公开(公告)号：WO2004079039A1

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：PCT/JP2004/000448

申请日：2004-01-21

Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  入間田 修一 ,  山越 康廣 ,  宮下 博仁 ,  鈴木 了

Inventor： 岡部 岳夫 ,  入間田 修一 ,  山越 康廣 ,  宮下 博仁 ,  鈴木 了

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C22C27/00 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/31645 ,  Y10S148/158

Abstract: 本発明は1、Hfに、Zr若しくはTiのいずれか、又は双方を総計で100wtppm-10wt%含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が1-100μm、不純物であるFe、Cr、Niがそれぞれ1wtppm以下、さらに{002}とこの面から35゜以内にある{103}、{014}、{015}の4つの面の晶癖面配同率が55%以上で、かつ場所による4つの面の強度比の総和のばらつきが20%以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、HfO又はHfON膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。

Abstract translation: 一种铪合金靶，其特征在于在I和Hf中，Zr和Ti中的任一种或两者的含量为100重量ppm至10重量％。 其平均结晶粒径在1〜100μm的范围内，其中杂质Fe，Cr和Ni的含量为1重量ppm以下。 此外，对于铪合金靶，由{002}面构成的四个平面的晶体习惯面取向因子，与该平面成比例的{103}，{014}和{015}面的35°以内，为55％ 以上，并且根据位置的四平面强度比的总和的分散为20％以下。 铪合金靶的成膜性和成膜速度优异，可以减少颗粒发生，适合于形成HfO膜，HfON膜等高介电栅极绝缘膜。 另外，提供了一种铪合金靶的制造方法。

公开(公告)号：WO2005037649A1

公开(公告)日：2005-04-28

申请号：PCT/JP2004/013343

申请日：2004-09-14

Applicant: 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  永澤 俊

Inventor： 岡部 岳夫 ,  永澤 俊

IPC: B65B31/04

CPC classification number: H01J37/342 ,  B65B31/04 ,  B65D81/2023

Abstract: 　ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、該ターゲットの空間部を覆う大きさの蓋を設置し、該蓋に１又は複数の貫通孔を設け、これらの上に樹脂の袋を被せて、内部を真空吸引することを特徴とするホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び方法。ホローカソード型スパッタリングターゲットにおいて、樹脂製の袋で覆った中空部の内部までも真空吸引できるホローカソード型スパッタリングターゲットの包装装置及び包装方法を提供することを課題とする。

Abstract translation: 一种中空阴极型溅射靶的包装装置和封装方法，其特征在于，在中空阴极型溅射靶中，安装能够覆盖靶的空间部分的尺寸的盖，一个或多个 在盖中形成通孔，将树脂袋施加到通孔上，并将其内部抽真空。 因此，即使由树脂袋覆盖的中空部的内部也可以被抽真空。

公开(公告)号：WO2004083482A1

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/JP2004/001914

申请日：2004-02-19

Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫

Inventor： 岡部 岳夫

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  H01L21/2855

Abstract: A1又はSnから選んだ少なくとも1元素を0.01～0.5(未満)wt%含有し、Mn又はSiが総量で0.25wtppm以下であることを特徴とする銅合金スパッタリングターゲット。半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に、シート抵抗が小さく、また凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同夕ーゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。

Abstract translation: 一种铜合金溅射靶，其特征在于，选自Al和Sn中的至少一种元素的含量为0.01至小于0.5重量％，而Mn和Si的总量不大于0.25重量ppm; 和半导体元件布线材料。 特别是能够形成稳定的均质种子层的铜合金溅射靶，该铜合金溅镀靶在溅射成膜特性方面更优异，能够在铜电镀中形成低聚集度，薄片电阻低的铜合金溅射靶; 以及通过使用靶材形成的半导体元件布线。

公开(公告)号：WO2003035943A1

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：PCT/JP2002/007038

申请日：2002-07-11

Applicant: 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  相場 玲宏 ,  関口 淳之輔 ,  宮下 博仁 ,  澤村 一郎

