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    POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR IMMERSION EXPOSURE AND PATTERN FORMING METHOD
    1.
    发明申请
    POSITIVE RESIST COMPOSITION FOR IMMERSION EXPOSURE AND PATTERN FORMING METHOD 审中-公开
    用于浸没曝光和图案形成方法的积极抵抗组合物

    公开(公告)号：WO2010035894A1

    公开(公告)日：2010-04-01

    申请号：PCT/JP2009/067192

    申请日：2009-09-25

    申请人： FUJIFILM Corporation ,  YAMAMOTO, Kei ,  SAEGUSA, Hiroshi

    发明人： YAMAMOTO, Kei ,  SAEGUSA, Hiroshi

    IPC分类号： G03F7/039 ,  C08F20/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/38 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/039 ,  C09D133/16 ,  C09D133/26 ,  C09D143/04 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/0758 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

    摘要： A positive resist composition for immersion exposure includes the following (A) to (D): (A) a resin capable of decomposing by an action of an acid to increase a solubility of the resin in an alkali developer; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; (C) a resin having at least either one of a fluorine atom and a silicon atom; and (D) a mixed solvent containing at least one kind of a solvent selected from the group consisting of solvents represented by any one of the following formulae (S1) to (S3) as defined in the specification, in which a total amount of the at least one kind of the solvent is from 3 to 20 mass% based on all solvents of the mixed solvent (D).

    摘要翻译： 用于浸渍曝光的正型抗蚀剂组合物包括以下（A）至（D）：（A）能够通过酸的作用分解以增加树脂在碱性显影剂中的溶解度的树脂; （B）能够在用光化射线或辐射照射时能产生酸的化合物; （C）具有氟原子和硅原子中的至少一个的树脂; 和（D）含有至少一种选自由说明书中定义的下式（S1）至（S3）中任一项所示的溶剂的溶剂的溶剂的混合溶剂，其中， 相对于混合溶剂（D）的所有溶剂，至少一种溶剂为3〜20质量％。

    PHOTORESIST COMPOSITION FOR IMAGING THICK FILMS
    3.
    发明申请
    PHOTORESIST COMPOSITION FOR IMAGING THICK FILMS 审中-公开
    用于成像厚膜的光刻胶组合物

    公开(公告)号：WO2007007176A2

    公开(公告)日：2007-01-18

    申请号：PCT/IB2006001933

    申请日：2006-07-07

    申请人： AZ ELECTRONIC MATERIALS USA

    发明人： TOUKHY MEDHAT A ,  LU PING-HUNG ,  MULLEN SALEM K

    CPC分类号： G03F7/0392 ,  G03F7/022 ,  G03F7/023 ,  G03F7/105 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/127

    摘要： The present invention provides for a light-sensitive photoresist composition useful for imaging thick films, comprising a polymer which is insoluble in an aqueous alkali developer but becomes soluble prior to development, a photoacid generator which produces a strong acid upon irradiation and a photobleachable dye. The invention further provides for a process for imaging the photoresist of the present invention, especially where the thickness of the photoresist is up to 200 microns (µm) and where the process comprises a single exposure step.

    摘要翻译： 本发明提供可用于成像厚膜的光敏光刻胶组合物，其包含不溶于含水碱性显影剂但在显影前变得可溶的聚合物，在照射时产生强酸的光酸产生剂和可光漂白染料。 本发明进一步提供了用于成像本发明的光致抗蚀剂的方法，特别是其中光致抗蚀剂的厚度高达200微米（μm）并且该方法包括单个曝光步骤的方法。

    SULPHONIUM SALT INITIATORS
    4.
    发明申请
    SULPHONIUM SALT INITIATORS 审中-公开
    硫酸钡发射器

    公开(公告)号：WO2007003507A1

    公开(公告)日：2007-01-11

    申请号：PCT/EP2006/063378

    申请日：2006-06-21

    申请人： CIBA SPECIALTY CHEMICALS HOLDING INC. ,  WOLF, Jean-Pierre ,  LATIKA, Attila ,  BIRBAUM, Jean-Luc ,  ILG, Stephan ,  HAYOZ, Pascal

    发明人： WOLF, Jean-Pierre ,  LATIKA, Attila ,  BIRBAUM, Jean-Luc ,  ILG, Stephan ,  HAYOZ, Pascal

    IPC分类号： C07C381/12 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039

    CPC分类号： C07D209/88 ,  B33Y70/00 ,  C07C309/06 ,  C07C381/12 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/038 ,  Y10S430/122

