公开(公告)号：WO2004083482A1

公开(公告)日：2004-09-30

申请号：PCT/JP2004/001914

申请日：2004-02-19

申请人： 株式会社日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫

发明人： 岡部 岳夫

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  H01L21/2855

摘要： A1又はSnから選んだ少なくとも1元素を0.01～0.5(未満)wt%含有し、Mn又はSiが総量で0.25wtppm以下であることを特徴とする銅合金スパッタリングターゲット。半導体素子の配線材、特に銅電気メッキの際に、シート抵抗が小さく、また凝集がなく、安定で均一なシード層を形成させることができ、かつスパッタ成膜特性に優れた銅合金スパッタリングターゲット及び同夕ーゲットを用いて形成された半導体素子配線を提供する。

摘要翻译： 一种铜合金溅射靶，其特征在于，选自Al和Sn中的至少一种元素的含量为0.01至小于0.5重量％，而Mn和Si的总量不大于0.25重量ppm; 和半导体元件布线材料。 特别是能够形成稳定的均质种子层的铜合金溅射靶，该铜合金溅镀靶在溅射成膜特性方面更优异，能够在铜电镀中形成低聚集度，薄片电阻低的铜合金溅射靶; 以及通过使用靶材形成的半导体元件布线。

公开(公告)号：WO2003035943A1

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：PCT/JP2002/007038

申请日：2002-07-11

申请人： 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  相場 玲宏 ,  関口 淳之輔 ,  宮下 博仁 ,  澤村 一郎

发明人： 岡部 岳夫 ,  相場 玲宏 ,  関口 淳之輔 ,  宮下 博仁 ,  澤村 一郎

IPC分类号： C25D17/10

CPC分类号： C25D7/12 ,  C25D17/10

摘要： An electrolytic copper plating method characterized by carrying out electrolytic copper plating by using phosphorus-containing copper as an anode, wherein the crystal particle size of the phosphorus-containing copper anode is 10-1500 mum when an anode current density at electrolyzing is at least 3A/dm2, and the crystal particle size of the anode is 5-1500 mum when an anode current density at electrolyzing is less than 3A/dm2. A method of electrolytic-copper-plating a semiconductor wafer which restricts particles such as sludge occurring on the anode side in a plating solution and prevents deposition of particles on the semiconductor wafer, an electrolytic copper plating-use phosphorus-containing copper anode, and a semiconductor wafer with little particles deposition plated by using them.

摘要翻译： 一种电解铜电镀方法，其特征在于通过使用含磷铜作为阳极进行电解镀铜，其中当电解时的阳极电流密度为至少3A时，含磷铜阳极的结晶粒径为10-1500μm / dm 2，当电解时的阳极电流密度小于3A / dm 2时，阳极的结晶粒径为5〜1500μm。 一种半导体晶片的电解镀铜方法，其限制电镀液中阳极侧产生的污泥等颗粒，防止颗粒沉积在半导体晶片上，电解铜电镀用含磷铜阳极和 通过使用它们几乎没有颗粒沉积电镀的半导体晶片。

公开(公告)号：WO2005064036A1

公开(公告)日：2005-07-14

申请号：PCT/JP2004/017744

申请日：2004-11-30

申请人： 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

发明人： 岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： H01J37/3435 ,  C22C9/06 ,  C22C9/10 ,  C22C25/00 ,  C23C14/3414

摘要： 【課題】　銅又は銅合金スパッタリングターゲットに対して、耐渦電流特性とその他のマグネトロンスパッタリングターゲットに必要とされる特性をバランス良く両立させた銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体を提供することを課題とする。 【解決手段】　マグネトロンスパッタリングに使用する銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体であって、銅合金バッキングプレートが低ベリリウム銅合金又はＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金である銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。また、銅合金バッキングプレートが導電率３５～６０％（ＩＡＣＳ）、０．２％耐力４００～８５０ＭＰａを備えている銅又は銅合金ターゲット／銅合金バッキングプレート組立体。

