Abstract:
L'invention concerne un dispositif électroluminescent (10) comprenant : un substrat (14) au moins partiellement dopé d'un premier type de conductivité et comprenant une face (18); des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant chacune au moins un élément semiconducteur tridimensionnel (20) non dopé ou dopé du premier type de conductivité et reposant sur ladite face; et des régions semiconductrices (19) formant des photodiodes (PH), au moins partiellement dopées d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s 'étendant dans le substrat depuis ladite face entre au moins certains des éléments semiconducteurs tridimensionnels, une portion (32) du substrat du premier type de conductivité s 'étendant jusqu'à ladite face (18) au niveau de chaque élément semiconducteur tridimensionnel.
Abstract:
L'invention concerne un dispositif optoélectronique (50) comprenant des éléments semiconducteurs (20), chaque élément semiconducteur reposant sur un support (16) au travers d'une ouverture (54) formée dans une portion (52), dont au moins une première partie est isolante et recouvrant au moins partiellement le support, la hauteur (H) de l'ouverture étant supérieure ou égale à 100 nm et inférieure ou égale à 3000 nm et le rapport entre la hauteur (H) et le plus petit diamètre de l'ouverture (L) étant supérieur ou égal à 0,5 et inférieur ou égal à 10.
Abstract:
La présente description concerne un procédé de traitement d'une région (75) d'un dispositif optoélectronique (Pix) comprenant en outre un substrat (76) adjacent à la région à traiter (75). Le dispositif optoélectronique comprend, dans la région à traiter, des éléments programmables configurés pour être modifiés lorsqu'ils sont exposés à un faisceau laser. Le procédé comprend l'exposition d'au moins l'un des éléments programmables au faisceau laser focalisé au travers du substrat.
Abstract:
L'invention concerne un dispositif électroluminescent (10) comprenant un substrat (14) au moins partiellement dopé d'un premier type de conductivité et comprenant une première face (18), des diodes électroluminescentes (DEL) comprenant chacune au moins un élément semiconducteur tridimensionnel (20) non dopé ou dopé du premier type de conductivité, les éléments semiconducteurs reposant sur une première partie (30) continue de la première face et au moins une région semiconductrice (19, 44) formant une photodiode (PH), au moins partiellement dopée d'un deuxième type de conductivité opposé au premier type de conductivité et s 'étendant dans le substrat depuis une deuxième partie de la première face distincte de la première partie.
Abstract:
Dispositif optoélectronique pour affichage lumineux et procédé de fabrication Dispositif optoélectronique (10) pour affichage lumineux, comprenant : un support (11); un élément lumineux (13) comprenant au moins une première électrode (13d); une pluralité d'éléments conducteurs primaires (22); des éléments conducteurs secondaires (12); un premier élément électriquement isolant (16), dans lequel pour ledit au moins un élément lumineux (13), au moins une première portion de mise en connexion (12a) d'au moins un des éléments conducteurs secondaires (12) correspondant audit élément lumineux (13) est formée dans tout ou partie d'une première empreinte (30) obtenue dans le premier élément électriquement isolant (16), la première portion de mise en connexion (12a) de l'élément conducteur secondaire (12) étant en contact de la première électrode (13d).
Abstract:
La fabrication d'un dispositif optoélectronique (10) comporte la formation de diodes électroluminescentes (11) de formes filaires et la formation de parois d'espacement (14) transparente au rayonnement lumineux (16) en provenance des diodes (11). Les flancs latéraux (111) de chaque diode (11) sont entourés par au moins l'une des parois d'espacement (14). Des parois de confinement lumineux (17) recouvrent directement les flancs latéraux (141) des parois d'espacement (14) en étant à leur contact.Le rayonnement (16) en provenance de chaque diode (11) et dirigé en direction des diodes (11) adjacentes est bloqué par la paroi de confinement (17). Les bordures supérieures (112) des diodes (11) sont recouvertes par le matériau de confinement lumineux de sorte à assurer une extraction lumineuse par la face arrière du dispositif optoélectronique (10). Un dispositif optoélectronique (10) en tant que tel est aussi décrit.
