公开(公告)号：WO2008068617A2

公开(公告)日：2008-06-12

申请号：PCT/IB2007003989

申请日：2007-12-03

Applicant: AZ ELECTRONIC MATERIALS USA

Inventor： RAHMAN DALIL M ,  RENTKIEWICZ DAVID L

IPC: C07D333/76 ,  C07C25/00 ,  C07C381/12 ,  G03F7/039

CPC classification number: C07D333/76 ,  C07C25/18 ,  C07C43/225 ,  C07C309/06 ,  C07C381/12 ,  C07C2603/74 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123

Abstract: The present application relates to a compound of formula Ai Xi Bi where Ai and Bi are each individually an organic onium cation; and Xi is anion of the formula - O 3 S-CF 2 CF 2 OCF 2 CFa-SO 3 -. The compounds are useful as photoactive materials.

Abstract translation: 本申请涉及式为Ai Xi Bi的化合物，其中A 1和B 2各自为有机鎓阳离子; 和Xi是下式的阴离子：-O 3 S-CF 2 CF 2 OCF 2 CFa-SO 2， SUB> 3 。 这些化合物可用作光敏材料。

公开(公告)号：WO2008056437A1

公开(公告)日：2008-05-15

申请号：PCT/JP2007/001183

申请日：2007-10-30

Applicant: 丸善石油化学株式会社 ,  山岸 孝則 ,  及川 知 ,  岡田 剛宜

Inventor： 山岸 孝則 ,  及川 知 ,  岡田 剛宜

IPC: C08F220/26 ,  G03F7/039 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0397 ,  C08F220/18 ,  C08F220/28 ,  G03F7/2041 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: 　ウオーターマーク等のパターン欠陥や、感放射線性酸発生剤等の添加物の溶出による感度やパターン形状の異常等を抑えることができる、液浸リソグラフィーに好適な表面特性を与える共重合体と、該共重合体を含む組成物を提供する。 　少なくとも、酸の作用で保護基が解離してアルカリ可溶性基を生ずる繰り返し単位（Ａ）と、ラクトン構造を有する繰り返し単位（Ｂ）とを含む共重合体であって、該共重合体のプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（以下、「ＰＧＭＥＡ」と言うことがある。）溶液をウエハーに塗布し、加熱して形成した薄膜に、純水１５μｌを滴下し、水滴が移動を開始するときのウエハーの傾きが３５°以下、又は水滴が移動を開始するときの水滴最上部の接触角が６４°以上であることを特徴とする液浸リソグラフィー用共重合体。

Abstract translation: 适用于浸没式光刻的表面特性可以抑制诸如水印之类的图案缺陷，由于诸如辐射敏感性酸发生剂之类的添加剂的洗脱引起的灵敏度，图案形状等等。 并且含有该共聚物的组合物。 至少，重复单元（A）通过酸的作用使保护基团解离产生碱溶性基团，其包括具有内酯结构的重复单元（B）的共聚物，丙二醇共聚物 单甲醚乙酸酯（以下有时简称为“PGMEA”）的溶液施加到晶片上，通过加热形成的薄膜，逐滴加入纯水15微升，晶片的倾斜度处的水滴开始移动 35°或更小，或当水滴开始移动时在水滴顶部的接触角为64°或更大。

公开(公告)号：WO2006135136A1

公开(公告)日：2006-12-21

申请号：PCT/KR2005/003945

申请日：2005-11-22

Applicant: CHEIL INDUSTRIES INC. ,  UH, Dong Sun ,  JUNG, Ji Young ,  OH, Jae Min ,  OH, Chang Il ,  KIM, Do Hyeon

Inventor： UH, Dong Sun ,  JUNG, Ji Young ,  OH, Jae Min ,  OH, Chang Il ,  KIM, Do Hyeon

IPC: G03F7/11

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0387 ,  Y10S430/115

Abstract: Hardmask compositions having antireflective properties useful in lithographic processes, methods of using the same, and semiconductor devices fabricated by such methods, are provided. Antireflective hardmask compositions of the invention include: (a) a polymer mixture including a first polymer that includes one or more of the following monomeric units described in this specification and a second polymer including an aryl group; (b) a crosslinking component; and (c) an acid catalyst.