    摘要： Compounds of the formula (I), (II), (III), (IV) and wherein, R is hydrogen, C 1 -C 20 alkyl; C 2 -C 20 alkyl interrupted by one or more O; is -L-X-R 2 or - L-R 2 ; R 1 has ofr example one of the meanings as given for R; R 2 is a monovalent sensitizer or photoinitiator moiety; Ar 1 and Ar 2 for example independently of one another are phenyl substituted by C 1 -C 20 alkyl, halogen or OR 3 ; or are unsubstituted naphthyl, anthryl, phenanthryl or biphenylyl; or are naphthyl, anthryl, phenanthryl or biphenylyl substituted by C 1 -C 20 alkyl, OH or OR 3 ; or are -Ar 4 -A-Ar 3 ; Ar 3 is unsubstituted phenyl naphthyl, anthryl, phenanthryl or biphenylyl; or is phenyl, naphthyl, anthryl, phenanthryl or biphenylyl substituted by C 1 -C 20 alkyl, OR 3 or benzoyl; Ar 4 is phenylene, naphthylene, anthrylene or phenanthrylene; A is a direct bond, S, O or C 1 -C 20 alkylene; X is CO, C(O)O, OC(O), O, S or NR 3 ; L is C 1 -C 20 alkylene or C 2 -C 20 alkylene interrupted by one or more O; R 3 is C 1 -C 20 alkyl or C 1 -C 20 hydroxyalkyl; and Y is an anion, are suitable as photolatent acid generators.

    摘要翻译： 式（I），（II），（III），（IV）的化合物，其中R是氢，C 1 -C 20烷基; 被一个或多个O中断的C 2 -C 20烷基; 是-L-X-R 2或-L-R 2; R 1具有如R给出的含义之一; R 2 2是单价敏化剂或光引发剂部分; Ar 1和Ar 2，例如彼此独立地是被C 1 -C 20烷基取代的苯基， 卤素或OR 3; 或未取代的萘基，蒽基，菲基或联苯基; 或被C 1 -C 20烷基，OH或OR 3取代的萘基，蒽基，菲基或联苯基; 或为-Ar 4 -Ar -Ar 3 N; Ar 3是未取代的苯基萘基，蒽基，菲基或联苯基; 或者是被C 1 -C 20烷基，OR 3或苯甲酰基取代的苯基，萘基，蒽基，菲基或联苯基。 Ar 4是亚苯基，亚萘基，亚蒽基或菲基; A是直接键合，S，O或C 1 -C 20亚烷基; X是CO，C（O）O，OC（O），O，S或NR 3。 L是被一个或多个O中断的C 1 -C 20亚烷基或C 2 -C 20 -C 20亚烷基; R 3是C 1 -C 20烷基或C 1 -C 20烷基或C 1 -C 20烷基或C 1 -C 20烷基， 羟; 并且Y是阴离子，适合作为光潜酸产生剂。

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    5.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    积极作用的组合物和抗性模式的形成方法

    公开(公告)号：WO2006123496A1

    公开(公告)日：2006-11-23

    申请号：PCT/JP2006/308124

    申请日：2006-04-18

    申请人： 東京応化工業株式会社 ,  木下 洋平 ,  大久保 和喜 ,  中川 裕介 ,  秀坂 慎一 ,  入江 真樹子

    发明人： 木下 洋平 ,  大久保 和喜 ,  中川 裕介 ,  秀坂 慎一 ,  入江 真樹子

    IPC分类号： G03F7/039 ,  C08F220/28 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  C08F220/28 ,  G03F7/0045 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/121 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126

    摘要： 　露光量が変化した際のパターンサイズの変動を小さく抑えることができるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法の提供。樹脂成分（Ａ）は、アセタール型保護基を有する構成単位（ａ１）と、ラクトン含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ２）と、極性基含有脂肪族炭化水素基を含有するアクリル酸エステルから誘導される構成単位（ａ３）とを含む高分子化合物（Ａ１）を含有し、かつ酸発生剤成分（Ｂ）は、下記一般式（ｂ－１） ［式中、Ｒ １１ はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、または水酸基；Ｒ １２ ～Ｒ １３ はそれぞれ独立に、置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基；ｎ’は０または１～３の整数を表す。］で表されるカチオン部を有するオニウム塩系酸発生剤（Ｂ１）を含むポジ型レジスト組成物およびこれを用いたレジストパターン形成方法。

