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    パターン形成方法、上層膜形成用組成物、及び下層膜形成用組成物
    6.
    发明申请
    パターン形成方法、上層膜形成用組成物、及び下層膜形成用組成物 审中-公开
    形成图案的方法，形成上层膜的组合物和形成下层膜的组合物

    公开(公告)号：WO2008015969A1

    公开(公告)日：2008-02-07

    申请号：PCT/JP2007/064756

    申请日：2007-07-27

    Applicant: JSR株式会社 ,  杉田 光 ,  松村 信司 ,  清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

    Inventor： 杉田 光 ,  松村 信司 ,  清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

    IPC: G03F7/26 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38

    CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/265

    Abstract: 　電子線（以下、ＥＢと略称する）、Ｘ線、極紫外線（以下、ＥＵＶと略称する）による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、（１）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、（２）マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、（３）前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、（４）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、（５）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。

    Abstract translation: 适合于用电子束（以下简写为EB），X射线或极紫外（以下简称为EUV）形成精细图案的图案形成方法。 该方法按以下顺序包括以下步骤：（1）在基材上形成含有辐射敏感酸产生剂的下层膜，该下层膜产生酸，并固化; （2）通过掩模对下层膜照射辐射的步骤，以选择性地在被辐射的下层膜的那些区域中产生酸; （3）在下层膜上形成不含有辐射敏感性酸发生剂的上层膜，其中含有通过酸作用聚合或交联的组合物的上层膜; （4）在与产生酸的下层膜的那些区域相对应的上层膜的那些区域中选择性地形成聚合或交联/固化膜的步骤; 和（5）除去上层膜的与没有产生酸的下层膜的那些区域对应的那些区域的步骤。

    パターン形成方法及びそれに用いる有機薄膜形成用組成物
    7.
    发明申请
    パターン形成方法及びそれに用いる有機薄膜形成用組成物 审中-公开
    形成用于形成有机薄膜的图案和组合物的方法

    公开(公告)号：WO2008001679A1

    公开(公告)日：2008-01-03

    申请号：PCT/JP2007/062538

    申请日：2007-06-21

    Applicant: JSR株式会社 ,  清水 大輔 ,  杉田 光 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

    Inventor： 清水 大輔 ,  杉田 光 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

    IPC: G03F7/26 ,  G03F7/004

    CPC classification number: C07D333/18 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/265

    Abstract: 　（１）基板上に、（Ｃ）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤又は（Ｄ）放射線の照射により塩基を発生する感放射線性塩基発生剤を含有する下層膜を形成する工程と、（２）下層膜に、所定のパターンを有するマスクを介して放射線を照射して下層膜を露光させ、所定のパターンで選択的に露光された露光下層膜部分を形成する工程と、（３）下層膜上に（Ｅ）有機薄膜を形成して、露光下層膜部分と、露光下層膜部分上に形成された有機薄膜を化学的に結合させる工程と、（４）下層膜のうちの露光下層膜部分以外の部分上に形成された有機薄膜を除去する工程と、を有するパターン形成方法である。

    Abstract translation: 一种形成图案的方法，包括以下步骤：（1）在基底上形成含有能够在暴露于辐射线时产生酸的放射线敏感性酸产生剂（C）的底层膜或辐射敏感基质 能够在暴露于辐射线时产生碱的发生剂（D）; （2）通过具有给定图案的掩模的辐射线照射下层膜，从而获得下层膜的曝光，从而获得通过给定图案选择性曝光的曝光下层膜部分; （3）在下层膜上形成有机薄膜（E），以使得曝光的下层膜部分与形成在曝光的下层膜部分上的有机薄膜化学结合; 以及（4）去除在露出的下层膜部以外的下层膜的区域上形成的有机薄膜。

    酸解離性基含有化合物及び感放射線性組成物
    8.
    发明申请
    酸解離性基含有化合物及び感放射線性組成物 审中-公开
    含酸分子的化合物和辐射敏感性组合物

    公开(公告)号：WO2007094436A1

    公开(公告)日：2007-08-23

    申请号：PCT/JP2007/052784

    申请日：2007-02-15

    Applicant: JSR株式会社 ,  清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  松村 信司 ,  丸山 研

    Inventor： 清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  松村 信司 ,  丸山 研

    IPC: C07C43/23 ,  C07C69/734 ,  C07C69/96 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

    CPC classification number: C07C43/23 ,  C07C69/734 ,  C07C69/96 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0397

    Abstract: 　電子線または極紫外線に有効に感応し、ラフネス、エッチング耐性、感度に優れ、微細パターンを高精度に、かつ、安定して形成することが可能なレジスト膜を得ることができるものであり、（ａ）２～５個の水酸基を有し、２～５個の芳香環を有するとともに、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ（ＧＰＣ）を用いて測定した標準ポリスチレン換算の重量平均分子量が２９０～６００である前駆体化合物の前記水酸基の少なくとも一つを酸解離性基に置換した、レジスト膜の形成に用いられる酸解離性基含有化合物と、（ｂ）放射線が照射されることにより酸を発生する感放射線性酸発生剤と、を含有する感放射線性組成物。

