公开(公告)号：WO2007107224A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/EP2007/001636

申请日：2007-02-26

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: Kontaktierungsver fahren für Halbleitermaterial (20; 30) aufweisend die Verfahrensschritte des Ausbildens (10, 12) einer elektrischen Kontakt und Haftung vermittelnden Diffusionsbarriere (22; 32; 52) auf wenigstens einem Teil der Oberfläche eines Halbleiters (20; 30; 50) und des Ausbildens (14; 15, 19) einer Metallisierung auf der Diffusionsbarriere, wobei zur Ausbildung der Diffusionsbarriere (22; 32; 52) eine metallhaltige Paste auf wenigstens einen Teil der Halbleiteroberfläche (20; 30; 50) oder auf wenigstens einen Teil einer die Halbleiteroberfläche bedeckenden Schicht (31) aufgebracht wird (10) , sowie Halbleiterbauelement mit einer in der Oberfläche des Halbleiters angeordneten, elektrischen Kontakt zwischen Halbleitermaterial (20; 30; 50) und einer Metallisierung (24; 34; 54) vermittelnden Diffusionsbarriere (22; 32; 52) und einer auf die Diffusionsbarriere (22; 32; 52) aufgebrachten Metallisierung (24; 34; 54) , bei welchem die Diffusionsbarriere (22; 32; 52) durch eine auf wenigstens einen Teil der Halbleiteroberfläche aufgebrachte und eingesinterte metallhaltige Paste (22; 32; 52) ausgebildet ist.

Abstract translation: Kontaktierungsver驱动半导体材料（20; 30）包括形成的电接触和粘附促进扩散阻挡层的步骤（10，12）上的至少一个半导体的表面的一部分（22; 52; 32）（20; 30; 50）和所述 形成（14; 15，19）上的扩散阻挡层的金属化的，其中，用于形成所述扩散阻挡层（22; 32; 52）一个在所述半导体表面的至少一部分膏含有金属的（20; 30; 50）上或至少一个半导体表面的一部分 覆盖在半导体的表面设置有层（31）施加（10），以及半导体器件，所述半导体材料（20; 30; 50）之间的电接触和金属化（24; 34; 54）促进扩散阻挡物（22; 32; 52）和一个（上扩散阻挡22; 32; 52）施加金属化（24; 34; 54），其中，所述扩散阻挡层（22; 32; 52）通过一 UF至少施加在半导体表面的一部分和烧结含金属膏（22; 32; 52）形成。

公开(公告)号：WO2010010462A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：PCT/IB2009/006367

申请日：2009-07-27

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  HOLBIG, Eva-Maria ,  SCHMIDT, Michael ,  KELLER, Steffen ,  FATH, Peter ,  SCHLOSSER, Reinhold

Inventor： KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  HOLBIG, Eva-Maria ,  SCHMIDT, Michael ,  KELLER, Steffen ,  FATH, Peter ,  SCHLOSSER, Reinhold

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Method for producing solar cells with a two-stage doping (9, 11) comprising the method steps of heavy doping (50) of at Ieast a part of the solar cell substrate (1), of at least temporarily protecting doped areas (8), in which heavily doped areas (9) of the two-stage doping (9, 11) should be formed, from an etching medium and etching back (54; 62, 64; 72, 74) unprotected doped areas (17) of the solar cell substrate (1) by means of the etching medium, whereby, for the purpose of protecting the doped areas, sacrificial structures (7) are ap¬ plied (52) on the areas (8) to be protected, which are at Ieast partly etched (54; 62, 64; 72, 74) during etching back (54; 62, 64; 72, 74) of the unprotected doped areas.

