公开(公告)号：WO2011036816A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/JP2009/066828

申请日：2009-09-28

Applicant: 株式会社 東芝 ,  服部 繁樹 ,  北川 良太 ,  浅川 鋼児

Inventor： 服部　繁樹 ,  北川　良太 ,  浅川　鋼児

IPC: B05D7/24 ,  B05D5/00 ,  G03F7/004 ,  H01L21/3065

CPC classification number: G03F7/165 ,  B05D1/185 ,  B81C1/00031 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0755 ,  G03F7/265 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/306

Abstract: 　基板上に単分子膜を形成し、前記単分子膜をエネルギー線で選択的に露光し、露光部を選択的に改質して露光部および未露光部のパターンを形成し、前記単分子膜上に第１および第２のブロック鎖を含むブロックコポリマー層を形成し、前記ブロックコポリマー層をミクロ相分離させ、前記単分子膜の露光部および未露光部のパターンに基づいてブロックコポリマー層の第１および第２のブロック鎖のパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

Abstract translation: 特征在于在基板上形成单分子膜的图案形成方法，选择性地将单分子膜暴露于光化辐射以选择性地改变曝光部分，从而形成由曝光部分和未曝光部分构成的图案，形成包含第一和/ 在所得单分子膜上的第二嵌段链，然后根据由曝光和未曝光部分构成的图案，使嵌段共聚物层进行微相分离以形成由嵌段共聚物层的第一和第二嵌段链构成的图案 单分子膜。

公开(公告)号：WO2010030018A3

公开(公告)日：2010-05-06

申请号：PCT/JP2009065977

申请日：2009-09-07

Applicant: NIPPON KOGAKU KK ,  SHIBAZAKI YUICHI ,  HIRUKAWA SHIGERU

Inventor： SHIBAZAKI YUICHI ,  HIRUKAWA SHIGERU

IPC: G03F7/095

CPC classification number: G03F7/265 ,  G03F7/095 ,  G03F7/405 ,  H01L21/0274

Abstract: A pattern forming method includes coating, on a wafer W, a negative resist 3 and a positive resist 4 which has a higher sensitivity; exposing the positive resist 4 and the negative resist 3 on the wafer W with an image of a line-and-space pattern; and developing the positive resist 4 and the negative resist 3 in a direction parallel to a normal line of a surface of the wafer W. A fine pattern, which exceeds the resolution limit of an exposure apparatus, can be formed by using the lithography process without performing the overlay exposure.

Abstract translation: 图案形成方法包括：在晶片W上涂覆具有较高灵敏度的负性抗蚀剂3和正性抗蚀剂4; 用线和空间图案的图像曝光晶片W上的正抗蚀剂4和负抗蚀剂3; 以及在与晶片W的表面的法线平行的方向上显影正型抗蚀剂4和负型抗蚀剂3.可以通过使用光刻工艺来形成超过曝光装置的分辨率极限的精细图案 执行叠加曝光。

公开(公告)号：WO2005060668A3

公开(公告)日：2005-09-15

申请号：PCT/US2004042363

申请日：2004-12-16

Applicant: UNIV COLUMBIA ,  KOBERSTEIN JEFFREY T ,  WANG PENG

Inventor： KOBERSTEIN JEFFREY T ,  WANG PENG

IPC: A61L27/34 ,  A61L29/08 ,  B05D1/18 ,  B05D1/32 ,  B05D3/06 ,  B05D3/10 ,  C03C17/32 ,  C08J7/12 ,  C08J7/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  H05K3/38

CPC classification number: C08J7/12 ,  A61L27/34 ,  A61L29/085 ,  B05D1/185 ,  B05D1/32 ,  B05D3/067 ,  B05D3/107 ,  B05D2401/90 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/32 ,  C07K17/00 ,  C08J7/047 ,  C08J7/18 ,  D06M23/005 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/165 ,  G03F7/265 ,  H05K3/389

Abstract: The present invention is directed to methods for coating monolayer films of surface-active polymers onto substrates of arbitrary shape. The present invention also provides molecular-based methods and processes that can be used to control the chemical and physical nature of surfaces and interfaces. The present invention is directed to methods for modifying a substrate having a surface comprising coating a macromolecular surfactant comprising modifiable functional group onto the surface, wherein the modifiable functional group assembles to the air-coating interface, thereby modifying the surface of the substrate; wherein if the substrate comprises a first polymer and the macromolecular surfactant comprises a second polymer having a modifiable functional group, then the group is not modifiable by an acid to functionally modify the surface of the substrate. The invention is directed to devices made by these methods.

