公开(公告)号：WO2007107224A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：PCT/EP2007/001636

申请日：2007-02-26

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

IPC: H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/022425 ,  Y02E10/50

Abstract: Kontaktierungsver fahren für Halbleitermaterial (20; 30) aufweisend die Verfahrensschritte des Ausbildens (10, 12) einer elektrischen Kontakt und Haftung vermittelnden Diffusionsbarriere (22; 32; 52) auf wenigstens einem Teil der Oberfläche eines Halbleiters (20; 30; 50) und des Ausbildens (14; 15, 19) einer Metallisierung auf der Diffusionsbarriere, wobei zur Ausbildung der Diffusionsbarriere (22; 32; 52) eine metallhaltige Paste auf wenigstens einen Teil der Halbleiteroberfläche (20; 30; 50) oder auf wenigstens einen Teil einer die Halbleiteroberfläche bedeckenden Schicht (31) aufgebracht wird (10) , sowie Halbleiterbauelement mit einer in der Oberfläche des Halbleiters angeordneten, elektrischen Kontakt zwischen Halbleitermaterial (20; 30; 50) und einer Metallisierung (24; 34; 54) vermittelnden Diffusionsbarriere (22; 32; 52) und einer auf die Diffusionsbarriere (22; 32; 52) aufgebrachten Metallisierung (24; 34; 54) , bei welchem die Diffusionsbarriere (22; 32; 52) durch eine auf wenigstens einen Teil der Halbleiteroberfläche aufgebrachte und eingesinterte metallhaltige Paste (22; 32; 52) ausgebildet ist.

Abstract translation: Kontaktierungsver驱动半导体材料（20; 30）包括形成的电接触和粘附促进扩散阻挡层的步骤（10，12）上的至少一个半导体的表面的一部分（22; 52; 32）（20; 30; 50）和所述 形成（14; 15，19）上的扩散阻挡层的金属化的，其中，用于形成所述扩散阻挡层（22; 32; 52）一个在所述半导体表面的至少一部分膏含有金属的（20; 30; 50）上或至少一个半导体表面的一部分 覆盖在半导体的表面设置有层（31）施加（10），以及半导体器件，所述半导体材料（20; 30; 50）之间的电接触和金属化（24; 34; 54）促进扩散阻挡物（22; 32; 52）和一个（上扩散阻挡22; 32; 52）施加金属化（24; 34; 54），其中，所述扩散阻挡层（22; 32; 52）通过一 UF至少施加在半导体表面的一部分和烧结含金属膏（22; 32; 52）形成。

公开(公告)号：WO2010010462A1

公开(公告)日：2010-01-28

申请号：PCT/IB2009/006367

申请日：2009-07-27

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  HOLBIG, Eva-Maria ,  SCHMIDT, Michael ,  KELLER, Steffen ,  FATH, Peter ,  SCHLOSSER, Reinhold

Inventor： KRÜMBERG, Jens ,  MELNYK, Ihor ,  HOLBIG, Eva-Maria ,  SCHMIDT, Michael ,  KELLER, Steffen ,  FATH, Peter ,  SCHLOSSER, Reinhold

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Method for producing solar cells with a two-stage doping (9, 11) comprising the method steps of heavy doping (50) of at Ieast a part of the solar cell substrate (1), of at least temporarily protecting doped areas (8), in which heavily doped areas (9) of the two-stage doping (9, 11) should be formed, from an etching medium and etching back (54; 62, 64; 72, 74) unprotected doped areas (17) of the solar cell substrate (1) by means of the etching medium, whereby, for the purpose of protecting the doped areas, sacrificial structures (7) are ap¬ plied (52) on the areas (8) to be protected, which are at Ieast partly etched (54; 62, 64; 72, 74) during etching back (54; 62, 64; 72, 74) of the unprotected doped areas.