    摘要翻译： 本发明提供了一种正性抗蚀剂组合物，其在曝光变化时不会导致图案尺寸的显着变化，并且使用正性抗蚀剂组合物的抗蚀剂图案形成方法。 树脂成分（A）含有包含缩醛型保护基的结构单元（a1），含有含内酯的环状基团的丙烯酸酯衍生结构单元（a2）和丙烯酸酯衍生物的高分子化合物（A1） 含有含极性基团的脂族烃基的结构单元（a3）。 酸产生剂组分（B）包括具有通式（b-1）表示的阳离子部分的鎓盐型酸产生剂（B1），其中R 11表示烷基，烷氧基 基团，卤素原子或羟基; R 12和R 13各自独立地表示任选取代的芳基或烷基; n'为0或1〜3的整数。

    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
    6.
    发明申请
    ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 审中-公开
    正电阻组合物和形成电阻图案的方法

    公开(公告)号：WO2006087865A1

    公开(公告)日：2006-08-24

    申请号：PCT/JP2005/022878

    申请日：2005-12-13

    申请人： 東京応化工業株式会社 ,  木下 洋平 ,  平野 勲

    发明人： 木下 洋平 ,  平野 勲

    IPC分类号： G03F7/039 ,  G03F7/004 ,  H01L21/027

    CPC分类号： G03F7/0397 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

    摘要： A positive resist composition which comprises a resin ingredient (A) which comes to have enhanced alkali solubility by the action of an acid and an acid generator ingredient (B) which generates an acid upon irradiation with a radiation, wherein the ingredient (A) comprises a structural unit (a1) represented by the general formula (a1-2) or (a1-4), a structural unit (a2) derived from an acrylic ester having a lactone-containing monocyclic or polycyclic group, and a structural unit (a3) which is a structural unit other than the structural units (a1) and (a2) and is derived from an acrylic ester which contains a non-acid-dissociable dissolution-inhibitive group having an alicyclic group and contains no polar groups, and the ingredient (B) comprises an onium salt (B1) having an anion moiety represented by the formula R 41 -SO 3 - .

    摘要翻译： 一种正型抗蚀剂组合物，其包含通过酸的作用而具有增强的碱溶解性的树脂成分（A）和在辐射时产生酸的酸产生剂成分（B），其中成分（A）包含 由通式（a1-2）或（a1-4）表示的结构单元（a1），衍生自具有含内酯单环或多环基团的丙烯酸酯的结构单元（a2）和结构单元（a3 ）是除了结构单元（a1）和（a2）以外的结构单元，其衍生自含有具有脂环族并且不含极性基团的非酸解离性溶解抑制基团的丙烯酸酯，并且其成分 （B）包括具有由式R 41 -SO 3 -SO 3 - 表示的阴离子部分的鎓盐（B1）。

    ENERGY HARVESTING MOLECULES AND PHOTORESIST TECHNOLOGY
    7.
    发明申请
    ENERGY HARVESTING MOLECULES AND PHOTORESIST TECHNOLOGY 审中-公开
    能量收集分子和光子技术

    公开(公告)号：WO2006017014A2

    公开(公告)日：2006-02-16

    申请号：PCT/US2005/022980

    申请日：2005-06-27

    申请人： INTEL CORPORATION ,  MEAGLEY, Robert, P. ,  GOODNER, Michael, D. ,  LEET, Robert, E. ,  MCSWINEY, Michael, L.

    发明人： MEAGLEY, Robert, P. ,  GOODNER, Michael, D. ,  LEET, Robert, E. ,  MCSWINEY, Michael, L.

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： G03F7/0045 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/108 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126

    摘要： A composition including a first moiety; and a different second moiety capable of harvesting energy from an external source, wherein the second moiety is positioned such that energy harvested at the second moiety may be transferred to the first moiety. An article of manufacture including a film including a first moiety and a different second moiety capable of harvesting energy from an external source, wherein the second moiety is positioned such that collectively the first and second moieties have an electron capture cross-section greater than the electron capture cross-section of the first moiety alone. A method including forming a film on a substrate including a first moiety and a different second moiety; exposing the film to photonic or charged particle radiation; and patterning the film.

