公开(公告)号：WO2017097482A1

公开(公告)日：2017-06-15

申请号：PCT/EP2016/075034

申请日：2016-10-19

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： JACKE, Thomas ,  GRIEB, Michael ,  BANZHAF, Christian Tobias ,  RAMBACH, Martin

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/7805

Abstract: Erfindungsgemäß wird ein Transistor (1) zur Verfügung gestellt, umfassend ein Substrat (2) eines ersten Dotierungstyps, eine Epitaxieschicht (3) des ersten Dotierungstyps oberhalb des Substrats (2); eine Kanalschicht eines zweiten, vom ersten verschiedenen Dotierungstyps oberhalb der Epitaxieschicht (3); eine Vielzahl von Trenches (8) in der Kanalschicht (4), die eine innerhalb der Trenches (8) befindliche Gate-Elektrode (9) aufweisen und von einem Source-Anschluss (6) des ersten Dotierungstyps oberhalb der Kanalschicht (4) umrandet sind; eine Vielzahl von Abschirmgebieten (7) des zweiten Dotierungstyps, die unterhalb der Gate-Elektrode (9) angeordnet sind. Erfindungsgemäß bilden die Abschirmgebiete (7) unterhalb der Trenches (8) miteinander einen Verbund der Abschirmgebiete (7), und mehrere Abschirmgebiete (7) werden gemeinsam zu Anschlüssen (19) für die Abschirmgebiete (7) zur Kontaktierung geführt.

Abstract translation: 发明＆lt; 用于AV导航中使用的晶体管（1），供给提供，其包括基材（2）的第一掺杂类型的，外延层（3）的第一掺杂类型的衬底之上的（2）; 在所述外延层（3）之上的与所述第一掺杂类型不同的第二沟道层; 多个在所述沟道层的沟槽（8）的（4），其具有（8），其位于栅电极（9）和一个源终端（6）的第一掺杂类型的沟道层上方的（4）所界定的沟槽的内 ; 多个第二掺杂型屏蔽区域（7），所述多个第二掺杂型屏蔽区域设置在所述栅电极（9）下方。 发明＆AUML;大街 形成Abschirmgebiete（7）在沟槽下面（8）一起形成Abschirmgebiete（7）的复合物，以及多个Abschirmgebiete的（7）共同康恩导航用途HRT; SEN（19）的F导航用途r是Abschirmgebiete用于接触实测值导航使用（7）。

公开(公告)号：WO2019141669A1

公开(公告)日：2019-07-25

申请号：PCT/EP2019/050905

申请日：2019-01-15

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BARTOLF, Holger ,  FEILER, Wolfgang ,  BANZHAF, Christian Tobias

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/12

Abstract: Es wird ein leistungselektronisches Bauelement beschrieben, mit einem Substrat, welches Siliziumcarbid (SiC) umfasst, einem Graben-Metalloxid-Halbleiter- Feldeffekttransistor (TMOS) und einer im Substrat vergrabenen Struktur, die den Graben-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (TMOS) abschirmt. Dabei ist die vergrabene Struktur als zu dem Graben-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor (TMOS) parallel geschalteter Vertikal-doppelt-diffundierter-Metalloxid-Halbleiter- Feldeffekttransistor (VDMOS) ausgebildet.

公开(公告)号：WO2017084788A1

公开(公告)日：2017-05-26

申请号：PCT/EP2016/071960

申请日：2016-09-16

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BANZHAF, Stephanie ,  ROELVER, Robert ,  BANZHAF, Christian Tobias

IPC: H01L21/20 ,  G01R33/07

CPC classification number: H01L21/0262 ,  G01R33/07 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02645

Abstract: Die Erfindung schafft ein Verfahren zum Herstellen eines mikromechanischen Bauteils sowie eine Sensorvorrichtung. Das Verfahren umfasst die Schritte: Bereitstellen eines Halbleitersubstrats mit einer Vorderseite und einer Rückseite; Aufbringen einer elektrischen Isolationsschicht auf die Vorderseite des Halbleitersubstrats; Aufbringen einer Präkursorschicht auf die elektrische Isolationsschicht; Strukturieren der Präkursorschicht derart, dass die Präkursorschicht zumindest bereichsweise auf der elektrischen Isolationsschicht ausgebildet wird; und zumindest bereichsweises Aufwachsen einer homogenen Kohlenstoffschicht in Bereichen der zumindest bereichsweise ausgebildeten Präkursorschicht.

