公开(公告)号：WO2013098536A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/FR2012/053100

申请日：2012-12-28

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： CHERY, Vincent ,  LIENHART, Fabien ,  SAUVINET, Vincent

IPC: H01L51/52 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L51/5209 ,  H01L27/3204 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5225 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/533 ,  H01L2251/5361

Abstract: La présente invention a pour objet un dispositif OLED (100), comportant une anode transparente de résistance par carré donné R1,une cathode (3)de résistance par carré donnée R2, le ratio r = R2/R1allant de0,1 à5, un premier contact électrique d'anode adapté et un premier contact électrique de cathode (5a, 5d)qui est décalé du contact électrique d'anode adapté(41),pour tout point B1 de chaque contact d'anode adapté (41), en définissant une distance D1entre ledit point B1et le point C1 de la surface de contact le plus proche dudit point B1, et en définissant une distance L1 entre ledit point B1 et un point X1 d'un deuxième bord (22)de la zone active opposé au premier bord (21), en passant par C1,alors on définit les critères suivants: -si 0,1≤r

Abstract translation: 本发明涉及一种OLED器件（100），其包括具有给定薄层电阻R1的透明阳极，具有给定薄层电阻R2的阴极（3），比率r = R2 / R1在0.1和5之间变化，第一合适阳极 电接触和第一阴极电接触（5a，5d），其在每个合适的阳极接触（41）的每个点B1处相对于合适的阳极电接触（41）偏移，限定点B1和 点C1在最接近点B1的接触表面上，并且定义点B1与活动区域的与通过C1的第一边缘（21）相对的第二边缘（22）上的点X1之间的距离L1，其中定义了以下标准 ：如果0.1 <= r <1.75，则20％

公开(公告)号：WO2012172258A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：PCT/FR2012/051336

申请日：2012-06-14

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE ,  LIENHART, Fabien

Inventor： LIENHART, Fabien

IPC: H01L51/52 ,  C03C17/36

CPC classification number: H01L51/5203 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/5231 ,  H01L2251/55 ,  H05K1/09

Abstract: L'invention a trait à un substrat porteur d'une électrode d'OLED, de résistance carré inférieure à 25 Ω/carré comprenant: un revêtement électroconducteur, une couche mince électroconductrice essentiellement inorganique qui est une couche d'adaptation du travail de sortie, présente une résistance carré au moins 20 fois supérieure à la résistance carré du revêtement électroconducteur avec une épaisseur d'au plus 60 nm, et entre le revêtement électroconducteur et la couche d'adaptation du travail de sortie une couche mince, dite tampon, essentiellement inorganique et de résistance surfacique dans une gamme de 10 -6 à 1Ω.cm 2 .

Abstract translation: 本发明涉及一种承载OLED电极的基片，其薄层电阻小于25Ω/□，包括：导电涂层; 薄的基本上无机的导电膜，其作为功函数匹配层，具有比导电涂层的薄层电阻高至少20倍的薄层电阻和至多60nm的厚度; 并且在导电涂层和功函数匹配层之间，具有接触电阻率在1×10-6至10Ω·​​cm范围内的基本无机薄膜（称为缓冲膜）。

公开(公告)号：WO2012028809A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：PCT/FR2011/051972

申请日：2011-08-29

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE ,  LIENHART, Fabien ,  ZAGDOUN, Georges ,  EHRENSPERGER, Marie-Virginie

Inventor： LIENHART, Fabien ,  ZAGDOUN, Georges ,  EHRENSPERGER, Marie-Virginie

IPC: H01L51/52 ,  C03C17/00

CPC classification number: H01L51/5275 ,  C03C17/42 ,  H01L51/5036 ,  H01L51/5215 ,  H01L51/56 ,  H05B33/02 ,  H05B33/10