摘要翻译： [问题]提供一种铜或铜合金靶/铜合金背板组件，其中铜或铜合金靶与弹性电流的电阻和良好平衡的磁控溅射靶所需的其它特性相结合。 解决问题的手段用于磁控溅射的铜或铜合金靶/铜合金背板组件，其中铜合金背板包括低铍铜合金或Cu-Ni-Si基合金; 铜或铜合金靶/铜合金背板组件，其中铜合金背板具有35至60％（IACS）的导电率和400至850MPa的0.2％屈服强度。

公开(公告)号：WO2003064722A1

公开(公告)日：2003-08-07

申请号：PCT/JP2002/012697

申请日：2002-12-04

申请人： 株式会社日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

发明人： 岡部 岳夫 ,  宮下 博仁

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C22C9/02 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C23C14/3414 ,  H01L23/53233 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A copper-alloy sputtering target most suitable for formation of an interconnection material of a semiconductor device, particularly for formation of a seed layer, characterized in that the target contains 0.4 to 5 wt% of Sn, and the structure of the target does not substantially contain any precipitates, and the resistivity of the target material is 2.2 microΩcm or more. This target enables formation of an interconnection material of a semiconductor device, particularly a uniform seed layer stable during copper electroplating and is excellent in sputtering film forming characteristics. A method for manufacturing such a target is also disclosed.

摘要翻译： 最适合于形成半导体装置的互连材料的铜合金溅射靶，特别是用于形成种子层的特征在于，所述靶包含0.4〜5重量％的Sn，所述靶的结构基本上不 含有任何析出物，目标材料的电阻率为2.2微欧姆·厘米或更高。 该目标能够形成半导体器件的互连材料，特别是在电镀铜期间稳定的均匀晶种层，并且溅射成膜特性优异。 还公开了制造这种靶的方法。

公开(公告)号：WO2003048429A1

公开(公告)日：2003-06-12

申请号：PCT/JP2002/009014

申请日：2002-09-05

申请人： 株式会社 日鉱マテリアルズ ,  相場 玲宏 ,  岡部 岳夫 ,  関口 淳之輔

发明人： 相場 玲宏 ,  岡部 岳夫 ,  関口 淳之輔

IPC分类号： C25D19/00

CPC分类号： C25D7/123 ,  C25D3/38 ,  C25D17/001 ,  C25D17/10 ,  C25D21/04

摘要： An copper electroplating method for performing copper electroplating by using an anode formed of pure copper in which the grain size of the pure copper anode is not greater than 10 microm, or not smaller than 60 microm, or pure copper non-recrystallized. A copper electroplating method of a semiconductor wafer which can suppress generation of particles such as sludge on the anode side in plating liquid and prevent adhesion of particles to the semiconductor wafer when performing the copper electroplating, a pure copper anode for the copper electroplating, and the semiconductor wafer plated thereby with little adhesion of particles.

摘要翻译： 通过使用纯铜阳极形成的阳极，其中纯铜阳极的晶粒尺寸不大于10微米或不小于60微米，或未纯化的纯铜，进行铜电镀铜电镀方法。 一种半导体晶片的铜电镀方法，其可以抑制电镀液中的阳极侧的污泥等颗粒的产生，并且在进行铜电镀时能够防止颗粒向半导体晶片的粘附，铜电镀用纯铜阳极，以及 因此，半导体晶片因此具有很小的颗粒附着力。

公开(公告)号：WO2013038983A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/JP2012/072726

申请日：2012-09-06

申请人： JX日鉱日石金属株式会社 ,  長田 健一 ,  大月 富男 ,  岡部 岳夫 ,  牧野 修仁 ,  福嶋 篤志

发明人： 長田　健一 ,  大月　富男 ,  岡部　岳夫 ,  牧野　修仁 ,  福嶋　篤志

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C9/05 ,  C22F1/08 ,  C22F1/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C22C9/05 ,  C22F1/00 ,  C22F1/08

摘要： Ｍｎ０．０５～２０ｗｔ％を含有し、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットにおけるＭｎ濃度の面内バラツキ（ＣＶ値）が３％以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。このように、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、スパッタリングターゲットの面内バラツキを少なくすることにより、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することができる。特に、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。