Abstract translation: 提供了具有抗平滑印刷工艺中有用的抗反射性能的硬掩模组合物，其使用方法以及通过这些方法制造的半导体器件。 本发明的抗反射硬掩模组​​合物包括：（a）包含第一聚合物的聚合物混合物，其包含本说明书中描述的一种或多种下列单体单元和包含芳基的第二聚合物; （b）交联组分; 和（c）酸催化剂。

公开(公告)号：WO2005007747A3

公开(公告)日：2006-04-13

申请号：PCT/US2004020888

申请日：2004-06-30

Applicant: DOW CORNING ,  HU SANLIN ,  MOYER ERIC SCOTT ,  WANG SHENG ,  WYMAN DAVID LEE

Inventor： HU SANLIN ,  MOYER ERIC SCOTT ,  WANG SHENG ,  WYMAN DAVID LEE

IPC: C08G77/04 ,  C08G77/12 ,  C08G77/24 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/039 ,  G03F7/075

CPC classification number: G03F7/0757 ,  C08G77/04 ,  C08G77/12 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/12 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/143

Abstract: This invention pertains to a silsesquioxane resin with improved lithographic properties (such as etch-resistance, transparency, resolution, sensitivity, focus latitude, line edge roughness, and adhesion) suitable as a photoresist; a method for incorporating the fluorinated or non-fluorinated functional groups onto silsesquioxane backbone. The silsesquioxane resins of this invention has the general structure (HSiO 3/2 ) a (RSiO 3/2 ) b wherein; R is an acid dissociable group, ahas a value of 0.2 to 0.9 and b has a value of 0.1 to 0.8 and 0.9

Abstract translation: 本发明涉及适合作为光致抗蚀剂的具有改进的光刻性质（例如耐蚀刻性，透明度，分辨率，灵敏度，聚焦宽度，线边缘粗糙度和粘合）的倍半硅氧烷树脂; 将氟化或非氟化官能团引入倍半硅氧烷主链上的方法。 本发明的倍半硅氧烷树脂具有通式（HSiO 3/2/2）a（RS 3 O 3/2） 其中; R为酸解离基团，其值为0.2〜0.9，b为0.1〜0.8，0.9

公开(公告)号：WO2005123795A1

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：PCT/JP2005/010697

申请日：2005-06-10

Applicant: 東京応化工業株式会社 ,  木下 洋平 ,  岩井 武

Inventor： 木下 洋平 ,  岩井 武

IPC: C08F220/28

CPC classification number: C08F220/28 ,  C08F220/26 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/111 ,  Y10S430/115

Abstract: Disclosed is a positive resist composition which is composed of a polymer compound containing one or more units (a1) selected from the group consisting of units represented by the general formula (1) or (1)' below, a unit (a2) derived from an (alpha-lower alkyl)acrylate having a lactone-containing cyclic group, and a unit (a3) derived from an (alpha-lower alkyl)acrylate which unit (a3) is other than the unit (a1) and the unit (a2) and contains an alicyclic group-containing acid-uncleavable dissolution inhibiting group but does not contain a polar group. (1) (1)' [In the formula, R represents a hydrogen atom, fluorine atom, lower alkyl group having 20 or less carbon atoms or fluorinated lower alkyl group having 20 or less carbon atoms; R represents an optionally substituted twenty- or less membered cyclic group; n is 0 or an integer of 1-5; and m is 0 or 1.]

Abstract translation: 公开了由含有一种或多种选自下述通式（1）或（1）'所示的单元的单元（a1）的聚合物化合物组成的正型抗蚀剂组合物，衍生自 具有含内酯的环状基团的（α-低级烷基）丙烯酸酯和单体（a3）不同于单元（a1）和单元（a2）的由（α-低级烷基）丙烯酸酯衍生的单元（a3） ），并且含有含脂环基的酸不溶裂性溶解抑制基团，但不含极性基团。 （1）（1）'[式中，R表示氢原子，氟原子，碳原子数为20以下的低级烷基或碳原子数为20以下的氟代低级烷基， R 1表示任选取代的二十二元或更少元环基; n为0或1-5的整数; m为0或1.]