Abstract translation: 一种用于制造具有两级掺杂（9,11）的太阳能电池的方法，包括在太阳能电池基板（1）的一部分上重掺杂（50）至少临时保护掺杂区域（8）的方法步骤， ，其中应该从蚀刻介质形成两级掺杂（9,11）的重掺杂区域（9）并且蚀刻回（54; 62,64,72,74）未受保护的掺杂区域（17） 太阳能电池基板（1）借助于蚀刻介质，其中为了保护掺杂区域，在被保护的区域（8）上形成牺牲结构（7），它们位于Ieast 在未受保护的掺杂区域的回蚀（54; 62,64,72,74）期间部分蚀刻（54; 62,64; 72,74）。

公开(公告)号：WO2008089733A2

公开(公告)日：2008-07-31

申请号：PCT/DE2008/000099

申请日：2008-01-22

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

CPC classification number: C09K3/1463 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/31111

Abstract: Ätzlösung (1), aufweisend Wasser, Salpetersäure, Flusssäure, und Schwefelsäure, welche 15 bis 40 Gewichtsprozent Salpetersäure, 10 bis 41 Gewichtsprozent Schwefelsäure und 0,8 bis 2,0 Gewichtsprozent Flusssäure enthält, Verwendung dieser Ätzlösung zum Ätzen von Silizium sowie Ätzverfahren für Siliziumscheiben.

Abstract translation: 蚀刻溶液（1），其包括水，硝酸，氢氟酸，和硫酸，其中含有按重量计的硝酸15％至40％，10-41重量％的硫酸和0.8〜2.0重量％的氢氟酸，使用该蚀刻液的硅和蚀刻方法的硅晶片蚀刻 ，

公开(公告)号：WO2007082760A1

公开(公告)日：2007-07-26

申请号：PCT/EP2007/000463

申请日：2007-01-19

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor

IPC: H01L21/225 ,  H01L27/142 ,  H01L31/0224

CPC classification number: H01L31/068 ,  H01L21/2255 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements (74; 140), insbesondere einer Solarzelle (140), mit unterschiedlich stark dotierten Bereichen (70, 72; 120, 122) aufweisend die Verfahrensschritte des Ausbildens (2; 14) einer die Diffusion eines Dotierstoffes hemmenden und für einen Dotierstoff durchdringbaren Schicht (58; 108) auf zumindest einem Teil (56; 106) der Oberfläche eines Halbleiterbauelementmaterials (50; 100), des wenigstens teilweises Entfernens (4;16a, 16b) der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) in wenigstens einem Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b), des Ausbildens (6; 18) einer Dotierstoff quelle (66; 116) auf der diffusionhemmenden Schicht (58; 108) und in dem wenigstens einen Hochdotierungsbereich (62; 112a, 112b) und der Diffusion (8; 20) des Dotierstoffes aus der Dotierstoff quelle (66; 116) in das Halbleiterbauelementmaterial (50; 100) sowie dessen Ver wendung in integrierten Schaltungen, elektronischen Schaltungen, Solarzellenmodulen und zur Herstellung von Solarzellen (140) mit selektiver Emitterstruktur.

Abstract translation: ，特别是具有不同的重掺杂区域的太阳能电池（140）;包括在形成步骤（2; 14）;用于制造半导体设备（140 74）的方法（70，72 120，122）的抑制掺杂物的扩散和 上的至少一部分;半导体器件材料的表面;掺杂剂可穿透层（108 58）（56 106）（50; 100），所述至少部分地去除（4; 16A，16B）的抑制扩散层（58; 108）的至少一个 的抑制扩散层（58; 108）上;一个掺杂剂源（116 66）的高掺杂区（62; 112A，112B），形成（18 6）和在所述至少一个高掺杂区（62; 112A，112B）和扩散（ 8; 116）（在半导体装置材料50; 100）和在集成电路，电子电路及其应用版本，太阳能电池模块和Herstellun 20）从所述掺杂剂源（66中的掺杂剂的 克太阳能电池（140）具有选择性发射极结构的。

公开(公告)号：WO2008022671A1

公开(公告)日：2008-02-28

申请号：PCT/EP2007/006172

申请日：2007-07-12

Applicant: UNIVERSITÄT KONSTANZ ,  FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor ,  WEFRINGHAUS, Eckard

Inventor： FATH, Peter ,  MELNYK, Ihor ,  WEFRINGHAUS, Eckard

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L21/306

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Bei einem Verfahren zum Texturieren von Siliziumwafern zur Herstellung von Solarzellen wird bei dem Schritt des Einbringens eines Siliziumwafers eine Textuherlösung verwendet, die eine Temperatur von wenigstens 80 Grad Celsius aufweist und die aus Wasser versetzt mit 1 Gewichtprozent bis 6 Gewichtprozent KOH oder 2 Gewichtprozent bis 8 Gewichtprozent NaOH sowie mit einem Tensid oder einem Tensidgemisch mit weniger als 0,01 Gewichtsprozent besteht. Dadurch ist ein sehr wirtschaftliches Texturieren durchführbar.