Inventor： 岡部 岳夫 ,  相場 玲宏 ,  関口 淳之輔 ,  宮下 博仁 ,  澤村 一郎

IPC: C25D17/10

CPC classification number: C25D7/12 ,  C25D17/10

Abstract: An electrolytic copper plating method characterized by carrying out electrolytic copper plating by using phosphorus-containing copper as an anode, wherein the crystal particle size of the phosphorus-containing copper anode is 10-1500 mum when an anode current density at electrolyzing is at least 3A/dm2, and the crystal particle size of the anode is 5-1500 mum when an anode current density at electrolyzing is less than 3A/dm2. A method of electrolytic-copper-plating a semiconductor wafer which restricts particles such as sludge occurring on the anode side in a plating solution and prevents deposition of particles on the semiconductor wafer, an electrolytic copper plating-use phosphorus-containing copper anode, and a semiconductor wafer with little particles deposition plated by using them.

Abstract translation: 一种电解铜电镀方法，其特征在于通过使用含磷铜作为阳极进行电解镀铜，其中当电解时的阳极电流密度为至少3A时，含磷铜阳极的结晶粒径为10-1500μm / dm 2，当电解时的阳极电流密度小于3A / dm 2时，阳极的结晶粒径为5〜1500μm。 一种半导体晶片的电解镀铜方法，其限制电镀液中阳极侧产生的污泥等颗粒，防止颗粒沉积在半导体晶片上，电解铜电镀用含磷铜阳极和 通过使用它们几乎没有颗粒沉积电镀的半导体晶片。

公开(公告)号：WO2004046415A1

公开(公告)日：2004-06-03

申请号：PCT/JP2003/013251

申请日：2003-10-16

Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

Inventor： 岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01L21/2855 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C23C14/185 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/76873 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: Alを0.5～4.0wt%含有し、Siが0.5wtppm以下である銅合金スパッタリングターゲット及びSnを0.5～4.0wt%含有し、Mnが0.5wtppm以下である銅合金スパッタリングターゲット並びにこれらにSb,Zr,Ti,Cr,Ag,Au,Cd,In,Asから選択した1又は2以上を総量で1.0wtppm以下含有する銅合金スパッタリングターゲット。半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同ターゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供することを課題とする。

Abstract translation: 包含0.5〜4.0重量％的Al和0.5重量ppm以下的Si的第一铜合金溅射靶; 包含Sn：0.5〜4.0重量％，Mn：0.5重量ppm以下的第二铜合金溅射靶; 所述第一或第二合金溅射靶还包含选自Sb，Zr，Ti，Cr，Ag，Au，Cd，In和As中的一种或多种，​​总量为1.0重量ppm以下; 以及通过使用上述目标形成的半导体元件布线。 上述铜合金溅射靶允许形成用于半导体元件的布线材料，特别是形成电解铜电镀期间稳定，均匀且没有凝结的种子层，并且显示出优异的溅射膜形成特性。

公开(公告)号：WO2003078698A1

公开(公告)日：2003-09-25

申请号：PCT/JP2002/012437

申请日：2002-11-28

Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ ,  相場 玲宏 ,  岡部 岳夫

Inventor： 相場 玲宏 ,  岡部 岳夫

IPC: C25D21/12

CPC classification number: C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  C25D17/10

Abstract: 本発明は、含リン銅アノードを用いる電気銅めっき方法において、1500μm(超)～20000μmの結晶粒径を有する含リン銅アノードを用いることを特徴とする電気銅めっき方法に関する。電気銅めっきを行う際に、めっき液中のアノード側で発生するパーティクルの半導体ウエハ等の被めっき物への付着を防止する半導体ウエハの電気銅めっき方法、電気銅めっき用含リン銅アノード及びこれらを用いてめっきされたパーティクル付着の少ない半導体ウエハを提供することを課題とする。