Abstract:
La fabrication d'un dispositif optoélectronique (10) comporte la formation de diodes électroluminescentes (11) où chacune présente une forme filaire, la formation de parois d'espacement (14) réalisées dans un premier matériau diélectrique et transparent au rayonnement lumineux (16) en provenance des diodes (11). Les flancs latéraux (111) de chaque diode (11)sont entourés par des parois d'espacement (14). Des parois de confinement lumineux (17) sont formées dans un deuxième matériau apte à bloquer le rayonnement lumineux (16) en provenance des diodes (11). Les parois de confinement lumineux (17) recouvrent directement les flancs latéraux (141) des parois d'espacement (14) en étant à leur contact. Une couche mince (19) du deuxième matériau est déposée de sorte à recouvrir directement les flancs latéraux (141) des parois d'espacement (14) en étant à leur contact et à recouvrir la bordure supérieure (112) des diodes électroluminescentes (11).Les espaces vides délimités entre les parois d'espacement (14) au niveau des zones (18) entre les diodes électroluminescentes (11) sont aussi remplis par la couche mince (19).
Abstract:
Un dispositif optoélectronique (10) comprend un substrat (11) et une pluralité d'ensembles (D,) de diodes électroluminescentes (DEL,) où chaque ensemble (D,) comprend une pluralité de diodes électroluminescentes (DEL,), une première électrode inférieure, une seconde électrode supérieure, un composant électronique d'un circuit électronique (16,) formé dans une première portion (14,, 14',) de substrat (11), du côté de la face (13) du substrat (11) ne portant pas les diodes électroluminescentes, et un premier moyen conducteur formé à travers la première portion (14,, 14',) et connectant électriquement une première borne du composant électronique à l'une des première et seconde électrodes. Le premier moyen conducteur d'un ensemble (D,) donné est électriquement isolé des premiers moyens conducteurs des autres ensembles (D,).
Abstract:
L'invention concerne un procédé de fabrication d'un ensemble d'émetteurs de lumière comportant chacun une structure émettrice et un contact électrique (35), le procédé comportant des étapes de : - fourniture d'une plaque portant un ensemble de structures émettrices, chaque structure émettrice étant configurée pour émettre un premier rayonnement lorsqu'un courant électrique circule à travers la structure émettrice, et - fabrication, pour chaque structure émettrice, d'un contact électrique (35), les contacts (35) étant électriquement isolés les uns des autres. La fabrication comporte : - la formation d'un premier ensemble d'au moins deux contacts (35) et d'au moins un conducteur (80A), les contact (35) du premier ensemble étant connectés électriquement entre eux par le ou les conducteur(s) (80A), - l'injection, pour chaque contact (35) appartenant au premier ensemble, d'un courant électrique traversant ledit contact (35) et la structure émettrice correspondante, et - l'observation d'un rayonnement émis en réponse à l'injection.
Abstract:
Il est décrit un dispositif optoélectronique (10) où chaque diode électroluminescente (11) présente une forme filaire. Des parois d'espacement (14) sont formées de sorte que les flancs latéraux de chaque diode électroluminescente (11) sont entourés par au moins l'une des parois d'espacement (14). Des parois de confinement lumineux (17) recouvrent directement les flancs latéraux (141) des parois d'espacement (14) en étant à leur contact. Les parois d'espacement (14) présentent une face externe de forme convexe. Au moins l'une desdites parois d'espacement (14) présente, sur une partie inférieure (PI), une épaisseur qui augmente en s'éloignant du substrat (13). Elles présentent, sur une partie supérieure (PS), une épaisseur qui diminue au niveau de la bordure supérieure (112) de la diode électroluminescente (11) en s'éloignant du substrat (13). Les parois de confinement lumineux (17) présentent une face interne (172) ayant une forme concave complémentaire de ladite forme convexe et tournée vers la diode électroluminescente (11) dont elle confine le rayonnement lumineux (16).