Abstract translation: 在用于硅晶片的太阳能电池的生产的织构化的方法中，Textuherlösung在放置硅晶片，它具有至少80度的摄氏温度，并用1重量％至6重量％的KOH或2重量％混合，以8重量％的水的工序中使用 是NaOH，和用表面活性剂或具有小于0.01重量％的表面活性剂混合物。 这是一个非常经济的纹理是可行的。

公开(公告)号：WO2004100244A1

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：PCT/DE2004/000835

申请日：2004-04-22

Applicant: UNIVERSITÄT KONSTANZ ,  HAUSER, Alexander ,  MELNYK, Ihor ,  FATH, Peter

Inventor： HAUSER, Alexander ,  MELNYK, Ihor ,  FATH, Peter

IPC: H01L21/306

CPC classification number: H01L21/67086 ,  C09K13/08 ,  H01L31/02363 ,  Y02E10/50

Abstract: Bei einem Verfahren zum Texturieren von Oberflächen von Silizium-Scheiben mit den Schritten des Eintauchens der Silizium-Scheiben in einer Ätzlösung aus Wasser, konzentrierter Flusssäure und konzentrierter Salpetersäure und des Einstellens einer Temperatur für die Ätzlösung ist vorgesehen, dass die Ätzlösung anteilig aus 20% bis 55% Wasser, 10% bis 40% konzentrierter Flusssäure und 20% bis 60% konzentrierter Salpetersäure besteht und dass die Temperatur der Ätzlösung zwischen 0 Grad Celsius und 15 Grad Celsius liegt. Dadurch ergibt sich ein verhältnismässig hoher Wirkungsgrad aufgrund verringerter Reflexionen der Silizium-Scheiben.

Abstract translation: 在用于硅晶片的纹理化表面的方法，包括在水的蚀刻溶液中浸渍硅晶片的步骤中，浓缩的氢氟酸和浓硝酸和设置所述蚀刻溶液的温度提供了成比例的蚀刻液从20％到 55％水，10％至40％的浓氢氟酸和20％至60％的浓硝酸，并且在0摄氏度和15摄氏度之间的刻蚀溶液的温度。 这导致相对高的效率，由于硅晶片的减小反射。

公开(公告)号：WO2008055518A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：PCT/EP2006/010635

申请日：2006-11-07

Applicant: GP SOLAR GMBH ,  MCCANN, Michelle ,  STRUEMPEL, Claudia ,  KNAUSS, Holger ,  LEMP, Engelbert ,  FATH, Peter

Inventor： MCCANN, Michelle ,  STRUEMPEL, Claudia ,  KNAUSS, Holger ,  LEMP, Engelbert ,  FATH, Peter

IPC: H01L31/0224 ,  H01L21/74

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von versenkten Kontaktstrukturen in einem Siliciumwafer für Solarzellen. Um ein Verfahren zur Herstellung von versenkten Kontaktstrukturen in einem Siliciumwafer für Solarzellen bereitzustellen, das auf fertigungstechnisch einfache und damit kostengünstige Weise durchgeführt werden kann und die Herstellung von Solarzellen mit einem höheren Wirkungsgrad erlaubt, wird vorgeschlagen, dass das Verfahren die nachfolgenden Verfahrensschritte umfasst: a) Einbringen eines Grabens mit einer Breite b und mit einer Tiefe t in eine Oberfläche einer Vorderseite des Siliciumwafers unter einem Winkel alpha zur Normalen der Oberfläche; b) Maskieren der bei senkrechter Draufsicht auf die Vorderseite sichtbaren Bereiche der Oberfläche des Siliciumwafers durch Ablagerung einer elektrisch nichtleitenden Schicht mittels gerichteter Abscheidung; c) Einbringen von elektrisch leitfähigem Material in den Graben.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造在用于太阳能电池的硅晶片浸没接触结构的方法。 为了在用于可在制造技术上简单，因此价格低廉的方式进行的太阳能电池的硅晶片的制备埋头接触结构提供方法，以及太阳能电池的制造中可以允许有较高的效率，所以建议的方法包括以下步骤：a） 引入沟槽具有宽度b和以相对于表面法线的角度α的硅晶片的前侧的表面的深度t; B）掩蔽在通过沉积由定向沉积的装置的一个非导电层的硅晶片的表面的部分的垂直平面图中的前侧的可见; c）将导电材料到所述沟槽。