公开(公告)号：WO2005098545A1

公开(公告)日：2005-10-20

申请号：PCT/JP2005/006961

申请日：2005-04-08

Applicant: AZエレクトロニックマテリアルズ株式会社 ,  西部 剛史 ,  洪 聖恩 ,  高野 祐輔 ,  岡安 哲雄

Inventor： 西部 剛史 ,  洪 聖恩 ,  高野 祐輔 ,  岡安 哲雄

IPC: G03F7/40

CPC classification number: G03F7/40 ,  H01L21/0273 ,  Y10S430/106 ,  Y10S430/11 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/162 ,  Y10S430/165

Abstract: 　ＡｒＦ対応感放射線性樹脂組成物により形成されたレジストパターンに被覆層をほどこし、レジストパターンの幅を広げてトレンチパターンやホールパターンを実効的に微細化することのできるパターン形成方法で用いられる水溶性樹脂組成物において、レジストパターン層の寸法縮小量を従来技術よりも更に増大させ、さらに粗密レジストパターンによる寸法縮小量依存性を低減させる水溶性樹脂組成物と、それを用いたパターン形成方法の提供。 　ＡｒＦエキシマレーザー照射に適用可能の上記パターン形成方法で使用される水溶性樹脂組成物が、水溶性樹脂、加熱により酸を発生する発生剤、界面活性剤、架橋剤、および水を含有する溶媒を含んでなる水溶性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法。

Abstract translation: 一种用于图案形成方法的水溶性树脂组合物，包括将涂层施加到由ArF响应性辐射敏感性树脂组合物形成的抗蚀剂图案上，并且扩大抗蚀剂图案的宽度，以便有效地使沟槽图案小型化 孔图案，其中抗蚀剂图案层的尺寸收缩度比现有技术的尺寸收缩程度增加，并且其中粗糙/致密抗蚀剂图案对尺寸收缩度的依赖性降低; 以及使用水溶性树脂组合物形成图案的方法。 提供一种用于上述适用于ArF准分子激光照射的图案形成方法的水溶性树脂组合物，其包含水溶性树脂，加热时能产生酸的发生剂，表面活性剂，交联剂和溶剂 含水。 此外，提供了使用水溶性树脂组合物形成图案的方法。

公开(公告)号：WO2005093513A2

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：PCT/IB2005/000773

申请日：2005-03-23

Applicant: AZ ELECTRONIC MATERIALS USA CORP.

Inventor： SUI, Yu ,  WU, Hengpeng ,  KANG, Wenbing ,  NEISSER, Mark, O. ,  KATAYAMA, Tomohide ,  DING-LEE, Shuji, S. ,  HISHIDA, Aritaka ,  OBERLANDER, Joseph, E. ,  TOUKHY, Medhat, A.

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/091 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/115 ,  Y10S438/952

Abstract: The present invention relates to a positive bottom photoimageable antireflective coating composition which is capable of being developed in an aqueous alkaline developer, wherein the antireflective coating composition comprises a polymer comprising at least one recurring unit with a chromophore group and one recurring unit with a hydroxyl and/or a carboxyl group, a vinyl ether terminated crosslinking agent, and optionally, a photoacid generator and/or an acid and/or a thermal acid generator. The invention further relates to a process for using such a composition.

Abstract translation: 本发明涉及能够在含水碱性显影剂中显影的正底部可光成像抗反射涂料组合物，其中抗反射涂料组合物包含含有至少一个具有发色团的重复单元的聚合物和一个具有羟基的重复单元， /或羧基，乙烯基醚封端的交联剂，以及任选的光酸产生剂和/或酸和/或热酸发生剂。 本发明还涉及使用这种组合物的方法。

公开(公告)号：WO2005012372A1

公开(公告)日：2005-02-10

申请号：PCT/JP2004/010856

申请日：2004-07-29

Applicant: 旭硝子株式会社 ,  武部 洋子 ,  金子 勇

Inventor： 武部 洋子 ,  金子 勇

IPC: C08F36/20

CPC classification number: G03F7/0046 ,  C07C69/65 ,  C08F36/20 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/146