Abstract: L'invention concerne un support (10) pour dispositif à diode électroluminescente organique (1000) comportant un substrat transparent (1) de premier indice de réfraction optique n1 donné comportant : un réseau (3) diélectrique, sous forme de couche(s) arrangée(s) de manière discontinue composant ainsi un ensemble de motifs (30), dits bas indice, le réseau ayant un deuxième indice de réfraction optique n2 inférieur ou égal à 1,6, les motifs bas indice étant de hauteur submicronique, de largeur moyenne A1 de motifs inférieure ou égale à 6 μηη et avec une distance B1 entre motifs micronique supérieure à la largeur A1, une première électrode (4), avec un troisième indice de réfraction optique n3 donné supérieur ou égal à 1,7, La distance B1 est apériodique. Au moins une fraction d'épaisseur de la première électrode (4) est au-dessus dudit réseau (3), et est en contact avec la surface du réseau (3) la plus éloignée du substrat (1 ) ou est espacée du réseau (3) de motifs bas indice, Le réseau (3) est enterré dans un milieu haut indice (100), donc à l'intérieur du milieu haut indice, le milieu haut indice comprenant la première électrode (4) comme couche(s) la (les) plus éloignée(s) du substrat, le milieu haut indice ayant un quatrième indice de réfraction n4 supérieur ou égal à 1,7. L'invention concerne également le procédé de fabrication d'un tel support.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于有机发光二极管器件（1000）的支撑体（10），其包括具有给定的第一光学折射率n1的透明衬底（1），包括：一个形式的介质光栅（3） 或更多层，以形成所谓的低折射率图案（30）的阵列，所述光栅具有1.6或更小的第二光学折射率n2，低折射率图案的高度为亚微米尺寸， 平均图案宽度A1为6μm以下，微米尺寸图案之间的距离B1大于宽度A1; 和第一电极（4），其给定的第三光学折射率n3为1.7以上。 距离B1是非周期性的。 第一电极（4）的厚度的至少一部分在所述光栅（3）的上方，并且与距离该基板（1）最远的光栅（3）的表面接触或者与光栅 3）低指数模式。 光栅（3）被埋在高折射率介质（100）中，因此在高折射率介质内部，高折射率介质包括第一电极（4），其形式为距离 衬底，第四折射率n4为1.7以上的高折射率介质。 本发明还涉及制造这种载体的方法。

公开(公告)号：WO2013098534A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/FR2012/053098

申请日：2012-12-28

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： CHERY, Vincent ,  LIENHART, Fabien ,  SAUVINET, Vincent

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5225 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5271 ,  H01L51/56 ,  H01L2251/5361

Abstract: La présente invention a pour objet un dispositif OLED (100), comportant • - une anode (1) transparente, de résistance par carré donné RI, et une cathode (3), de résistance par carré donné R2, le ratio r = R2/ R1 allant de 0,01 à 2,5, • - au moins un contact électrique d'anode et un premier contact électrique de cathode (5), de surface donnée, dite surface de contact, qui est agencé au-dessus de la zone active (20), • - un réflecteur (6) couvrant la zone active (20) au-dessus d'un système électroluminescent organique Et pour chaque point B du contact d'anode (41), le point B étant dans un bord donné de la première région anodique (40), en définissant une distance D entre B et le point C de la surface de contact le plus proche dudit point B, et en définissant une distance L entre ledit point B et un point X d'un bord de la première région anodique opposé au premier bord, en passant par C on définit les critères suivant : • - si 0,01

Abstract translation: 本发明涉及一种OLED器件（100），包括：具有特定薄层电阻R1的透明阳极（1）和具有特定薄层电阻R2的阴极（3），比率r = R2 / R1为0.01至 2.5; 至少一个电阳极触点和第一电阴极触点（5），其具有布置在有源区域（20）上方的特定所谓的接触表面; 以及反射器（6），其覆盖阳极接触件（41）的每个点B的有机发光系统Et上方的有源区域（20），点B在第一阳极区域（40）的给定边缘上，而 定义最靠近所述点B的接触表面的B和点C之间的距离D，并且在通过C时限定所述点B和与第一边缘相对的第一阳极区域的边缘的点X之间的距离L， 其中定义了以下标准：如果0.01

