公开(公告)号：WO2021140300A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/FR2021/050018

申请日：2021-01-07

Applicant: SOITEC

Inventor： GHORBEL, Aymen ,  ALLIBERT, Frédéric ,  MASSY, Damien ,  BERTRAND, Isabelle ,  NOURI, Lamia

IPC: H01L21/761 ,  H01L21/02 ,  H01L21/32 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/3242 ,  H01L21/76254

Abstract: L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une structure de type semi- conducteur sur isolant (10), comprenant les étapes suivantes : - fourniture d'un substrat de type FD-SOI (1) comprenant successivement, depuis sa base vers son sommet : un substrat monocristallin (2) présentant une résistivité électrique comprise entre 500 Ω.cm et 30 kΩ.cm, une teneur en oxygène interstitiel (Oi) comprise entre 20 et 40 old ppma, et présentant un dopage de type P ou N, une couche électriquement isolante (3) présentant une épaisseur comprise entre 20 nm et 400 nm, une couche monocristalline (4) comprenant un dopage de type P, - traitement thermique du substrat de type FD-SOI (1) à une température supérieure ou égale à 1175°C pendant un temps supérieur ou égal à 1h, afin de former une jonction P-N (5) dans le substrat. L'invention se rapporte également à une telle structure de type semi-conducteur sur isolant.