Abstract translation: 一种用于制造具有两级掺杂（9,11）的太阳能电池的方法，包括在太阳能电池基板（1）的一部分上重掺杂（50）至少临时保护掺杂区域（8）的方法步骤， ，其中应该从蚀刻介质形成两级掺杂（9,11）的重掺杂区域（9）并且蚀刻回（54; 62,64,72,74）未受保护的掺杂区域（17） 太阳能电池基板（1）借助于蚀刻介质，其中为了保护掺杂区域，在被保护的区域（8）上形成牺牲结构（7），它们位于Ieast 在未受保护的掺杂区域的回蚀（54; 62,64,72,74）期间部分蚀刻（54; 62,64; 72,74）。

公开(公告)号：WO2008089733A2

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/DE2008/000099

申请日：2008-01-22

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

CPC classification number: C09K3/1463 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111

Abstract: Ätzlösung (1), aufweisend Wasser, Salpetersäure, Flusssäure, und Schwefelsäure, welche 15 bis 40 Gewichtsprozent Salpetersäure, 10 bis 41 Gewichtsprozent Schwefelsäure und 0,8 bis 2,0 Gewichtsprozent Flusssäure enthält, Verwendung dieser Ätzlösung zum Ätzen von Silizium sowie Ätzverfahren für Siliziumscheiben.

Abstract translation: 蚀刻溶液（1），其包括水，硝酸，氢氟酸，和硫酸，其中含有按重量计的硝酸15％至40％，10-41重量％的硫酸和0.8〜2.0重量％的氢氟酸，使用该蚀刻液的硅和蚀刻方法的硅晶片蚀刻 ，

公开(公告)号：WO2007082760A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：PCT/EP2007/000463

申请日：2007-01-19

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

IPC: H01L21/225 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (74; 140), insbesondere einer Solarzelle (140), mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen (70, 72; 120, 122) aufweisend die Verfahrensschritte des Ausbildens (2; 14) einer die Diffusion eines Dotierstoffes hemmenden und für einen Dotierstoff durchdringbaren Schicht (58; 108) auf zumindest einem Teil (56; 106) der Oberfläche eines Halbleiterbauelementmaterials (50; 100), des wenigstens teilweises Entfernens (4;16a, 16b) der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) in wenigstens einem Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b), des Ausbildens (6; 18) einer Dotierstoff quelle (66; 116) auf der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) und in dem wenigstens einen Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b) und der Diffusion (8; 20) des Dotierstoffes aus der Dotierstoff quelle (66; 116) in das Halbleiterbauelementmaterial (50; 100) sowie dessen Ver wendung in integrierten Schaltungen, elektronischen Schaltungen, Solarzellenmodulen und zur Herstellung von Solarzellen (140) mit selektiver Emitterstruktur.

Abstract translation: ，特别是具有不同的重掺杂区域的太阳能电池（140）;包括在形成步骤（2; 14）;用于制造半导体设备（140 74）的方法（70，72 120，122）的抑制掺杂物的扩散和 上的至少一部分;半导体器件材料的表面;掺杂剂可穿透层（108 58）（56 106）（50; 100），所述至少部分地去除（4; 16A，16B）的抑制扩散层（58; 108）的至少一个 的抑制扩散层（58; 108）上;一个掺杂剂源（116 66）的高掺杂区（62; 112A，112B），形成（18 6）和在所述至少一个高掺杂区（62; 112A，112B）和扩散（ 8; 116）（在半导体装置材料50; 100）和在集成电路，电子电路及其应用版本，太阳能电池模块和Herstellun 20）从所述掺杂剂源（66中的掺杂剂的 克太阳能电池（140）具有选择性发射极结构的。

公开(公告)号：WO2011032880A1

公开(公告)日：2011-03-24

申请号：PCT/EP2010/063209

申请日：2010-09-09

Applicant: BASF SE ,  GP SOLAR GMBH ,  BRAUN, Simon ,  PRÖLß, Julian ,  MELNYK, Ihor ,  MICHEL, Michael ,  MATHIJSSEN, Stefan

Inventor： BRAUN, Simon ,  PRÖLß, Julian ,  MELNYK, Ihor ,  MICHEL, Michael ,  MATHIJSSEN, Stefan

IPC: C09K13/08 ,  H01L31/00

CPC classification number: C09K13/08 ,  C11D11/0047 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: An aqueous acidic etching solution suitable for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates and containing, based on the complete weight of the solution, 3 to 10% by weight of hydrofluoric acid; 10 to 35% by weight of nitric acid; 5 to 40% by weight of sulfuric acid; and 55 to 82% by weight of water; a method for texturing the surface of single crystal and polycrystal silicon substrates comprising the step of (1) contacting at least one major surface of a substrate with the said aqueous acidic etching solution; (2) etching the at least one major surface of the substrate for a time and at a temperature sufficient to obtain a surface texture consisting of recesses and protru- sions; and (3) removing the at least one major surface of the substrate from the contact with the aqueous acidic etching solution; and a method for manufacturing photovoltaic cells and solar cells using the said solution and the said texturing method.