    Abstract translation: 本发明提供一种可形成对电子束或极紫外光有效敏感的抗蚀剂膜的辐射敏感性组合物，其粗糙度，耐蚀刻性和灵敏度优异，可以以高精度和稳定的方式形成精细图案 。 辐射敏感性组合物包含（a）用于抗蚀剂膜形成的酸解离基团的化合物，其通过用酸解离基团取代含有2-5个羟基的前体化合物中的至少一个羟基 基团和2至5个芳环，并且通过使用聚苯乙烯标准品的凝胶渗透色谱法（GPC）测量的重均分子量为290至600，和（b）辐射照射时产生酸的辐射敏感酸产生剂。

    ポジ型感放射線性樹脂組成物およびパターン形成方法
    9.
    发明申请
    ポジ型感放射線性樹脂組成物およびパターン形成方法 审中-公开
    积极的辐射敏感性树脂组合物和图案形成方法

    公开(公告)号：WO2008066011A1

    公开(公告)日：2008-06-05

    申请号：PCT/JP2007/072794

    申请日：2007-11-27

    Applicant: JSR株式会社 ,  清水 大輔 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之

    Inventor： 清水 大輔 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之

    IPC: G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0392

    Abstract: 　ナノエッジラフネス、エッチング耐性、感度、および解像度に優れ、高精度な微細パターンを安定して形成可能なポジ型感放射線性樹脂組成物を提供する。感放射線性酸発生剤（Ａ）と、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）とを含み、感放射線性酸発生剤（Ａ）は、酸発生剤（Ａ１）と酸発生剤（Ａ２）とを含む混合酸発生剤であり、酸発生剤（Ａ１）と酸発生剤（Ａ２）とは同一のカチオンを有し、上記酸発生剤（Ａ１）は、常圧における沸点が１５０°C以上のカルボン酸を放射線照射により発生し、かつ下記式（１）で表され、上記酸発生剤（Ａ２）は、カルボン酸以外の酸を放射線照射により発生し、かつ下記式（２）で表され、上記樹脂（Ｂ）は、下記繰り返し単位（ｉ）、下記繰り返し単位（ｉｉ）および下記繰り返し単位（ｉｉｉ）を含む。 M + RCOO - (1) M + X - (2) Ｍ ＋ は１価のオニウムカチオンであり、Ｒは１価の有機基であり、Ｘ － は１価のアニオンである。

    Abstract translation: 公开了纳米边缘粗糙度，耐蚀刻性，灵敏度和分辨率优异的正型辐射敏感性树脂组合物，能够稳定地形成高精度的精细图案。 具体公开了含有辐射敏感性酸产生剂（A）和含有酸分解性基团的树脂（B）的正性辐射敏感性树脂组合物。 辐射敏感性酸产生剂（A）是含酸产生剂（A1）和酸产生剂（A2）的混合酸发生剂，酸产生剂（A1）和酸产生剂（A2）具有相同的阳离子。 酸产生剂（A1）由下式（1）表示，并且当辐射照射时产生沸点在常压下不低于150℃的羧酸。 酸产生剂（A2）由下述式（2）表示，当用辐射照射时，产生除羧酸以外的酸。 树脂（B）含有下面的重复单元（i），下面的重复单元（ii）和下面的重复单元（iii）。 （2）在上述式中，M + 表示单价鎓阳离子; R表示一价有机基团; 而X - 表示一价阴离子。

    パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂
    10.
    发明申请
    パターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂 审中-公开
    形成图案及其使用方法辐射敏感性树脂组合物和具有辐射敏感性酸产生组的树脂

    公开(公告)号：WO2009019793A1

    公开(公告)日：2009-02-12

    申请号：PCT/JP2007/065665

    申请日：2007-08-09

    Applicant: JSR株式会社 ,  清水 大輔 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之

    Inventor： 清水 大輔 ,  松村 信司 ,  甲斐 敏之

    IPC: G03F7/039 ,  C08F12/04 ,  C08F20/38 ,  C08F20/58 ,  G03F7/004

    CPC classification number: G03F7/0045 ,  C08F2/46 ,  C08F12/30 ,  C08F218/08 ,  C08F220/22 ,  C08F220/58 ,  C08L2312/06 ,  C09D5/32 ,  G03F7/0392

    Abstract: 　本発明の目的は、電子線、Ｘ線、極紫外線による微細パターン形成に好適なパターン形成方法並びにそれに用いられる感放射線性樹脂組成物及び感放射線性酸発生基含有樹脂を提供することである。本パターン形成方法は、感放射線性樹脂組成物の樹脂成分として含有されており、感放射線性酸発生基を含み、且つ酸の作用により水酸基又はカルボキシル基を発生する基を含まない感放射線性酸発生基含有樹脂から、活性光線又は放射線の照射によって酸を発生させ、該感放射線性酸発生基含有樹脂の現像液に対する溶解性を増大させることにより、レジストパターンを形成するものである。また、本感放射線性樹脂組成物は、樹脂成分として、酸発生基含有樹脂のみを含有するものである。

    Abstract translation: 适用于通过电子束，X射线或极紫外线形成精细图案的图案形成方法; 并且其中使用具有辐射敏感性酸产生基团的辐射敏感性树脂组合物和树脂。 在这种图案形成方法中，通过用光化射线或径向射线照射，在辐射敏感性树脂组合物中含有作为树脂成分的具有辐射敏感性的酸产生基团的树脂产生酸，其中含有辐射 敏感性酸产生基团，并且不含有通过酸作用产生羟基或羧基的基团，使得具有辐射敏感性酸产生基团的树脂在显影剂中的溶解度增加，从而形成抗蚀剂图案。 该辐射敏感性树脂组合物是仅含有产生酸基的树脂作为树脂成分的树脂组合物。

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