公开(公告)号：WO2021009426A1

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：PCT/FR2020/051119

申请日：2020-06-26

Applicant: ALEDIA

Inventor： CHIKHAOUI, Walf ,  KUMARESAN, Vishnuvartan ,  GILET, Philippe

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/16

Abstract: Dispositif optoélectronique (10) comprenant une pluralité de pixels (11) comportant chacun au moins un sous-pixel primaire (lia) comprenant une diode électroluminescente primaire (111) formée sur une face support (110) d'un substrat (101), dotée d'une première portion semiconductrice primaire (112) ayant une forme globalement filaire allongée comportant une extrémité sommitale (112a), une couche d'accommodation de paramètres de maille primaire (113) agencée sur l'extrémité sommitale (112a) de la première portion semiconductrice primaire (112), une deuxième portion semiconductrice active primaire (114) agencée au moins sur la couche d'accommodation de paramètres de maille primaire (113), une troisième portion semiconductrice primaire (115) agencée sur la deuxième portion semiconductrice active primaire (114), dans lequel la couche d'accommodation de paramètres de maille primaire (113) présente, avec la deuxième portion semiconductrice active primaire (114), une première différence de paramètres de maille primaire comprise entre 2.12% et 0.93 % par rapport à la deuxième portion semiconductrice active primaire (114).

公开(公告)号：WO2016001200A1

公开(公告)日：2016-01-07

申请号：PCT/EP2015/064798

申请日：2015-06-30

Applicant: ALEDIA

Inventor： MERCIER, Frédéric ,  GILET, Philippe ,  HUGON, Xavier

IPC: H01L25/16 ,  H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H05B33/08 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/62 ,  B82Y20/00

CPC classification number: H01L25/167 ,  H01L27/153 ,  H01L33/08 ,  H01L33/18 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/385 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73257 ,  H05B33/083 ,  H01L2924/00014

Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique (5) comprenant un premier circuit intégré (6) qui comprend: un support, ayant première et deuxième faces opposées; ainsi que des groupes (G 1 , G 2 , G 3 ) d'ensembles de diodes électroluminescentes reposant sur la première face. Le circuit intégré (6) comprend, en outre: dans le support, des premiers éléments (52) d'isolation électrique latérale de portions du support autour de chaque ensemble; et, sur la deuxième face, pour chaque groupe, au moins un premier plot conducteur (46 1 , 46 2 , 46 3 ) relié à la première borne du groupe et un deuxième plot conducteur (48 1 , 48 2 , 48 3 ) relié à la deuxième borne du groupe. Le dispositif comprend un deuxième circuit intégré (7) comprenant: troisième et quatrième faces opposées; et des troisièmes plots conducteurs (70) sur la troisième face reliés électriquement aux premiers et deuxièmes plots conducteurs, le premier circuit intégré étant fixé sur la troisième face du deuxième circuit intégré.

Abstract translation: 本发明涉及一种包括第一集成电路（6）的光电子器件（5），该第一集成电路（6）包括： - 具有第一和第二相对表面的衬底; 和放置在第一表面上的发光二极管组（G1，G2，G3）。 集成电路（6）还包括： - 在衬底中，用于使每个组件周围的衬底的电绝缘部分的第一侧面元件（52） 以及 - 对于所述第二表面上的每个组，连接到所述组的第一端子的至少一个第一导电触点（461,462,463）和连接到所述第二表面的一个第二导电触点（481,482,483） 该组的终端。 该装置包括第二集成电路（7），其包含： - 第三和第四相对表面; 和 - 第三导电触点（70），其位于第三表面上并电连接到第一和第二导电触点。 第一集成电路附接到第二集成电路的第三表面上。

公开(公告)号：WO2014184487A1

公开(公告)日：2014-11-20

申请号：PCT/FR2014/051111

申请日：2014-05-13

Applicant: ALEDIA ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： GILET, Philippe ,  TCHELNOKOV, Alexei ,  ROBIN, Ivan-Christophe

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/04 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L31/0352 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/20 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/20 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/0264 ,  H01L31/035227 ,  H01L31/035281 ,  H01L31/1804 ,  H01L33/0016 ,  H01L33/005 ,  H01L33/04 ,  H01L33/08 ,  H01L33/14 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/343

Abstract: L'invention concerne un dispositif optoélectronique et son procédé de fabrication. Le dispositif optoélectronique (45) suivant l'invention comprend notamment: - un substrat (46) semiconducteur dopé d'un premier type de conductivité; - des plots semiconducteurs (18) ou une couche semiconductrice sur une face (16) du substrat dopés, respectivement dopée, d'un second type de conductivité opposé au premier type; et - des éléments semiconducteurs (24), chaque élément semiconducteur étant en contact avec un plot ou avec la couche.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电器件及其制造方法。 根据本发明的光电子器件（45）特别包括：掺杂有第一类导电性的半导体衬底（46）; 半导体接触焊盘（18）或衬底的表面（16）上的半导体层，其分别掺杂有与第一类型相反的第二类型的导电性; 和半导体元件（24），每个半导体元件与接触垫或该层接触。