Abstract translation: 本发明涉及一种使用含磷铜阳极的电解铜电镀方法，其特征在于所用的含磷铜阳极的晶粒尺寸为1500μm至20,000μm。 一种防止电镀液中产生的阳极侧产生的粒子粘附在物体上的电镀铜等半导体晶片的电镀方法; 用于电解镀铜的含磷铜阳极; 并且公开了使用它们进行电镀并且附着有少量颗粒的半导体晶片。

公开(公告)号：WO2005064036A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：PCT/JP2004/017744

申请日：2004-11-30

Applicant: 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

Inventor： 岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

IPC: C23C14/34

CPC classification number: H01J37/3435 ,  C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22C25/00 ,  C23C14/3414

Abstract: 【課題】　銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。 【解決手段】　マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが低ベリリウム銅合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金である銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。また、銅合金バッキングプレートが導電率３５～６０％（ＩＡＣＳ）、０．２％耐力４００～８５０ＭＰａを備えている銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。

Abstract translation: [问题]提供一种铜或铜合金靶/铜合金背板组件，其中铜或铜合金靶与弹性电流的电阻和良好平衡的磁控溅射靶所需的其它特性相结合。 解决问题的手段用于磁控溅射的铜或铜合金靶/铜合金背板组件，其中铜合金背板包括低铍铜合金或Cu-Ni-Si基合金; 铜或铜合金靶/铜合金背板组件，其中铜合金背板具有35至60％（IACS）的导电率和400至850MPa的0.2％屈服强度。

公开(公告)号：WO2003064722A1

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：PCT/JP2002/012697

申请日：2002-12-04

Applicant: 株式会社日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

Inventor： 岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

IPC: C23C14/34

CPC classification number: C22C9/02 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A copper-alloy sputtering target most suitable for formation of an interconnection material of a semiconductor device, particularly for formation of a seed layer, characterized in that the target contains 0.4 to 5 wt% of Sn, and the structure of the target does not substantially contain any precipitates, and the resistivity of the target material is 2.2 microΩcm or more. This target enables formation of an interconnection material of a semiconductor device, particularly a uniform seed layer stable during copper electroplating and is excellent in sputtering film forming characteristics. A method for manufacturing such a target is also disclosed.

Abstract translation: 最适合于形成半导体装置的互连材料的铜合金溅射靶，特别是用于形成种子层的特征在于，所述靶包含0.4〜5重量％的Sn，所述靶的结构基本上不 含有任何析出物，目标材料的电阻率为2.2微欧姆·厘米或更高。 该目标能够形成半导体器件的互连材料，特别是在电镀铜期间稳定的均匀晶种层，并且溅射成膜特性优异。 还公开了制造这种靶的方法。

公开(公告)号：WO2003048429A1

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/JP2002/009014

申请日：2002-09-05

Applicant: 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  相場 玲宏 ,  岡部 岳夫 ,  関口 淳之輔

Inventor： 相場 玲宏 ,  岡部 岳夫 ,  関口 淳之輔

IPC: C25D19/00

CPC classification number: C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  C25D17/001 ,  C25D17/10 ,  C25D21/04

Abstract: An copper electroplating method for performing copper electroplating by using an anode formed of pure copper in which the grain size of the pure copper anode is not greater than 10 microm, or not smaller than 60 microm, or pure copper non-recrystallized. A copper electroplating method of a semiconductor wafer which can suppress generation of particles such as sludge on the anode side in plating liquid and prevent adhesion of particles to the semiconductor wafer when performing the copper electroplating, a pure copper anode for the copper electroplating, and the semiconductor wafer plated thereby with little adhesion of particles.

Abstract translation: 通过使用纯铜阳极形成的阳极，其中纯铜阳极的晶粒尺寸不大于10微米或不小于60微米，或未纯化的纯铜，进行铜电镀铜电镀方法。 一种半导体晶片的铜电镀方法，其可以抑制电镀液中的阳极侧的污泥等颗粒的产生，并且在进行铜电镀时能够防止颗粒向半导体晶片的粘附，铜电镀用纯铜阳极，以及 因此，半导体晶片因此具有很小的颗粒附着力。