Abstract translation: 本发明涉及将表面活性聚合物的单层膜涂覆在任意形状的基材上的方法。 本发明还提供了可用于控制表面和界面的化学和物理性质的基于分子的方法和方法。 本发明涉及用于修饰具有表面的基材的方法，该方法包括将包含可修饰的官能团的大分子表面活性剂涂覆到所述表面上，其中所述可修饰的官能团组装到所述空气涂覆界面，从而改变所述基材的表面; 其中如果所述底物包含第一聚合物，并且所述大分子表面活性剂包含具有可修饰官能团的第二聚合物，则所述基团不能被酸修饰以在功能上改变所述基底的表面。 本发明涉及通过这些方法制造的装置。

公开(公告)号：WO2005060668A2

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：PCT/US2004/042363

申请日：2004-12-16

Applicant: THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OFNEW YORK ,  KOBERSTEIN, Jeffrey, T. ,  WANG, Peng

Inventor： KOBERSTEIN, Jeffrey, T. ,  WANG, Peng

IPC: A61L27/34 ,  A61L29/08 ,  B05D1/18 ,  B05D1/32 ,  B05D3/06 ,  B05D3/10 ,  C03C17/32 ,  C08J7/12 ,  C08J7/18 ,  G03F7/004 ,  G03F7/039 ,  G03F7/16 ,  G03F7/26 ,  H05K3/38

CPC classification number: C08J7/12 ,  A61L27/34 ,  A61L29/085 ,  B05D1/185 ,  B05D1/32 ,  B05D3/067 ,  B05D3/107 ,  B05D2401/90 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C03C17/32 ,  C07K17/00 ,  C08J7/047 ,  C08J7/18 ,  D06M23/005 ,  G03F7/0048 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/165 ,  G03F7/265 ,  H05K3/389

Abstract: The present invention is directed to methods for coating monolayer films of surface-active polymers onto substrates of arbitrary shape. The present invention also provides molecular-based methods and processes that can be used to control the chemical and physical nature of surfaces and interfaces. The present invention is directed to methods for modifying a substrate having a surface comprising coating a macromolecular surfactant comprising modifiable functional group onto the surface, wherein the modifiable functional group assembles to the air-coating interface, thereby modifying the surface of the substrate; wherein if the substrate comprises a first polymer and the macromolecular surfactant comprises a second polymer having a modifiable functional group, then the group is not modifiable by an acid to functionally modify the surface of the substrate. The invention is directed to devices made by these methods.

Abstract translation: 本发明涉及用于将表面活性聚合物的单层膜涂覆到任意形状的基材上的方法。 本发明还提供了可用于控制表面和界面的化学和物理性质的基于分子的方法和过程。 本发明涉及用于改性具有表面的基材的方法，所述方法包括将包含可修饰官能团的大分子表面活性剂涂布到表面上，其中所述可改性官能团组装到空气涂层界面，从而改性基材表面; 其中如果所述基材包含第一聚合物并且所述大分子表面活性剂包含具有可修饰官能团的第二聚合物，则所述基团不能被酸修饰以功能性修饰所述基材的表面。 本发明涉及通过这些方法制造的装置。

公开(公告)号：WO2004099373A2

公开(公告)日：2004-11-18

申请号：PCT/US2004/013383

申请日：2004-04-30

Applicant: UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHARLOTTE ,  GONSALVES, Kenneth, E. ,  HE, Wei

Inventor： GONSALVES, Kenneth, E. ,  HE, Wei

IPC: C12N

CPC classification number: G03F7/0392 ,  G03F7/265

Abstract: This invention relates to biomaterials, biocompatible photoresists, and electroactive photoresists, and methods to engineer the interactions between biomaterials and cells. In one aspect, this invention provides for modifying surface topography through micro-patterning techniques that require no organic solvent development to reveal the lithographic patterns. Cells can be cultured on these surfaces directly and exhibit strong cell alignment features.

Abstract translation: 本发明涉及生物材料，生物相容性光致抗蚀剂和电活性光致抗蚀剂，以及设计生物材料与细胞之间相互作用的方法。 在一个方面，本发明提供了通过不需要有机溶剂开发来显示平版印刷图案的微图案化技术改性表面形貌。 可以直接在这些表面上培养细胞并显示出强的细胞对准特征。

公开(公告)号：WO2003084680A1

公开(公告)日：2003-10-16

申请号：PCT/US2003/009245

申请日：2003-03-26

Applicant: MICELL TECHNOLOGIES, INC. ,  CARBONELL, Ruben ,  DESIMONE, Joseph, M. ,  MCCLAIN, James, B. ,  DEYOUNG, James, P.

Inventor： CARBONELL, Ruben ,  DESIMONE, Joseph, M. ,  MCCLAIN, James, B. ,  DEYOUNG, James, P.