Abstract translation: 本发明提供了一种用于制造微机械部件和传感器装置的方法。 该方法包括以下步骤：提供具有正面和背面的半导体衬底; 将电绝缘层施加到半导体衬底的正面; 将前体层施加到电绝缘层; 以使得前体层至少在电绝缘层上的区域中形成的方式图案化前体层; 并且在至少部分形成的前体层的区域中至少部分地生长均匀碳层

公开(公告)号：WO2015104084A1

公开(公告)日：2015-07-16

申请号：PCT/EP2014/075092

申请日：2014-11-20

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： BANZHAF, Christian Tobias

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/10 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66727 ,  H01L29/66734

Abstract: Die vorliegende Erfindung schafft eine Trench-MOSFET- Transistorvorrichtung und ein entsprechendes Herstellungsverfahren. Die Trench-MOSFET-Transistorvorrichtung umfasst ein Substrat (1) eines ersten Leitungstyps (n + ) mit einer Vorderseite (V) und einer Rückseite (R); einen Drainanschlussbereich (1a) des ersten Leitungstyps (n+) an der Rückseite (R) des Substrats (1), einen sich an den Drainanschlussbereich (la) anschließenden Driftbereich (1 b) des ersten Leitungstyps (n-), einen sich an den Driftbereich (1b) anschließenden ersten Dotierungsbereich (1c) des zweiten Leitungstyps (p) und einen Sourceanschlussbereich (5) des ersten Leitungstyps (n+) an der Vorderseite (V) des Substrats (1); einen ersten Graben (G) mit einer ersten Tiefenerstreckung (T), der ausgehend von der Vorderseite (V) des Substrats (1) in dem Sourceanschlussbereich (5), dem ersten Dotierungsbereich (1c) und dem Driftbereich (1b) gebildet ist und in dem eine Gatestruktur (3, 30) so angeordnet sind, dass durch Anlegen einer Spannung ein Kanalbereich (K) zwischen dem Driftbereich (1 b) und dem Sourceanschlussbereich (5) in dem ersten Dotierungsbereich (1c) bildbar ist; einen zweiten Graben (G'; G1', G2', G3') mit einer zweiten Tiefenerstreckung (Τ'), welche geringer als die erste Tiefenerstreckung (T) ist, welcher ausgehend von der Vorderseite (V) in dem ersten Dotierungsbereich (1c) seitlich vom Sourceanschlussbereich (5) angeordnet ist; und einen unterhalb des zweiten Grabens (G'; G1', G2', G3') vergrabenen zweiten Dotierungsbereich (I; I') des zweiten Leitungstyps (p+) mit einer dritten Tiefenerstreckung (T"), welche mindestens so groß wie die erste Tiefenerstreckung (T) ist.

Abstract translation: 本发明提供了一种沟槽式MOSFET晶体管器件和相应的制造方法。 第一导电型（n +），其具有前侧（V）和一个背面（R）的沟槽MOSFET晶体管器件，包括衬底（1）; 第一导电型（n +）与基板的背面（R）的漏极区域（1A）（1），在其漏极连接区域（LA）的邻近漂移区（1 b）所述第一导电型（n）的，一个在所述漂移区 （1b）中邻接第一杂质区域（1C）在衬底（1）的前侧（V）的第一导电型（n +）的第二导电类型（p）和源极端子区（5）; 第一沟槽具有第一深度的程度（T），其从所述衬底（1）中的源极端子区域的前侧（V）起始（G）（5）中，第一杂质区（1c）和所述漂移区域形成和（1b）中 其中栅极结构（3，30）被布置成使得通过施加电压，漂移区之间的沟道区（K）（1b）和源极端子区域（5）（1c）中，可以形成第一杂质区; 的第二沟槽（G“; G1”，G2“ G3' ）移动到第二深度延伸（Τ”）小于所述第一深度程度（T），其从正面侧（V）起始（在第一杂质区域1c ）被横向地布置的源极端子区（5）; 和一个第二沟槽（G“; G1”，G2“ G3' ）低于掩埋第二杂质区;第二导电型的（I I”）（P +）与第三深度范围（T“），其是至少一样大的第一 是深度程度（T）。

公开(公告)号：WO2021037794A2

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/EP2020/073626

申请日：2020-08-24

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： SCHOLTEN, Dick ,  HEYERS, Klaus ,  FEILER, Wolfgang ,  SCHWAIGER, Stephan ,  ALSMEIER, Jan-Hendrik ,  BANZHAF, Christian Tobias

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: Es wird ein Grabentransistor (100) bereitgestellt, aufweisend: ein Halbleitergebiet (2), eine in dem Halbleitergebiet (2) ausgebildete Grabenstruktur (1), eine Gate-Isolationsschicht (3, 4) und eine auf der Gate-Isolationsschicht (3, 4) ausgebildete elektrisch leitende Gateschicht (5) in der Grabenstruktur (1), und einen Gatekontakt (6), der mit der Gateschicht (5) in einem Randbereich (7a) des Grabentransistors (100) elektrisch leitend verbunden ist, wobei eine Dicke (8) der Gate-Isolationsschicht (3, 4) in dem Randbereich (7a) des Grabentransistors (100) größer ist als in einem aktiven Bereich (7b) des Grabentransistors (100).

公开(公告)号：WO2015150023A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/EP2015/054821

申请日：2015-03-09

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： TRAUTMANN, Achim ,  BANZHAF, Christian Tobias

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813

Abstract: Substrate, die einen Graben aufweisen, der Wände und einen Boden aufweist, finden zunehmend Verwendung für Standardbauteile. Ein Substrat ist dadurch gekennzeichnet, dass das Substrat eine dielektrische Feldplatte (83) aus zumindest einer ersten dielektrischen Schicht umfasst, die lediglich an die unteren Abschnitte der Wände des Grabens (60) und den Boden des Grabens grenzt. Bei Verwendung des Substrats für Leistungstransistoren können parasitäre Kapazitäten verringert werden.