公开(公告)号：WO2022258731A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/EP2022/065627

申请日：2022-06-09

Applicant: ALEDIA

Inventor： KUMARESAN, Vishnuvarthan ,  CHIKHAOUI, Walf ,  GRUART, Marion ,  GILET, Philippe ,  AMSTATT, Benoit

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44

Abstract: L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'une LED 3D comprenant des formations des parties axiales (2) suivantes, selon (z) : - une partie inférieure (21), - une région active (22) prenant appui sur la partie inférieure (21), - une partie supérieure (23) prenant appui sur la région active (22), ledit procédé étant caractérisé en ce qu'il comprend en outre une formation d'une partie radiale (3), comprenant : - une couche de blocage de porteurs (31, 32) s'étendant au contact de la base (220) ou du sommet (221) de la région active (22), et couvrant totalement des parois (212, 222) d'une partie axiale (2, 21, 22), ladite formation radiale étant intercalée entre deux formations axiales successives. L'invention a également pour objet une LED 3D comprenant des parties axiales et des parties radiales alternées.

公开(公告)号：WO2022129250A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/EP2021/086030

申请日：2021-12-15

Applicant: ALEDIA

Inventor： DAANOUNE, Mehdi ,  NAPIERALA, Jérôme ,  KUMARESAN, Vishnuvarthan ,  GILET, Philippe ,  MARRA, Marjorie

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/44 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/08

Abstract: La présente description concerne un dispositif optoélectronique (10) comprenant un réseau (15) de diodes électroluminescentes axiales (LED) comprenant chacune une zone active (20) configurée pour émettre un rayonnement électromagnétique dont le spectre d'émission comprend un maximum à une première longueur d'onde. Le dispositif comprend, en outre, pour chaque diode électroluminescente, une gaine (23) transparente audit rayonnement en un premier matériau entourant les parois latérales de la diode électroluminescente sur au moins une partie de la diode électroluminescente, chaque gaine ayant une épaisseur supérieure à 10 nm. Le dispositif comprend, en outre, entre les gaines, une couche (24) transparente au rayonnement en un deuxième matériau, différent du premier matériau, le deuxième matériau étant isolant électriquement, le réseau formant un cristal photonique.

公开(公告)号：WO2020104495A1

公开(公告)日：2020-05-28

申请号：PCT/EP2019/081872

申请日：2019-11-20

Applicant: ALEDIA

Inventor： ROBIN, Ivan-Christophe ,  HUGON, Xavier ,  GILET, Philippe ,  DUPONT, Tiphaine

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/08 ,  H01L33/10 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/14 ,  H01L33/02 ,  H01L33/50 ,  H01L33/00

Abstract: L'invention a pour objet une diode électroluminescente (100) comprenant une première région (1) par exemple de type P formée dans une première couche (10) et formant, selon une direction normale à un plan basal, un empilement avec une deuxième région (2) comprenant au moins un puit quantique formée dans une deuxième couche (20), et comprenant une troisième région (3) par exemple de type N s'étendant selon la direction normale au plan, en bordure et au contact des première et deuxième régions (1, 2), au travers des première et deuxième couches (10, 20). L'invention a également pour objet un procédé de fabrication d'une diode électroluminescente (100) dans lequel la troisième région (3) est formée par implantation dans et au travers des première et deuxième couches (10, 20).

公开(公告)号：WO2018122358A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：PCT/EP2017/084781

申请日：2017-12-28

Applicant: ALEDIA

Inventor： TAN, Wei Sin ,  GILET, Philippe

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/50 ,  H01L33/18 ,  H01L33/24

Abstract: The invention relates to an optoelectronic device (5) comprising light-emitting diodes (LED), each light-emitting diode comprising a semiconductor element (22) corresponding to a nanowire, a microwire, and/or a nanometer- or micrometer-range pyramidal structure, and a shell (24) at least partially covering the semiconductor element and adapted to emit a radiation and for each light-emitting diode, a photoluminescent coating (28R, 28G, 28B) comprising a single quantum well, multiple quantum wells or an heterostructure, covering at least part of the shell and in contact with the shell or with the semiconductor element and adapted to convert by optical pumping the radiation emitted by the shell into another radiation.