    摘要翻译： 包含第一部分的组合物; 以及能够从外部来源收集能量的不同的第二部分，其中第二部分的位置使得在第二部分收获的能量可以转移到第一部分。 包括包含第一部分和能够从外部来源收集能量的不同第二部分的膜的制品，其中第二部分的位置使得第一和第二部分共同具有大于电子的电子俘获截面 捕获单独的第一部分的横截面。 一种方法，包括在包括第一部分和不同的第二部分的基底上形成膜; 将该膜暴露于光子或带电粒子辐射; 和图案化电影。

    LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE PRECURSORS WITH MERCAPTO-FUNCTIONALIZED FREE-RADICAL POLYMERIZABLE MONOMERS
    8.
    发明申请
    LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE PRECURSORS WITH MERCAPTO-FUNCTIONALIZED FREE-RADICAL POLYMERIZABLE MONOMERS 审中-公开
    具有自由功能的自由可聚合单体的平版印刷机前驱体（LITHOGRAPHIC PRINTING PLATE PRECURSORS WITH MERCAPTO-FUNCTIONALIZED FREE-RADICAL POLYMERIZABLE MONOMERS

    公开(公告)号：WO2005071488A1

    公开(公告)日：2005-08-04

    申请号：PCT/EP2005/000489

    申请日：2005-01-19

    申请人： KODAK POLYCHROME GRAPHICS GMBH ,  TIMPE, Hans-Joachim ,  MÜLLER, Ursula

    发明人： TIMPE, Hans-Joachim ,  MÜLLER, Ursula

    IPC分类号： G03F7/027

    CPC分类号： G03F7/027 ,  B41C1/1008 ,  B41C1/1016 ,  B41C2201/02 ,  B41C2201/14 ,  B41C2210/04 ,  B41C2210/06 ,  B41C2210/22 ,  B41C2210/24 ,  B41N1/083 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/145

    摘要： Lithographic printing plate precursor comprising: a) an untreated or pretreated substrate and b) a radiation-sensitive coating comprising: (i) at least one polymeric binder soluble or swellable in aqueous alkaline developers; (ii) at least one free-radical polymerizable monomer and/or oligomer comprising at least one non-aromatic C-C double bond and at least one SH group in the molecule; and (iii) a radiation-sensitive initiator or initiator system for free-radical polymerization, wherein component (ii) has the formula (I) wherein each R 1a , R 1b and R 1c is independently selected from H, C 1 -C 6 alkyl, C 2 -C 8 alkenyl, aryl, halogen, CN and COOR 1d , wherein R id is H, C 1 -C 18 alkyl, C 2 -C 8 alkenyl, C 2 -C 8 alkynyl or aryl; and Z is an aliphatic, heterocyclic or heteroaromatic spacer or a combination of two or more thereof, wherein Z can optionally comprise one or more additional SH groups and/or one or more additional non-aromatic C-C double bonds; and each Z 1 is independently selected from a single bond, formulae (Ia), (Ib), (Ic), (Id), (Ie), (If), (Ig), (Ih), (Ij), (Ik), (Im), (In), (Io), (Ip), (Iq), (Ir), (Is), (It), (Iu), (Iv), wherein R 2a , R 2b and R 2c are independently selected from H, C 1 -C 6 alkyl and aryl, Z 2 is selected from a single bond, O, S and NR 2c , Z 3 is a single bond which is connected to Z, b is an integer from 1 to 10 and c is an integer from 1 to 3.

    摘要翻译： 包括：a）未处理或预处理的底物和b）辐射敏感性涂层，其包含：（i）至少一种可溶于或溶胀在含水碱性显影剂中的聚合物粘合剂; （ii）至少一种包含分子中至少一个非芳族C-C双键和至少一个SH基团的自由基可聚合单体和/或低聚物; 和（iii）用于自由基聚合的辐射敏感引发剂或引发剂体系，其中组分（ii）具有式（I），其中每个R 1a，R 1b和R 1c各自独立地选自 其中R 1是H，C 1 -C 18烷基，C 2 -C 8烯基，C 2 -C 8炔基或芳基;其中R 1是H，C 1 -C 6烷基，C 2 -C 8烯基，芳基，卤素，CN和COOR 并且Z是脂族，杂环或杂芳族间隔基或其两个或更多个的组合，其中Z可任选地包含一个或多个另外的SH基团和/或一个或多个另外的非芳族C-C双键; 并且每个Z 1独立地选自单键，式（Ia），（Ib），（Ic），（Id），（Ie），（If），（Ig），（Ih） ，（Ik），（Im），（In），（Io），（Ip），（Iq），（Ir），（Is），（It），（Iu），（Iv） R 2b和R 2c独立地选自H，C 1 -C 6烷基和芳基，Z 2选自单键，O，S和NR 2c，Z 3是单 键连接Z，b为1〜10的整数，c为1〜3的整数。