Abstract translation: 一种适用于对单晶和多晶硅衬底的表面进行纹理化的含水酸性蚀刻溶液，并且基于溶液的完整重量含有3至10重量％的氢氟酸; 10至35重量％的硝酸; 5至40重量％的硫酸; 和55〜82重量％的水; 一种用于纹理化单晶和多晶硅衬底表面的方法，包括以下步骤：（1）使基底的至少一个主表面与所述酸性酸性蚀刻溶液接触; （2）蚀刻衬底的至少一个主表面一段时间并且足以获得由凹陷和凸起组成的表面纹理的温度; 和（3）将所述基材的至少一个主表面与所述酸性蚀刻溶液接触; 以及使用所述溶液和所述纹理化方法制造光伏电池和太阳能电池的方法。

公开(公告)号：WO2011135435A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/IB2011/000900

申请日：2011-04-27

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  MICHEL, Michael ,  SCHMIDT, Michael

Inventor： KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  MICHEL, Michael ,  SCHMIDT, Michael

IPC: C09K13/02 ,  H01L31/0236

CPC classification number: C09K13/02 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: Product (56) obtainable by mixing (10; 20) at least one polyethylene glycol with a base to form a single-phase mixture (52), heating (12; 22) of the single-phase mixture (52) to a temperature of 80°C and allowing the single-phase mixture (52) to rest (14) in ambient air until the single-phase mixture (52) changes colour, and also a process for the production of the product (56) and use of the product (56).

Abstract translation: 通过将（10; 20）至少一种聚乙二醇与碱混合以形成单相混合物（52）可获得的产物（56），将单相混合物（52）加热至（12; 22）至 80℃，并允许单相混合物（52）在环境空气中静置（14），直到单相混合物（52）改变颜色，以及生产产品（56）的方法和使用 产品（56）。

公开(公告)号：WO2010052545A1

公开(公告)日：2010-05-14

申请号：PCT/IB2009/007328

申请日：2009-11-05

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  MELNYK, Ihor ,  KRÜMBERG, Jens ,  SCHMIDT, Michael ,  MICHEL, Michael

Inventor： MELNYK, Ihor ,  KRÜMBERG, Jens ,  SCHMIDT, Michael ,  MICHEL, Michael

IPC: H01L21/3213 ,  C09K13/02

CPC classification number: C09K13/02 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: Product (64) obtained by mixing (10) at least one polyethylene glycol with a base, allowing resting (12) of the mixture (52) in ambient air and at a temperature of approximately 25°C to form two phases (56, 58) and separation (16) of the less dense phase (56) representing the product (64) and use of the product as additive to etching solutions.

Abstract translation: 通过将（10）至少一种聚乙二醇与碱混合得到的产物（64），允许混合物（52）在环境空气中和约25℃的温度下静置（12）以形成两相（56,58 ）和代表产品（64）的不太致密相（56）的分离（16）和产物作为蚀刻溶液的添加剂的使用。

公开(公告)号：WO2008022671A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：PCT/EP2007/006172

申请日：2007-07-12

Applicant: UNIVERSITÄT KONSTANZ ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor ,  WEFRINGHAUS, Eckard

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor ,  WEFRINGHAUS, Eckard

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Bei einem Verfahren zum Texturieren von Siliziumwafern zur Herstellung von Solarzellen wird bei dem Schritt des Einbringens eines Siliziumwafers eine Textuherlösung verwendet, die eine Temperatur von wenigstens 80 Grad Celsius aufweist und die aus Wasser versetzt mit 1 Gewichtprozent bis 6 Gewichtprozent KOH oder 2 Gewichtprozent bis 8 Gewichtprozent NaOH sowie mit einem Tensid oder einem Tensidgemisch mit weniger als 0,01 Gewichtsprozent besteht. Dadurch ist ein sehr wirtschaftliches Texturieren durchführbar.