Abstract translation: 具有具有壁和底部的沟槽的衬底，被越来越多地用于标准组件。 的基板的特征在于，所述衬底是电介质场板（83）从至少一个第一介电层，在相邻的只与沟槽（60）和所述沟槽的底部的壁的下部包括。 当使用功率晶体管基板，寄生电容可以被减小。

公开(公告)号：WO2015150268A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：PCT/EP2015/056743

申请日：2015-03-27

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： TRAUTMANN, Achim ,  BANZHAF, Christian Tobias

IPC: H01L21/033 ,  B81C1/00 ,  H01L21/308 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/3088 ,  B81C1/00063 ,  H01L21/0338 ,  H01L21/3086 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

Abstract: Strukturierte Substrate für einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor oder ein mikroelektromechanisches System umfassen beispielsweise eine Siliziumcarbidschicht (10), auf der für ein Verfahren zur Herstellung eines Grabens eine unter Verwendung eines direktlithographisch strukturierten Fotolacks so strukturierte Maskierungsschicht (60') aufgebracht ist, dass mindestens ein Bereich des Substrats freigelegt ist, wobei der freigelegte Bereich eine Breite aufweist, die eine in dem verwendeten Fotolack direktlithographisch minimal darstellbare Breite ist. Das Verfahren ist dadurch gekennzeichnet, dass das Verfahren die Schritte umfasst: (a) Aufbringen eines Teils (65') einer zweiten Maskierungsschicht auf Wände der strukturierten ersten Maskierungsschicht, die an den freigelegten Bereich angrenzen, zur Verringerung der Breite des freigelegten Bereichs, und (b) Trockenätzen unter Verwendung der strukturierten ersten Maskierungsschicht (60') und des Teils (65') der zweiten Maskierungsschicht. So lässt sich ein Graben mit der verringerten Breite mit direktlithographisch strukturiertem Fotolack einfach und günstig herstellen.

Abstract translation: 结构化基底用于MOSFET或微机电系统中，例如，碳化硅层（10）上施加的用于制造沟槽中的使用结构化direktlithographisch所以光致抗蚀剂的结构化掩模层（60“）的方法，即 所述基板的至少一个区域被暴露，所述具有宽度，该宽度在所述光致抗蚀剂中使用的宽度的最小direktlithographisch显示暴露部分。 该方法的特征在于，所述方法包括以下步骤：（a）相邻的暴露部分的图案化的第一屏蔽层的侧壁上的第二掩蔽层的施加部分（65“），用于减少被暴露的区域的宽度，以及（ b）使用图案化的第一掩模层（60“）和所述部分（65”，第二掩蔽层的）干蚀刻。 太阳能与direktlithographisch结构化光致抗蚀剂容易和便宜的沟槽与所述减小的宽度来制造。

公开(公告)号：WO2015032577A1

公开(公告)日：2015-03-12

申请号：PCT/EP2014/066951

申请日：2014-08-07

Applicant: ROBERT BOSCH GMBH

Inventor： TRAUTMANN, Achim ,  BANZHAF, Christian Tobias

IPC: H01L21/308 ,  H01L29/16 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  B81B1/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66068

Abstract: Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats, einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor mit einem Substrat, ein mikroelektromechanisches System mit einem Substrat und ein Kraftfahrzeug. Dabei umfasst das Substrat eine Siliziumcarbidschicht (10). Das Verfahren zur Herstellung eines Substrats für einen Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor oder ein mikroelektromechanisches System umfasst folgende Schritte:(a) Trockenätzen eines vorläufigen Grabens in das Substratunter Verwendung einer strukturierten ersten Maskierungsschicht, wobei das Trockenätzen so durchgeführt wird, dass ein Rest (60') der ersten strukturierten Maskierungsschicht verbleibt, (b) Aufbringen einer zweiten Maskierungsschicht (65) zumindest auf Wänden des vorläufigen Grabens, und (c) Trockenätzenunter Verwendung des Rests (60') der ersten Maskierungsschicht und der zweiten Maskierungsschicht, sodass ein Graben mit eine Stufe in dem Graben entsteht.

Abstract translation: 本发明涉及一种方法，用于制造基底，具有一基板，一微机电系统包括基板和机动车辆的MOSFET。 所述衬底包括碳化硅层（10）。 用于为MOSFET或微机电系统，包括以下步骤制备基片的方法：（1）干法蚀刻使用图案化的第一屏蔽层，其特征在于，进行干法蚀刻进行初步沟槽进入衬底以使残留（ 60“）的第一图案化的掩模层残留的，（b）将第二掩模层（65）Trockenätzenunter至少在初步沟槽的壁，和（c）使用所述残余物（60”第一遮蔽层和第二掩蔽层的），使得具有沟槽 形成在沟槽中的步骤。