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公开(公告)号：WO2017171214A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/KR2017/000838
申请日：2017-01-24
申请人： 한양대학교 에리카산학협력단
摘要： 본 발명은, 절연층이 구비된 기판; 상기 절연층 상부에 구비된 씨드층(seed layer); 상기 씨드층 상부에 구비된 열전 박막(thermoelectric thin film); 상기 열전 박막 상부에 구비된 전극; 상기 전극 상부에 구비되고 감지하려는 가스와 접촉하여 발열 반응을 일으키는 촉매층; 및 상기 전극과 전기적으로 연결되는 전극선을 포함하며, 상기 열전 박막은 칼코지나이드를 포함하는 물질로 이루어지고, 상기 칼코지나이드는 셀레늄(Se) 및 텔루륨(Te)으로 이루어진 군으로부터 선택된 1종 이상의 칼코겐을 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 열화학 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 소형화가 가능하고, 열전 박막을 기반으로 하므로 가스를 감지할 수 있는 농도 영역대가 넓으며, 반복되어 가스에 노출되어도 열전 박막에 상변화와 같은 물리/화학적 변화를 수반하지 않으며, 감지하고자 하는 가스와 선택적으로 반응하는 촉매의 변화를 통해 원하는 종류의 다양한 가스를 감지할 수 있다.
摘要翻译： 本发明涉及一种设置有绝缘层的基板; 设置在绝缘层上的种子层; 设置在种子层上的热电薄膜; 设置在热电薄膜上的电极; 设置在电极上并接触待检测气体以产生放热反应的催化剂层; 并且包括连接到所述电极的电极线，所述热电薄膜的材料制成的，其包括刀浩二砷，刀浩二砷是从由硒（Se）中和碲的组中选出（Te）的 或更多的含硫属化合物。 根据本发明，尺寸减小是可能的，并且其基于在所述导热薄膜作为宽的浓度区域时在该热胶片暴露于气体能够检测气体交换，反复进行不涉及物理/化学变化，如相变， 通过改变与待检测气体选择性反应的催化剂，可以检测各种所需类型的气体。
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公开(公告)号：WO2016157251A1
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：PCT/JP2015/001852
申请日：2015-03-31
申请人： 株式会社JCU
发明人： 村山 隆史
摘要： 【課題】 表面に溝や穴からなる微細パターンを有する作業対象物を処理するための処理液の脱気度を、気体の種類等を問わず確実に判定する。 【解決手段】 本発明の処理液の脱気判定方法は、表面に溝や穴からなる微細パターンを有する作業対象物を処理するための処理液に含まれる気体の脱気を行う脱気処理槽内に、当該脱気処理槽内の前記処理液の脱気度を判定するための、表面に所要の凹凸を有する微細パターンを備えた疑似作業対象物を浸漬し、該疑似作業対象物の表面状態の時間変化に応じて、前記処理液の脱気度を判定する。
摘要翻译： [问题]为了可靠地评价用于处理具有包括其表面中的凹槽或孔的精细图案的工件的处理液的脱气程度，而不管气体的类型等。 [解决方案]用于评价处理液体的脱气的方法包括：将设置有具有所需突起和凹部的精细图案的伪加工对象浸渍在脱气处理槽中，用于对包含在处理液中的气体进行脱气， 处理在其表面具有包括凹槽或孔的精细图案的工件，以评估脱气处理槽中的处理气体的脱气程度; 以及根据伪作物的表面状态随时间的变化来评价处理液体的脱气程度。
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公开(公告)号：WO2016062206A1
公开(公告)日：2016-04-28
申请号：PCT/CN2015/091697
申请日：2015-10-11
申请人： 苏州易益新能源科技有限公司
CPC分类号： H01L31/022425 , C25D5/006 , C25D5/026 , C25D5/028 , C25D5/08 , C25D7/12 , C25D17/00 , C25D17/001 , C25D17/005 , H01L31/18
摘要： 一种在薄片基板（90）上实施电化学沉积金属的方法，上金属阳极（20）置于电解质溶液（40）液位（42）上方，电解质溶液（40）在接触上金属阳极（20）后自上而下地流到薄片基板（90）的上表面（310）。上金属阳极（20）在正电势的作用下发生氧化反应，失去电子生成金属离子后随电解质溶液（40）流下到薄片基板（90）的上表面（310）。电解质溶液（40）中的金属离子在薄片基板（90）上的阴极获得电子，生成金属并沉积在薄片基板（90）的阴极表面（310）。
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公开(公告)号：WO2015199047A1
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：PCT/JP2015/067951
申请日：2015-06-23
申请人： 株式会社村田製作所