公开(公告)号：WO2013057428A1

公开(公告)日：2013-04-25

申请号：PCT/FR2012/052368

申请日：2012-10-18

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： LIENHART, Fabien ,  PYTHON, Martin

IPC: C03C17/36 ,  H01L51/52

CPC classification number: C23C14/5806 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3657 ,  C03C2218/32 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  H01L51/5215 ,  Y10T428/12896

Abstract: L'invention a pour objet un procédé d'obtention d'un matériau comprenant un substrat revêtu sur au moins une partie d'au moins une de ses faces d'un empilement de couches minces comprenant au moins une couche d'argent, ledit procédé comprenant une étape de dépôt dudit empilement puis une étape de traitement thermique, ledit traitement thermique étant mis en œuvre en irradiant au moins une partie de la surface dudit empilement à l'aide d'au moins une source de lumière incohérente pendant une durée d'irradiation allant de 0,1milliseconde à 00secondes, de sorte que la résistance carrée et/ou l'émissivité dudit empilement est diminuée d'au moins 5% en relatif, la ou chaque couche d'argent restant continue à l'issue du traitement.

Abstract translation: 本发明的主题是一种获得材料的方法，该材料包括涂覆在其至少一个表面的至少一部分上的基材，其中包含至少一层银的薄层堆叠，所述方法包括沉积步骤 所述堆叠随后是热处理步骤，所述热处理通过使用至少一个非相干光源照射所述堆叠的表面的至少一部分来实现，所述非相干光源在0.1毫秒和00秒之间的照射周期，使得所述平方 所述叠层的电阻和/或辐射率在处理结束时降低至少5％，相对地，所述或每个银层保持连续。

公开(公告)号：WO2012080684A1

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：PCT/FR2011/053047

申请日：2011-12-19

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE ,  BILAINE, Matthieu ,  LIENHART, Fabien ,  YEH, Li-Ya ,  ALSCHINGER, Matthias

Inventor： BILAINE, Matthieu ,  LIENHART, Fabien ,  YEH, Li-Ya ,  ALSCHINGER, Matthias

IPC: H01L51/52 ,  C03C17/36

CPC classification number: H01L51/0021 ,  C03C17/36 ,  C03C17/3618 ,  C03C17/3639 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/3652 ,  C03C17/3655 ,  C03C17/3671 ,  C03C2217/948 ,  C03C2218/32 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5215

Abstract: L'invention a pour objet un procédé de fabrication d'un dispositif à diode électroluminescente organique comprenant au moins une électrode à base d'un empilement de couches minces électro-conducteur déposé sur un substrat, dans lequel le dépôt dudit empilement comprend les étapes suivantes: -on dépose sur ladite au moins une face dudit substrat un empilement de couches minces comprenant au moins une couche mince d'argent entre au moins deux couches minces, on traite thermiquement la au moins une face revêtue à l'aide d'au moins un rayonnement laser émettant dans au moins une longueur d'onde comprise entre 500 et 2000 nm de sorte que la résistance carrée de l'empilement est diminuée d'au moins 5%.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造包括有机发光二极管的器件的方法，该有机发光二极管包括至少一个电极，该至少一个电极包括沉积在衬底上的薄膜的导电叠层，其中所述堆叠的沉积包括以下步骤： 所述衬底的至少一个表面，在至少两个薄膜之间包括至少一层银薄膜的薄膜堆叠; 以及通过在500至2000nm的至少一个波长发射的至少一个激光束对所述至少一个涂覆表面进行热处理，使得所述叠层的薄层电阻降低至少5％。

公开(公告)号：WO2009013425A2

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：PCT/FR2008/051316

申请日：2008-07-11

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE ,  MATTMANN, Eric ,  REUTLER, Pascal ,  LIENHART, Fabien