摘要翻译： [摘要]一种高纯度铜锰合金溅射靶，其含有0.05〜20重量％的Mn，其中Cu和不可避免的杂质构成平衡，其中高纯度铜锰合金溅射靶的特征在于， 目标中Mn浓度的平面变化（CV值）为3％以下。 因此，可以通过向铜中添加适量的元素Mn，并减少溅射靶的面内变化，形成具有异常均匀性的薄膜。 特别是提供了高纯度的铜 - 锰合金溅射靶，其可用于提高高精度和集成度的半导体产品的产率和可靠性。

公开(公告)号：WO2004079039A1

公开(公告)日：2004-09-16

申请号：PCT/JP2004/000448

申请日：2004-01-21

申请人： 株式会社日鉱マテリアルズ ,  岡部 岳夫 ,  入間田 修一 ,  山越 康廣 ,  宮下 博仁 ,  鈴木 了

发明人： 岡部 岳夫 ,  入間田 修一 ,  山越 康廣 ,  宮下 博仁 ,  鈴木 了

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C22C27/00 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/31645 ,  Y10S148/158

摘要： 本発明は1、Hfに、Zr若しくはTiのいずれか、又は双方を総計で100wtppm-10wt%含有することを特徴とするハフニウム合金ターゲットであり、平均結晶粒径が1-100μm、不純物であるFe、Cr、Niがそれぞれ1wtppm以下、さらに{002}とこの面から35゜以内にある{103}、{014}、{015}の4つの面の晶癖面配同率が55%以上で、かつ場所による4つの面の強度比の総和のばらつきが20%以下であるハフニウム合金ターゲットに関する。成膜特性や成膜速度が良好であり、パーティクルの発生が少なく、HfO又はHfON膜等の高誘電体ゲート絶縁膜の形成に好適なハフニウム合金ターゲット及びその製造方法を得る。

摘要翻译： 一种铪合金靶，其特征在于在I和Hf中，Zr和Ti中的任一种或两者的含量为100重量ppm至10重量％。 其平均结晶粒径在1〜100μm的范围内，其中杂质Fe，Cr和Ni的含量为1重量ppm以下。 此外，对于铪合金靶，由{002}面构成的四个平面的晶体习惯面取向因子，与该平面成比例的{103}，{014}和{015}面的35°以内，为55％ 以上，并且根据位置的四平面强度比的总和的分散为20％以下。 铪合金靶的成膜性和成膜速度优异，可以减少颗粒发生，适合于形成HfO膜，HfON膜等高介电栅极绝缘膜。 另外，提供了一种铪合金靶的制造方法。

公开(公告)号：WO2013047199A1

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：PCT/JP2012/073273

申请日：2012-09-12

申请人： JX日鉱日石金属株式会社 ,  長田 健一 ,  大月 富男 ,  岡部 岳夫 ,  牧野 修仁 ,  福嶋 篤志

发明人： 長田　健一 ,  大月　富男 ,  岡部　岳夫 ,  牧野　修仁 ,  福嶋　篤志

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285

CPC分类号： H01J37/3435 ,  B21D53/00 ,  C22C9/05 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3414 ,  H01J37/3426

摘要： 【要約書】 バッキングプレート一体型スパッタリングターゲットにおいて、フランジ部におけるビッカース硬度Ｈｖが９０以上、かつ、フランジ部における０．２％降伏応力が６．９８×１０ ７ Ｎ／ｍ ２ 以上であることを特徴とするバッキングプレート一体型スパッタリングターゲット。ターゲットのフランジ部のみの機械的強度を高めることにより、スパッタ中のターゲットの変形を抑制することができ、さらには、従来のスパッタ特性を変えることがなく、均一性（ユニフォーミティ）に優れた薄膜を形成することを可能にすることができる。これにより、微細化・高集積化が進む半導体製品の歩留まりや信頼性を向上することができる。