Abstract translation: 在用于硅晶片的太阳能电池的生产的织构化的方法中，Textuherlösung在放置硅晶片，它具有至少80度的摄氏温度，并用1重量％至6重量％的KOH或2重量％混合，以8重量％的水的工序中使用 是NaOH，和用表面活性剂或具有小于0.01重量％的表面活性剂混合物。 这是一个非常经济的纹理是可行的。

公开(公告)号：WO2004100244A1

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：PCT/DE2004/000835

申请日：2004-04-22

Applicant: UNIVERSITÄT KONSTANZ ,  HAUSER, Alexander ,  MELNYK, Ihor ,  FATH, Peter

Inventor： HAUSER, Alexander ,  MELNYK, Ihor ,  FATH, Peter

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C09K13/08 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: Bei einem Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben mit den Schritten des Eintauchens der Silizium-Scheiben in einer Ätzlösung aus Wasser, konzentrierter Flusssäure und konzentrierter Salpetersäure und des Einstellens einer Temperatur für die Ätzlösung ist vorgesehen, dass die Ätzlösung anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure besteht und dass die Temperatur der Ätzlösung zwischen 0 Grad Celsius und 15 Grad Celsius liegt. Dadurch ergibt sich ein verhältnismässig hoher Wirkungsgrad aufgrund verringerter Reflexionen der Silizium-Scheiben.

Abstract translation: 在用于硅晶片的纹理化表面的方法，包括在水的蚀刻溶液中浸渍硅晶片的步骤中，浓缩的氢氟酸和浓硝酸和设置所述蚀刻溶液的温度提供了成比例的蚀刻液从20％到 55％水，10％至40％的浓氢氟酸和20％至60％的浓硝酸，并且在0摄氏度和15摄氏度之间的刻蚀溶液的温度。 这导致相对高的效率，由于硅晶片的减小反射。

公开(公告)号：WO2007107351A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/EP2007/002502

申请日：2007-03-21

Applicant: UNIVERSITÄT KONSTANZ ,  HERGUTH, Axel ,  KÄS, Martin ,  HAHN, Giso ,  MELNYK, Ihor ,  SCHUBERT, Gunnar

Inventor： HERGUTH, Axel ,  KÄS, Martin ,  HAHN, Giso ,  MELNYK, Ihor ,  SCHUBERT, Gunnar

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A method for fabricating a photovoltaic element with stabilised efficiency is proposed. The method comprises the following steps: preparing a boron-doped, oxygen-containing silicon substrate; forming an emitter layer on a surface of the silicon substrate; and a stabilisation treatment step. The stabilisation treatment step comprises keeping the temperature of the substrate during a treatment time within a selectable temperature range having a lower temperature limit of 50 °C, preferably 90 °C, more preferably 130 °C and even more preferably 160 °C and an upper temperature limit of 230 °C, preferably 210 °C, more preferably 190 °C and even more preferably 180 °C, and generating excess minority carriers in the silicon substrate during the treatment time, for example, by illuminating the substrate or by applying an external voltage. This method can be used to fabricate a photovoltaic element, e.g. a solar cell or a solar module having an efficiency which is stable at a value higher than that of photovoltaic elements fabricated without the stabilisation treatment step.

Abstract translation: 提出了一种制造稳定效率的光伏元件的方法。 该方法包括以下步骤：制备硼掺杂的含氧硅衬底; 在所述硅衬底的表面上形成发射极层; 和稳定化处理步骤。 稳定化处理步骤包括将处理时间内的基板的温度保持在温度极限为50℃，优选为90℃，更优选为130℃，甚至更优选为160℃的可选温度范围内， 温度极限为230℃，优选为210℃，更优选为190℃，进一步优选为180℃，并且在处理时间内在硅衬底中产生过量的少数载流子，例如通过照射衬底或施加 外部电压。 该方法可用于制造光电元件，例如， 太阳能电池或太阳能模块，其效率比在没有稳定化处理步骤的光电元件的值高的情况下是稳定的。