Inventor： MATTMANN, Eric ,  REUTLER, Pascal ,  LIENHART, Fabien

IPC: H01L21/363

CPC classification number: C30B29/403 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02631

Abstract: L'invention a pour objet un substrat utilisable comme substrat pour la croissance épitaxiale de couches à base de nitrure de gallium et comprenant un matériau de support (11, 21 ) revêtu sur au moins une des ses faces par au moins un empilement de couches comprenant au moins une couche à base d'oxyde de zinc (13, 24). Le substrat est revêtu par une structure semi- conductrice du type Nl-N ou N-Vl, et il est caractérisé en ce qu'entre le matériau support (11, 21 ) et ladite au moins une couche à base d'oxyde de zinc (13, 24) est disposée au moins une couche intermédiaire (12, 23) comprenant des oxydes d'au moins deux éléments choisis parmi l'étain (Sn), le zinc (Zn), l'indium (In), le gallium (Ga), l'antimoine (Sb).

Abstract translation: 本发明涉及一种衬底，其可用作衬底，用于由氮化镓制成的层的外延生长，并且包括至少涂覆有至少一侧的至少一个层的支撑材料（11,21），所述层至少具有至少一个层 一层由氧化锌制成（13,24）。 用Nl-N或N-V1型的半导体结构涂覆基材，其特征在于，在载体材料（11,21）和由氧化锌（13,24）制成的所述至少一个层之间至少一个中间体 提供了包含选自锡（Sn），锌（Zn），铟（In），镓（Ga）或锑（Sb））中的至少两种元素的氧化物的层（12,23）。

公开(公告)号：WO2014013183A1

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/FR2013/051704

申请日：2013-07-16

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： MAZOYER, Simon ,  LIENHART, Fabien ,  SAUVINET, Vincent

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5215 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5268

Abstract: La présente invention concerne une électrode pour diode électroluminescente organique, comprenant successivement, (a) un substrat non conducteur (1), transparent ou translucide, d'indice de réfraction compris entre 1,3 et 1,6, (b) une couche d'électrode transparente (2), formée d'un oxyde conducteur transparent ou d'un polymère organique conducteur transparent, et (c) un réseau continu de lignes métalliques (3), déposé sur la couche d'électrode transparente (2), caractérisée par le fait qu'elle comporte en outre (d) en tant que moyen de diffusion de la lumière, une couche translucide diffusante (4) ayant un indice de réfraction compris entre 1,7 et 2,4, située entre le substrat non conducteur (1) et la couche d'électrode (2), et par le fait que le réseau continu de lignes métalliques (3) est constitué, au moins au niveau de l'interface de contact avec l'électrode transparente (2), d'un métal ou alliage métallique ayant une réflectivité au moins égale à 80 % sur au moins une partie du spectre de la lumière visible.

Abstract translation: 本发明涉及一种有机发光二极管的电极，包括：（a）折射率为1.3〜1.6的透明或半透明非导电性基板（1）; （b）由透明导电氧化物或透明导电有机聚合物制成的透明电极层（2）; 和（c）沉积在透明电极层（2）上的金属线（3）的连续阵列，其特征在于，所述电极层还包括（d）作为光扩散装置的扩散半透明层（4），其具有 折射率为1.7至2.4，放置在非导电衬底（1）和电极层（2）之间，并且金属线（3）的连续阵列至少包括在与透明 电极（2），在可见光谱的至少一部分上具有至少80％的反射率的金属或金属合金。

公开(公告)号：WO2013117862A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：PCT/FR2013/050255

申请日：2013-02-07

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： SAUVINET, Vincent ,  LIENHART, Fabien ,  LECAMP, Guillaume

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5215 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5262 ,  H01L51/5271