公开(公告)号：WO2017093646A1

公开(公告)日：2017-06-08

申请号：PCT/FR2016/053122

申请日：2016-11-28

Applicant: COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES ,  ALEDIA

Inventor： ZHANG, Xin ,  DAUDIN, Bruno-Jules ,  GAYRAL, Bruno ,  GILET, Philippe

IPC: H01L33/18 ,  H01L33/08 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/18 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/08 ,  H01L33/32

Abstract: L'invention porte sur un dispositif optoélectronique (1) comportant au moins une structure semiconductrice tridimensionnelle (2) s'étendant suivant un axe longitudinal (Δ) sensiblement orthogonal à un plan d'un substrat (3) sur lequel elle repose, et comportant : une première portion dopée (10), s'étendant à partir d'une face du substrat (3) suivant l'axe longitudinal (Δ); une portion active (30) comportant une couche de passivation (34) et au moins un puits quantique (32) recouvert latéralement par ladite couche de passivation (34), le puits quantique (32) de la portion active (30) présentant un diamètre moyen supérieur à celui de ladite première portion dopée (10), ladite portion active (30) s'étendant à partir de la première portion dopée (10) suivant l'axe longitudinal (Δ); et une seconde portion dopée (20), s'étendant à partir de la portion active (30) suivant l'axe longitudinal (Δ); caractérisé en ce que le dispositif comporte une pluralité de structures semiconductrices tridimensionnelles (2) s'étendant de manière sensiblement parallèle les unes aux autres, dont les portions actives (30) sont en contact mutuel.

Abstract translation: 本发明涉及一种光电装置（1），其包括沿着基本正交的纵向轴线（Δ）延伸的至少一个三维半导体结构（2）。 （3）的平面上，并且包括：延伸的第一掺杂部分（10） 从衬底（3）的一侧沿着纵向轴线（Δ）延伸; 具有钝化层（34）和至少一个量子阱的有源部分（30）（32）覆盖的LATé拨浪鼓通过所述钝化层（34），所述活性部的量子阱（32）（30）PRé 具有平均上部直径; 所述第一掺杂部分（10）的所述有源部分（30）延伸到所述第一掺杂部分 从所述第一掺杂部分（10）沿所述纵向轴线（Δ）移动; 和延伸的第二掺杂部分（20） 从所述有效部分（30）沿所述纵向轴线（Δ）移动; 字符＆eacute; RIS＆eacute; 因为该装置包括多个ο; 三维半导体结构（2）基本上彼此平行地延伸，其活动部分（30）彼此接触。

公开(公告)号：WO2021009458A1

公开(公告)日：2021-01-21

申请号：PCT/FR2020/051259

申请日：2020-07-10

Applicant: ALEDIA

Inventor： GILET, Philippe ,  KUMARESAN, Vishnuvartan

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/18 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/08

Abstract: Dispositif optoélectronique (10) comprenant un substrat (101), au moins une première diode électroluminescente (110) et au moins une deuxième diode électroluminescente (210), chaque première diode électroluminescente (110) comprenant une première partie semi-conductrice dopée primaire (110a), une première partie semi-conductrice active secondaire (110c), une première partie semi-conductrice dopée tertiaire (110e), chaque deuxième diode électroluminescente (210) comprenant une deuxième partie semi- conductrice dopée primaire (210a), une deuxième partie semi- conductrice active secondaire (210c), une deuxième partie semi- conductrice dopée tertiaire (210e), une première partie latérale externe (110b) étant configurée pour permettre à la première espèce atomique de diffuser jusqu'à ce que la première partie semi- conductrice active secondaire (110c) atteigne une concentration atomique en indium comprise entre 13% et 20%, une deuxième partie latérale externe (210b) étant configurée pour permettre à la première espèce atomique de diffuser jusqu'à ce que la deuxième partie semi- conductrice active secondaire (210c) atteigne une concentration atomique en indium comprise entre 20% et 40%.

公开(公告)号：WO2018122355A1

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：PCT/EP2017/084778

申请日：2017-12-28

Applicant: ALEDIA

Inventor： CHIO, Zheng-Sung ,  TAN, Wei Sin ,  BEIX, Vincent ,  GILET, Philippe ,  TCHOULFIAN, Pierre

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/18 ,  H01L33/08

Abstract: The invention relates to a method of manufacturing an optoelectronic device (10), comprising the successive steps of: • a) providing a substrate at least partially made of a semiconductor material and having first and second opposite faces; • b) forming light-emitting diodes (16) on the substrate, each light- emitting diode comprising a semiconductor microwire or nanowire (46) covered by a shell; • c) forming an encapsulation layer (50) surrounding the light-emitting diodes; • d) forming conductive pads (18) on the encapsulation layer, on the side of the encapsulation layer opposite to the substrate, in contact with the light-emitting diodes; and • e) forming through openings (26) in the substrate from the side of the second face, said openings being opposite at least part of the light-emitting diodes and delimiting walls (28) in the substrate.