Abstract: 　官能基を有し、幅広い波長領域で高い透明性を有する含フッ素ポリマーおよび該含フッ素ポリマーからなるレジスト用組成物を与えること。 　下記式（１）で表される含フッ素ジエンが重合したモノマー単位を有する含フッ素ポリマー（Ａ）、その製造方法および含フッ素ポリマー（Ａ）をベ−スとするレジスト組成物。 　ＣＦ ２ ＝ＣＦＣＨ ２ ＣＨ−Ｑ−ＣＨ ２ ＣＨ＝ＣＨ ２ ・・・（１） ただし、Ｑは（ＣＨ ２ ） ａ Ｃ（ＣＦ ３ ） ２ ＯＲ ４ （ａは０～３の整数であり、Ｒ ４ エーテル性酸素原子を有してもよい炭素数２０以下のアルキル基、含フッ素アルキル基、炭素数６以下のアルコキシカルボニル基またはＣＨ ２ Ｒ ５ （Ｒ ５ は炭素数６以下のアルコキシカルボニル基））、または（ＣＨ ２ ） ｄ ＣＯＯＲ ６ （ｄは０または１であり、Ｒ ６ は水素原子、炭素数２０以下のアルキル基または含フッ素アルキル基）を表す。

Abstract translation: 公开了具有官能团并且在宽波长范围内表现出高透明度的含氟聚合物。 还公开了由这种含氟聚合物组成的抗蚀剂组合物。 含氟聚合物（A）具有单体单元，其中由下式（1）表示的含氟二烯聚合。 还公开了含氟聚合物（A）的制造方法和使用含氟聚合物（A）作为基材的抗蚀剂组合物。 CF2 = CFCH2CH-Q-CH2CH = CH2（1）在上式中，Q表示（CH2）aC（CF3）2OR4（其中a为0-3的整数，R 4表示烷基 具有20个以下可具有醚氧原子的碳原子，含氟烷基，碳原子数6以下的烷氧基羰基或CH 2 R 5（式中，R 5为6以下的烷氧基羰基 碳原子））或（CH 2）d COOR 6（其中d为0或1，R 6表示氢原子，碳原子数为20以下的烷基或含氟烷基）。

公开(公告)号：WO2005000909A2

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：PCT/US2003/030281

申请日：2003-09-26

Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

Inventor： ARNEY, David, S. ,  LEATHERDALE, Catherine, A. ,  NIRMAL, Manoj

IPC: C08F

CPC classification number: C08F2/50 ,  B33Y70/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G03F7/029 ,  G03F7/2053 ,  Y10S430/114 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/116 ,  Y10S430/117

Abstract: A photoreactive composition comprises (a) at least one reactive species that is capable of undergoing an acid- or radical-initiated chemical reaction; and (b) a photoinitiator system comprising photochemically-effective amounts of (1) at least one type of semiconductor nanoparticle quantum dot that has at least one electronic excited state that is accessible by absorption of two or more photons, and (2) a composition, different from said reactive species, that is capable of interacting with the excited state of the semiconductor nanoparticle quantum dot to form at least one reaction-initiating species.

Abstract translation: 光反应性组合物包含（a）至少一种能够经历酸或自由基引发的化学反应的反应性物质; （b）包含光化学有效量的（1）至少一种类型的半导体纳米粒子量子点的光引发剂体系，所述半导体纳米粒子量子点具有至少一个可通过吸收两个或更多个光子获得的电子激发态，和（2）组合物 ，与所述反应性物种不同，其能够与半导体纳米粒子量子点的激发态相互作用以形成至少一种反应引发物质。

公开(公告)号：WO2004107051A2

公开(公告)日：2004-12-09

申请号：PCT/US2004/014348

申请日：2004-05-07

Applicant: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY

Inventor： LAMANNA, William, M.

IPC: G03F7/00

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0392 ,  Y10S430/115 ,  Y10S430/122 ,  Y10S430/123 ,  Y10S430/126 ,  Y10S430/146

Abstract: Photoacid generators (PAGs) comprising photoactive moieties and perfluorinated, multifunctional anionic moieties (or incipient anionic moieties) are disclosed which provide photoacids with high acid strength, low volatility and low diffusivity. The present invention further relates to photoacid generators as they are used in photoinitiated or acid-catalyzed processes for uses such as photoresists for microlithography and photopolymerization.

Abstract translation: 公开了包含光活性部分和全氟化多功能阴离子部分（或初始阴离子部分）的光酸产生剂（PAG），其提供具有高酸强度，低挥发性和低扩散性的光酸。 本发明还涉及光酸产生剂，因为它们用于光引发剂或酸催化的用于微光刻和光聚合的光致抗蚀剂等用途的方法。