公开(公告)号：WO2017097482A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/EP2016/075034

申请日：2016-10-19

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： JACKE, Thomas ,  GRIEB, Michael ,  BANZHAF, Christian Tobias ,  RAMBACH, Martin

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7805

Abstract: Erfindungsgemäß wird ein Transistor (1) zur Verfügung gestellt, umfassend ein Substrat (2) eines ersten Dotierungstyps, eine Epitaxieschicht (3) des ersten Dotierungstyps oberhalb des Substrats (2); eine Kanalschicht eines zweiten, vom ersten verschiedenen Dotierungstyps oberhalb der Epitaxieschicht (3); eine Vielzahl von Trenches (8) in der Kanalschicht (4), die eine innerhalb der Trenches (8) befindliche Gate-Elektrode (9) aufweisen und von einem Source-Anschluss (6) des ersten Dotierungstyps oberhalb der Kanalschicht (4) umrandet sind; eine Vielzahl von Abschirmgebieten (7) des zweiten Dotierungstyps, die unterhalb der Gate-Elektrode (9) angeordnet sind. Erfindungsgemäß bilden die Abschirmgebiete (7) unterhalb der Trenches (8) miteinander einen Verbund der Abschirmgebiete (7), und mehrere Abschirmgebiete (7) werden gemeinsam zu Anschlüssen (19) für die Abschirmgebiete (7) zur Kontaktierung geführt.

Abstract translation: 发明＆lt; 用于AV导航中使用的晶体管（1），供给提供，其包括基材（2）的第一掺杂类型的，外延层（3）的第一掺杂类型的衬底之上的（2）; 在所述外延层（3）之上的与所述第一掺杂类型不同的第二沟道层; 多个在所述沟道层的沟槽（8）的（4），其具有（8），其位于栅电极（9）和一个源终端（6）的第一掺杂类型的沟道层上方的（4）所界定的沟槽的内 ; 多个第二掺杂型屏蔽区域（7），所述多个第二掺杂型屏蔽区域设置在所述栅电极（9）下方。 发明＆AUML;大街 形成Abschirmgebiete（7）在沟槽下面（8）一起形成Abschirmgebiete（7）的复合物，以及多个Abschirmgebiete的（7）共同康恩导航用途HRT; SEN（19）的F导航用途r是Abschirmgebiete用于接触实测值导航使用（7）。

公开(公告)号：WO2015106863A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：PCT/EP2014/075277

申请日：2014-11-21

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： QU, Ning ,  JACKE, Thomas ,  GRIEB, Michael ,  RAMBACH, Martin

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7397

Abstract: Es wird ein SiC-Trench-Transistor (1) mit einem ersten Anschluss (2), einer vertikal zwischen einem Gate-Trench (3) und einem zweiten Anschluss (5) angeordneten Epitaxieschicht (4) beschrieben, wobei eine sich horizontal erstreckende Kompensationsschicht (6) in der Epitaxieschicht (4) vorgesehen ist, die eine effektive Dotierung mit entgegengesetztem Typ zu der Dotierung der Epitaxieschicht (4) aufweist. Ferner wird ein Verfahren zur Herstellung eines SiC-Trench-Transistors (1) vorgeschlagen, wobei eine Epitaxieschicht (4) auf einem zweiten Anschluss (5) des SiC-Trench-Transistors (1) vorgesehen wird; eine sich horizontal erstreckende Kompensationsschicht (6) in die Epitaxieschicht (4) implantiert wird, die eine effektive Dotierung mit entgegengesetztem Typ zu der Dotierung der Epitaxieschicht (4) aufweist; und ein erster Anschluss (2) und ein Gate-Trench (3) oberhalb der Kompensationsschicht (6) vorgesehen wird.

Abstract translation: 它是（1）具有第一端子（2），布置在栅极沟槽（3）和第二端子（5）外延层（4），其特征在于，水平延伸的补偿层之间的垂直（在SiC沟槽晶体管 6）在将外延层（4）提供具有相反类型的外延层（4）的掺杂的有效掺杂。 此外，用于制造的SiC沟槽晶体管（1）提出了一种方法，其中提供所述SiC沟槽晶体管（1）的第二端子（5）上的外延层（4）; 在外延层（4）的水平延伸的补偿层（6）被植入，其具有相反类型的有效掺杂外延层（4）的掺杂; 并且，提供了一种第一终端（2）和补偿层（6）上面的栅极沟槽（3）。