Florian

IPC: H01L29/40

CPC classification number: H01L29/0676 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y99/00 ,  C30B25/005 ,  C30B25/183 ,  C30B29/16 ,  C30B29/36 ,  C30B29/40 ,  C30B29/406 ,  C30B29/605 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/401 ,  H01L29/413 ,  H01L29/6609 ,  H01L33/04 ,  H01L33/12 ,  H01L33/16 ,  H01L33/24 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/932

Abstract: Le dispositif électronique comprend un substrat (1), au moins un nanofil (2) semi-conducteur et une couche tampon (3) interposée entre le substrat (1) et ledit nanofil (2). La couche tampon (3) est formée au moins en partie par une couche de métal de transition nitruré (9) à partir de laquelle s'étend le nanofil (2), ledit métal de transition nitruré étant choisi parmi: le nitrure de vanadium, le nitrure de chrome, le nitrure de zirconium, le nitrure de niobium, le nitrure de molybdène, le nitrure de hafnium, ou le nitrure de tantale.

Abstract translation: 电子器件包括衬底（1），设置在衬底（1）和纳米线（2）之间的至少一个半导体纳米线（2）和缓冲层（3）。 缓冲层（3）至少部分地由纳米线（2）延伸的过渡氮化金属（9）层形成，所述过渡氮化物金属选自：氮化钒，氮化铬，氮化锆，铌 氮化物，氮化钼，氮化铪或氮化钽。