摘要翻译： 一种具有一体式背板的溅射靶，其特征在于，凸缘部分的维氏硬度（Hv）至少为90°，凸缘部分的0.2％屈服应力为至少6.98×10 7 N / m 2。 通过仅增加目标的凸缘部的机械强度，可以抑制溅射时的靶的变形，而且，可以制造高度均匀的薄膜，而不会有现有技术的可变溅射特性。 结果，可以提高半导体产品的可靠性和产量，其小型化和高集成度不断前进。

公开(公告)号：WO2013038962A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：PCT/JP2012/072541

申请日：2012-09-05

申请人： JX日鉱日石金属株式会社 ,  長田 健一 ,  大月 富男 ,  岡部 岳夫 ,  牧野 修仁 ,  福嶋 篤志

发明人： 長田　健一 ,  大月　富男 ,  岡部　岳夫 ,  牧野　修仁 ,  福嶋　篤志

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C9/05 ,  H01L21/285 ,  H01L21/28

CPC分类号： C23C14/14 ,  C22C9/05 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3426

摘要： Ｍｎ０．０５～２０ｗｔ％を含有し、Ｃ２ｗｔｐｐｍ以下、残部がＣｕ及び不可避的不純物である高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットであって、当該ターゲットをスパッタリングしてウエハ上に成膜した際、ＣまたはＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素またはＣとＭｎ、Ｓｉ、Ｍｇから選ばれる少なくとも１種の元素とからなる化合物の直径０．２０μｍ以上のパーティクルの数が平均３０個以下であることを特徴とする高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲット。 このように、銅に適切な量のＭｎ元素を添加すると共に、カーボンの量を制限することにより、スパッタリングの際のパーティクル発生を効果的に抑制することができる。特に、自己拡散抑制機能を有した半導体用銅合金配線を形成するために有用な、高純度銅マンガン合金スパッタリングターゲットを提供する。

摘要翻译： [摘要]一种高纯度铜锰合金溅射靶，其含有0.05〜20重量％的Mn和2重量ppm以下的C，余量由Cu和不可避免的杂质构成，其中，高纯度的铜 - 锰 - 合金溅射靶的特征在于，当靶被溅射并且在晶片上形成膜时，平均具有30个或更少的粒子，其直径选自C，Mn，Si等中的至少一种元素的0.20μm或更大， 和镁; 或包含选自C，Mn，Si和Mg中的至少一种元素的化合物。 因此，向铜中添加适量的元素Mn并限制碳的量使得有可能在溅射时有效地最小化颗粒的产生。 特别地，提供了一种高纯度铜 - 锰合金溅射靶，其可用于形成具有自扩散最小化功能的半导体的铜合金布线。

公开(公告)号：WO2013027425A1

公开(公告)日：2013-02-28

申请号：PCT/JP2012/052486

申请日：2012-02-03

申请人： JX日鉱日石金属株式会社 ,  牧野 修仁 ,  岡部 岳夫 ,  塚本 志郎

发明人： 牧野　修仁 ,  岡部　岳夫 ,  塚本　志郎

IPC分类号： C23C14/34 ,  C22C14/00

CPC分类号： H01J37/3426 ,  C22C14/00 ,  C22F1/183 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429

摘要： 【要約書】高純度チタンターゲットであって、添加成分として、Ａｌ、Ｓｉ、Ｓ、Ｃｌ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ａｓ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｂ、Ｌａから選択される１種以上の元素を合計３～１００質量ｐｐｍ含有し、添加成分とガス成分を除き、ターゲットの純度が９９．９９質量％以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。ハイパワースパッタリング（高速スパッタリング）時においても亀裂や割れの発生がなく、スパッタリング特性を安定させることのできる高品質のスパッタリング用チタンターゲットを提供することを課題とする。

摘要翻译： 作为高纯度钛靶的溅射用钛靶，其特征在于，所述靶含有选自Al，Si，S，Cl，Cr，Fe，Ni，As，Zr，Sn，Sb，B， 和La作为添加成分，总量为3〜100质量ppm，除添加成分和气体成分以外的目标纯度为99.99质量％以上。 用于溅射的钛靶具有如此高的质量，即使在大功率溅射（高速溅射）期间靶也不会破裂或破损，并且可以具有稳定的溅射特性。