摘要： ウェハの出し入れを容易にすることができるとともに、めっき液が内部に残留しにくいめっき用治具を提供する。 本発明に係るめっき用治具１０は、被めっき基材であるウェハ７の一方の面に当接する保持ベース本体１２１と、保持ベース本体１２１と独立して、ウェハ７の面に対して平行に移動可能な複数の係止部１２２とを有する保持ベース１２と、ウェハ７の他方の面の外縁に当接するかぶせ部材本体１３１と、かぶせ部材本体１３１から外側に向けて突出する複数の被係止部１３２とを有するかぶせ部材１３とを備える。複数の係止部１２２を移動させて複数の被係止部１３２を係止し、ウェハ７を保持ベース１２及びかぶせ部材１３の間に挟んで保持する。
摘要翻译： 提供一种电镀夹具，通过该电镀夹具可以方便装载和卸载晶片，并且其中电镀液不太可能残留在其内部。 根据本发明的电镀夹具（10）设置有：保持基座（12），其具有与要被电镀的基板的晶片（7）的一个表面接触的保持基体（121） 以及多个与所述晶片（7）的表面平行移动的闩锁部（122），与所述保持基体（121）无关。 以及具有与所述晶片（7）的另一个表面的外缘接触的覆盖部件主体（131）的覆盖部件（13），以及从所述覆盖部件主体向外侧突出的多个闩锁部（132） 131）。 闩锁部件122被移动并使闩锁部件132锁定，并且通过夹持在保持基座12和覆盖部件13之间来保持晶片7。
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公开(公告)号：WO2015137442A1
公开(公告)日：2015-09-17
申请号：PCT/JP2015/057290
申请日：2015-03-12
申请人： 東京エレクトロン株式会社
发明人： 岩津 春生
IPC分类号： C25D5/02 , C25D7/12 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： C25D7/12 , C25D5/003 , C25D17/001 , C25D17/02 , C25D17/10 , H01L21/2885 , H01L21/76898
摘要： 基板処理方法は、複数の半導体チップが形成された基板の表面全面にアライメント液を供給し、厚み方向に貫通するアライメント液排出孔が形成された対向基板を、アライメント液を挟んで基板上に配置し、半導体チップ相互間のスクライブラインからアライメント液排出孔を介して対向基板の上面側に毛細管現象によってアライメント液を排出すると共に、対向基板と基板との間においてスクライブライン上に形成される空間に空気を供給して、半導体チップの周縁部と対向基板との間に気液界面を形成し、気液界面におけるアライメント液の表面張力によって、基板に対する対向基板の位置調整を行う。
摘要翻译： 在本发明中，基板处理方法包括：向其上形成有多个半导体芯片的基板的整个表面供给取向溶液; 在其上形成有对准基板，其中已经形成贯穿厚度方向的取向溶液排出孔在基板上，其间具有取向溶液; 通过毛细作用将取向溶液经由来自半导体芯片之间的划线的取向溶液排出孔和对置基板与基板之间的区域中的对准溶液排出孔排出到对置基板的上表面侧， 以在半导体芯片的边缘和对置基板的边缘之间形成气液界面; 以及通过对准溶液在气 - 液界面处的表面张力来调整相对基板相对于基板的位置。
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6.发明申请METHOD FOR DEPOSITING A COPPER SEED LAYER ONTO A BARRIER LAYER AND COPPER PLATING BATH 审中-公开将一层铜层沉积在一个障碍层和铜层上的方法
公开(公告)号：WO2015043975A1
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：PCT/EP2014/069410
申请日：2014-09-11
IPC分类号： C23C18/40
CPC分类号： C23C18/40 , C23C18/1633 , C23C18/1653 , C23C18/1683 , C25D3/38 , C25D5/00 , C25D7/12 , H01L21/288 , H01L21/76873 , H01L21/76898
摘要： The present invention relates to a method for providing a copper seed layer on top of a barrier layer wherein said seed layer is deposited onto said barrier layer from an aqueous electroless copper plating bath comprising a water-soluble source for Cu(II) ions, a reducing agent for Cu(II) ions, at least one complexing agent for Cu(II) ions and at least one source for hydroxide ions selected from the group consisting of RbOH, CsOH and mixtures thereof. The resulting copper seed layer has a homogeneous thickness distribution and a smooth outer surface which are both desired properties.