Abstract: La présente invention concerne une électrode supportée pour OLED, comprenant - un substrat non conducteur (1), transparent ou translucide, d'indice de réfraction compris entre 1,3 et 1,6, - un réseau continu de lignes métalliques (2) constituées d'un métal ou alliage métallique présentant une conductivité électrique au moins égale à 5.10 6 S.m -1 , déposé sur au moins une zone de surface du substrat, les lignes métalliques ayant une largeur moyenne L comprise entre 0,05 et 3 μm, de préférence entre 0,2 et 2 μm, en particulier entre 0,3 et 1,5 μm, ces lignes métalliques délimitant une pluralité de domaines non métallisés ayant un diamètre équivalent moyen D compris entre 0,1 et 7,0 pm, le rapport D/L étant compris entre 0,8 et 5, de préférence entre 1,2 et 4,5 et en particulier entre 2 et 3,5, et au moins 20 % de la surface du réseau continu de lignes métalliques présentant une tangente formant un angle compris entre 15 et 75 ° par rapport au plan du substrat et de l'électrode, - une couche transparente ou translucide (3) présentant un indice de réfraction compris entre 1,6 et 2,4 et une résistivité supérieure à celle du réseau continu de lignes métalliques et inférieure à 10 4 Ω-cm, ladite couche recouvrant complètement le réseau de lignes métalliques et les domaines non métallisés, le réseau continu de lignes métalliques (2) et la couche (3) transparente ou translucide formant ensemble une couche composite appelée couche d'électrode.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于OLED的支撑电极，包括：折射率为1.3至1.6的透明或半透明非导电衬底（1）; 由金属或金属合金构成的金属线（2）的连续网络，该金属线或金属合金的导电率至少等于5.106 Sm-1并沉积在基底的至少一个表面区域上，金属线的平均宽度L为0.05 至3μm，优选为0.2〜2μm，特别优选为0.3〜1.5μm，所述金属线限定了平均当量直径D为0.1〜7.0μm的多个非金属畴，D / L比在0.8〜 5，优选1.2至4.5，特别是2至3.5，并且至少20％的金属线连续网络的表面具有相对于衬底的平面形成15至75°的角度的切线，以及 电极; 以及折射率为1.6〜2.4，电阻率大于金属线连续网络的电阻率，小于104Ω·cm的透明或半透明层（3），所述层完全覆盖金属线网络， 金属化区域，金属线（2）的连续网络和透明或半透明层一起形成称为电极层的复合层。

公开(公告)号：WO2013098535A1

公开(公告)日：2013-07-04

申请号：PCT/FR2012/053099

申请日：2012-12-28

Applicant: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE

Inventor： CHERY, Vincent ,  LIENHART, Fabien ,  SAUVINET, Vincent

IPC: H01L51/52

CPC classification number: H01L51/5225 ,  H01L51/5203 ,  H01L51/5206 ,  H01L51/5209 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5361

Abstract: La présente invention a pour objet un dispositif à OLED comportant : une anode (1), qui est transparente, anode de résistance par carré donnée R1, une cathode (3) de résistance par carré donnée R2, le ratio r = R2/R1allant de 0,1 à5, un premier contact d'anode dit adapté (41) et un deuxième contact d'anode dit adapté (41'), espacé et en regard du premier contact adapté, un premier contact électrique de cathode (5), qui est: agencé au-dessus de la zone active (20), décalé du premier contact d'anode adapté (41) et du deuxième contact d'anode adapté(41'),en tout point de la surface de contact.

Abstract translation: 本发明涉及一种OLED器件，包括：阳极（1），其是透明的，所述阳极具有特定的薄层电阻R1; 具有特定薄层电阻R2的阴极（3），比率R = R2 / R1为0.1〜5; 第一所谓的匹配阳极接触阳极触点（41）和与第一匹配触点间隔开并相对的第二所谓的匹配阳极触头（41'）; 以及第一电阴极接触件（5），其布置在所述有源区域（20）上方并且在所述接触表面上的任何点处相对于所述第一匹配阳极接触件（41）和所述第二匹配阳极接触件（41'）偏移。