IPC: B05D3/04

CPC classification number: H01L21/3105 ,  G03F7/168 ,  G03F7/265 ,  G03F7/38 ,  H01L21/31058

Abstract: A method of reducing undesired topographic features, increasing film density, and/or increasing adhesion to an underlying substrate in a polymer film formed on a microelectronic substrate, comprises: (a) providing a microelectronic substrate, the substrate having a polymer film deposited thereon; (b) contacting the substrate to carbon dioxide (optionally containing additional ingredients such as cosolvents or chemical intermediates); and (c) elevating the pressure of the carbon dioxide to plasticize the polymer film and reduce undesired topographic features, increase film density, and/or increase adhesion of the film to the underlying substrate.

Abstract translation: 包括：（a）提供微电子衬底，所述衬底具有沉积在其上的聚合物膜;以及（c）提供微电子衬底，所述衬底具有沉积在其上的聚合物膜; （b）将底物与二氧化碳接触（任选地含有另外的成分，例如助溶剂或化学中间体）; 和（c）提高二氧化碳的压力以塑化聚合物膜并减少不期望的形貌特征，增加膜密度和/或增加膜与下面的基底的粘附。

公开(公告)号：WO1997048021A1

公开(公告)日：1997-12-18

申请号：PCT/US1997009298

申请日：1997-06-10

Applicant: HOLOGRAPHIC LITHOGRAPHY SYSTEMS ,  HOBBS, Douglas, S.

Inventor： HOLOGRAPHIC LITHOGRAPHY SYSTEMS

IPC: G03F07/20

CPC classification number: G03F7/70408 ,  G03F7/001 ,  G03F7/2022 ,  G03F7/265 ,  G03F7/38 ,  G03F7/70466

Abstract: A double exposure process is disclosed whereby a first exposure produced by conventional photolithograpic techniques generates a latent negative image in a photoresist etch mask layer (22), the image subsequently employed to modulate a second exposure generated by the multiple beam interferometric lithography technique. Periodic surface relief structures (80) patterned by the second exposure and formed after development of the exposed photoresist material, are restricted to regions (52) defined by the initial exposure, with the photoresist material (54) outside these regions remaining unmodulated, or devoid of the periodic structures (80), and suitable for use as a mask in a subsequent etching process.

Abstract translation: 公开了双曝光过程，由此通过常规光刻技术产生的第一次曝光在光致抗蚀剂蚀刻掩模层（22）中产生潜在负像，随后采用该图像来调制由多光束干涉光刻技术产生的第二曝光。 通过曝光的光致抗蚀剂材料显影之后形成的通过第二曝光形成的周期性表面浮雕结构（80）被限于由初始曝光限定的区域（52），光致抗蚀剂材料（54）在这些区域之外保持未调制或缺失 的周期性结构（80），并且适于在随后的蚀刻工艺中用作掩模。

公开(公告)号：WO2012036121A1

公开(公告)日：2012-03-22

申请号：PCT/JP2011/070729

申请日：2011-09-12

Applicant: 東京応化工業株式会社 ,  独立行政法人理化学研究所 ,  先崎 尊博 ,  太宰 尚宏 ,  宮城 賢 ,  藤川 茂紀 ,  早川 晴美 ,  小泉 真里

Inventor： 先崎　尊博 ,  太宰　尚宏 ,  宮城　賢 ,  藤川　茂紀 ,  早川　晴美 ,  小泉　真里

IPC: C08L25/00 ,  C08F12/02 ,  C08K5/28 ,  C08L33/06 ,  C08L61/10

CPC classification number: G03F7/11 ,  C08K5/42 ,  C08K5/45 ,  C08L53/00 ,  C09D125/14 ,  C09D161/06 ,  G03F7/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0233 ,  G03F7/0752 ,  G03F7/20 ,  G03F7/265 ,  Y10S438/947 ,  C08L25/02 ,  C08L2205/025 ,  C08L33/12 ,  C08L23/20 ,  C08F212/08 ,  C08F212/14 ,  C08F220/14 ,  C08F212/32 ,  C08F2220/325 ,  C08F2220/1858 ,  C08F220/18

Abstract: 　基板上に形成した複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層を相分離させるために用いられる下地剤であって、樹脂成分を含有し、該樹脂成分全体の構成単位のうち２０モル％～８０モル％が芳香族環含有モノマー由来の構成単位であることを特徴とする下地剤；及び基板（１）上に前記下地剤を塗布し、該下地剤からなる層（２）を形成する工程（１）と、複数種類のポリマーが結合したブロックコポリマーを含む層（３）を前記下地剤（２）からなる層表面に形成した後、前記ブロックコポリマーを含む層（３）を相分離する工程（２）と、前記ブロックコポリマーを含む層（３）のうち、前記ブロックコポリマーを構成する複数種類のポリマーのうちの少なくとも一種類のポリマーからなる相（３ａ）を選択的に除去する工程（３）と、を有することを特徴とするブロックコポリマーを含む層のパターン形成方法。