公开(公告)号：WO2008119330A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/DE2008/000519

申请日：2008-03-28

Applicant: SOLMIC GMBH ,  FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian ,  SCHICKLE, Karl

Inventor： FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian ,  SCHICKLE, Karl

IPC: C01B33/037 ,  C22B9/02

CPC classification number: C22B9/14 ,  C01B33/037 ,  C22B9/02 ,  Y02P10/234

Abstract: Verfahren zur Schmelzenreinigung, bei welchem aufeinanderfolgende Reinigungszonen (3; 23; 43a, 43b) durch die Schmelze (1) hindurchgeführt werden, wobei in den Reinigungszonen (3; 23; 43a; 43b) Temperaturen ausgebildet werden, die entweder alle über der Temperatur in der übrigen Schmelze (1) liegen oder alle unterhalb der Temperatur in der übrigen Schmelze (1) liegen, sowie Schmelzereinigungsvorrichtungen.

Abstract translation: （; 23; 43A; 43B 3）形成温度，这要么全部具有在温度（; 23 43A，43B 3）通过熔融物（1），其中，在所述清洗区通过一种用于熔融纯化，其中连续清洗区处理 熔融的其余部分（1）中的所有或低于在熔体中（1）位于其余部分的温度，以及熔体净化装置。

公开(公告)号：WO2008119331A2

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：PCT/DE2008/000520

申请日：2008-03-28

Applicant: SOLMIC GMBH ,  FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian

Inventor： FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht ,  STADLER, Maximilian

IPC: B01J19/08 ,  C01B33/025

CPC classification number: C01B33/025

Abstract: Carbothermisches Reduktionsverfahren, bei welchem aus einem ersten Edukt und Kohlenstoff mittels carbothermischer Reduktion in einem Tiegel (30) ein Produkt gewonnen wird, wobei während der carbothermischen Reduktion wenigstens zeitweise einem in dem Tiegel (30) befindlichen Materialgemenge (36) mindestens ein Reaktionspartner zugeführt wird (10), welcher mit wenigstens einer in dem ersten Edukt (36) oder dem Kohlenstoff (36) vorhandenen Verunreinigung derart reagiert, dass diese in eine gasförmige Verbindung (44) überführt wird sowie Vorrichtungen zur Durchführung dieses Verfahrens.

Abstract translation: 碳热还原过程，其中，在坩埚（30）的第一反应物和碳碳热还原的产物被回收，其中，在位于所述碳热还原至少临时形成在坩埚（30）母料（36）被供给到至少一个反应物（ 10），其（与至少一个（在第一反应物36）或现有的36）杂质的碳以这样的方式，该反应（在气态化合物44）被传送，以及用于执行此方法的设备。

公开(公告)号：WO2007079789A1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：PCT/EP2006/007885

申请日：2006-08-09

Applicant: SCHEUTEN SOLAR HOLDING BV ,  FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht

Inventor： FATH, Peter ,  MOZER, Albrecht

IPC: C01B33/037 ,  C01B33/02 ,  C01B33/021 ,  C01B33/025 ,  B22D27/04 ,  H01L31/00 ,  C30B11/00

CPC classification number: H01L31/1804 ,  C30B11/00 ,  C30B29/06 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: Verfahren zur Herstellung von solartauglichem Silizium, aufweisend die Verfahrensschritte des Aufschmelzens von Silizium und des gerichteten Erstarrens der Schmelze, wobei bei dem gerichteten Erstarren eine Kristallisationsfront ausgebildet wird, welche die Form wenigstens eines Abschnittes einer Kugeloberfläche aufweist.

Abstract translation: 一种用于生产太阳能级硅的方法，包括硅的熔化和熔融物的定向固化的步骤，由此所述定向凝固，其具有球形表面的至少一个部分的形式过程中形成的结晶前处理。