摘要翻译： 本发明涉及一种在阻挡层的顶部上提供铜籽晶层的方法，其中所述籽晶层由包含Cu（II）离子的水溶性源的水性无电镀铜浴沉积到所述阻挡层上， 用于Cu（II）离子的还原剂，用于Cu（II）离子的至少一种络合剂和至少一种选自RbOH，CsOH及其混合物的氢氧根离子源。 所得到的铜种子层具有均匀的厚度分布和光滑的外表面，它们都是期望的性质。
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公开(公告)号：WO2014179234A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/US2014/035731
申请日：2014-04-28
发明人： MOORE, Robert, B. , SILVETTI, David , WIRTH, Paul , HARRIS, Randy
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/687
CPC分类号： C25D17/06 , C25D7/12 , C25D17/001 , C25D17/005 , H01L21/68707 , H01L21/68721 , H01L21/68764 , H01L21/76879
摘要： In a processing system for electroplating semiconductor wafers and similar substrates, the contact ring of the electroplating processor is removed from the rotor of the processor and replaced with a previously deplated contact ring. This allows the contact ring to be deplated in ring service module of the system, while the processor continues to operate. Wafer throughput is improved. The contact ring may be attached to a chuck for moving the contact ring between the processors and the ring service module, with the chuck quickly attachable and releasable to the rotor.
摘要翻译： 在用于电镀半导体晶片和类似衬底的处理系统中，电镀处理器的接触环从处理器的转子移除，并被先前去绝缘的接触环替代。 这允许接触环在系统的环形服务模块中脱落，同时处理器继续工作。 晶圆生产量提高。 接触环可以附接到卡盘，用于使处理器和环形服务模块之间的接触环移动，卡盘可快速地附接和释放到转子上。
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公开(公告)号：WO2014149245A1
公开(公告)日：2014-09-25
申请号：PCT/US2014/015876
申请日：2014-02-11
发明人： GEBREGZIABIHER, Daniel, K. , KLOCKE, John , SHARBONO, Charles , THAMBIDURAI, Chandru , ERICKSON, David, J.
IPC分类号： H01L21/288
CPC分类号： C25D21/12 , C25D5/18 , C25D7/12 , H01L21/2885 , H01L21/76898
摘要： A method for electroplating a wafer detects plating bath failure based on a voltage change. The method is useful in plating wafers having TSV features. Voltage of each anode of a plating processor may be monitored. An abrupt drop in voltage signals a bath failure resulting from conversion of an accelerator such as SPS to it's by products MPS. Bath failure is delayed or avoided by current pulsing or current ramping. An improved plating bath has a catholyte with a very low acid concentration.