Abstract translation: 提供了用于相分离形成在基材上并含有多种类型的聚合物已经结合的嵌段共聚物的底漆，以及含有嵌段共聚物的层的图案形成方法。 该底漆的特征在于含有树脂成分，其中，20摩尔％〜80摩尔％的树脂成分全部的结构单元为来自含芳环单体的结构单元。 图案形成方法的特征在于包括：通过将底漆施加到基材（1）上来形成包含底漆（2）的层的步骤（1）; 在包含底漆（2）的层的表面上形成包含多种类型的聚合物已经结合的嵌段共聚物的层（3）的步骤（2），然后将层（ 3）含有嵌段共聚物; 以及从含有嵌段共聚物的层（3）选择性地除去包含构成嵌段共聚物的多种类型的聚合物中的至少一种聚合物的层（3a）的步骤（3）。

公开(公告)号：WO2008015969A1

公开(公告)日：2008-02-07

申请号：PCT/JP2007/064756

申请日：2007-07-27

Applicant: JSR株式会社 ,  杉田 光 ,  松村 信司 ,  清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

Inventor： 杉田 光 ,  松村 信司 ,  清水 大輔 ,  甲斐 敏之 ,  下川 努

IPC: G03F7/26 ,  G03F7/075 ,  G03F7/11 ,  G03F7/38

CPC classification number: G03F7/11 ,  G03F7/0045 ,  G03F7/0757 ,  G03F7/265

Abstract: 　電子線（以下、ＥＢと略称する）、Ｘ線、極紫外線（以下、ＥＵＶと略称する）による微細パターン形成に好適なパターン形成方法等を提供する。本発明の方法は、（１）放射線の照射により酸を発生する感放射線性酸発生剤を含有する下層膜を基板上に硬化形成する工程と、（２）マスクを介して前記下層膜に放射線を照射して、前記下層膜の放射線照射部に選択的に酸を発生させる工程と、（３）前記下層膜上に、感放射線性酸発生剤を含まず酸によって重合または架橋する組成物を含有する上層膜を形成する工程と、（４）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生した部位に対応する部位において選択的に重合または架橋硬化膜を形成する工程と、（５）前記上層膜の、前記下層膜における酸が発生していない部位に対応する部位を除去する工程と、を前記の順で含む。

Abstract translation: 适合于用电子束（以下简写为EB），X射线或极紫外（以下简称为EUV）形成精细图案的图案形成方法。 该方法按以下顺序包括以下步骤：（1）在基材上形成含有辐射敏感酸产生剂的下层膜，该下层膜产生酸，并固化; （2）通过掩模对下层膜照射辐射的步骤，以选择性地在被辐射的下层膜的那些区域中产生酸; （3）在下层膜上形成不含有辐射敏感性酸发生剂的上层膜，其中含有通过酸作用聚合或交联的组合物的上层膜; （4）在与产生酸的下层膜的那些区域相对应的上层膜的那些区域中选择性地形成聚合或交联/固化膜的步骤; 和（5）除去上层膜的与没有产生酸的下层膜的那些区域对应的那些区域的步骤。

公开(公告)号：WO2007103539A2

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：PCT/US2007/005998

申请日：2007-03-08

Applicant: CAMBRIOS TECHNOLOGIES CORPORATION ,  ALLEMAND, Pierre-Marc ,  HEIDECKER, Manfred ,  KIRK, Gregory, L. ,  QUAN, Xina ,  WANG, Cheng-I

Inventor： ALLEMAND, Pierre-Marc ,  HEIDECKER, Manfred ,  KIRK, Gregory, L. ,  QUAN, Xina ,  WANG, Cheng-I

CPC classification number: G03F7/265 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  G01N33/54353 ,  G03F7/165 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02639 ,  H01L21/02645 ,  H01L21/02647

Abstract: A method of forming an integrated circuit layer material is described, comprising depositing a layer of templates on a substrate, said template including a first binding site having an affinity for the substrate, a second binding site having an affinity for a target integrated circuit material and a protecting material coupled to the second binding site via a labile linkage to prevent the binding site from binding to the target integrated circuit material; exposing the template to an external stimulus to degrade the labile linkage; removing the protecting material; and binding the integrated circuit material to the second binding site.

Abstract translation: 描述了形成集成电路层材料的方法，包括在衬底上沉积模板层，所述模板包括对衬底具有亲和性的第一结合位点，对目标集成电路材料具有亲和性的第二结合位点，以及 经由不稳定连接物耦合到第二结合位点的保护材料，以防止结合位点结合到靶集成电路材料; 将模板暴露于外部刺激以降低不稳定性联系; 去除保护材料; 并将集成电路材料结合到第二结合位点。