公开(公告)号：WO2016130224A1

公开(公告)日：2016-08-18

申请号：PCT/US2015/067903

申请日：2015-12-29

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： SHAVIV, Roey ,  LAM, John ,  BOCHMAN, Timothy

IPC分类号： H01L21/288 ,  H01L21/677

CPC分类号： C25D17/001 ,  C25D3/12 ,  C25D5/10 ,  C25D5/18 ,  C25D5/50 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67769

摘要： A wafer electroplating system has at least one first electroplating chamber having a first electrolyte containing cobalt ions, and is adapted to electroplate a cobalt film onto a wafer at a first deposition rate. A second electroplating chamber has a second electrolyte containing cobalt ions, and is adapted to electroplate a cobalt film onto the wafer at a second deposition rate faster than the first deposition rate. The first and second electroplating chambers are within an enclosure of a processing system. A robot moves a wafer among the first and second electroplating chambers.

摘要翻译： 晶片电镀系统具有至少一个第一电镀室，其具有含有钴离子的第一电解质，并且适于以第一沉积速率将钴膜电镀到晶片上。 第二电镀室具有包含钴离子的第二电解质，并且适于以比第一沉积速率更快的第二沉积速率将钴膜电镀到晶片上。 第一和第二电镀室位于处理系统的外壳内。 机器人在第一和第二电镀室之间移动晶片。