摘要翻译： 基于电压变化的电镀电镀方法检测电镀槽故障。 该方法在具有TSV特征的电镀晶片中是有用的。 可以监测电镀处理器的每个阳极的电压。 电压的突然下降表明由诸如SPS的加速器转换为由产品MPS引起的浴槽故障。 通过当前的脉冲或电流斜坡延迟或避免浴液故障。 改进的电镀浴具有非常低的酸浓度的阴极电解液。
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公开(公告)号：WO2014095356A1
公开(公告)日：2014-06-26
申请号：PCT/EP2013/075425
申请日：2013-12-03
发明人： WEINHOLD, Ray , WIENER, Ferdinand
摘要： The present invention is related to a device for vertical galvanic metal, preferably copper, deposition on a substrate wherein the device comprises at least a first device element and a second device element, which are arranged in a vertical manner parallel to each other, wherein the first device element comprises at least a first anode element having a plurality of through-going conduits and at least a first carrier element having a plurality of through-going conduits, wherein said at least first anode element and said at least first carrier element are firmly connected to each other; and wherein the second device element comprises at least a first substrate holder which is adapted to receive at least a first substrate to be treated, wherein said at least first substrate holder is at least partially surrounding the at least first substrate to be treated along its outer frame after receiving it; and wherein the distance between the first anode element of the at least first device element and the at least first substrate holder of the second device element ranges from 2 to 15 mm. Further, the present invention is generally directed to a method for vertical galvanic metal deposition on a substrate using such a device.
摘要翻译： 本发明涉及用于垂直电偶金属的装置，优选铜沉积在基板上，其中该装置包括至少第一装置元件和第二装置元件，它们以垂直方式彼此平行地布置，其中， 第一装置元件至少包括具有多个贯穿管道的第一阳极元件和至少具有多个贯穿管道的第一载体元件，其中所述至少第一阳极元件和所述至少第一载体元件牢固地 相互连接; 并且其中所述第二装置元件包括至少第一衬底保持器，所述第一衬底保持器适于容纳至少第一待处理衬底，其中所述至少第一衬底保持器至少部分地围绕所述待处理的至少第一衬底沿其外部 收到后的框架; 并且其中所述至少第一器件元件的第一阳极元件与所述第二器件元件的所述至少第一衬底保持器之间的距离为2至15mm。 此外，本发明一般涉及使用这种装置在基板上垂直电偶金属沉积的方法。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO2014016544A3
公开(公告)日：2014-05-01
申请号：PCT/GB2013000322
申请日：2013-07-24
申请人： UNIV SOUTHAMPTON
CPC分类号： C25D7/12 , C25D3/02 , C25D3/26 , C25D3/30 , C25D3/32 , C25D3/34 , C25D3/36 , C25D3/44 , C25D3/54 , C25D3/56 , C25D3/60 , C25D5/02 , C25D5/18 , C25D9/08 , H01L21/02381 , H01L21/02491 , H01L21/02549 , H01L21/02628 , H01L45/06 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/1683
摘要： A process for the electrochemical deposition of a semiconductor material, which process comprises: (i) providing a non-aqueous solvent; (ii) providing at least one precursor salt which forms a source of the constituent elements within the semiconductor material to be deposited; and (iii) electrodepositing the semiconductor material onto an electrode substrate using the precursor salt in the non-aqueous solvent, characterised in that: (iv) the semiconductor material is a p-block or a post-transition metal semiconductor material containing at least one p-block element or post-transition metal; and (v) the non-aqueous solvent is a halocarbon non-aqueous solvent.
摘要翻译： 一种用于电化学沉积半导体材料的方法，该方法包括：（i）提供非水溶剂; （ii）提供至少一种前体盐，其形成待沉积的半导体材料内的构成元素的来源; 和（iii）使用所述非水溶剂中的所述前体盐将所述半导体材料电沉积到电极衬底上，其特征在于：（iv）所述半导体材料是p型块或后过渡金属半导体材料，其包含至少一种 p型块元件或后过渡金属; 和（v）非水溶剂是卤代烃非水溶剂。
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