公开(公告)号：WO2021191511A1

公开(公告)日：2021-09-30

申请号：PCT/FR2021/050046

申请日：2021-01-12

Applicant: SOITEC

Inventor： BIARD, Hugo

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02032 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/76254

Abstract: L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince en carbure de silicium monocristallin disposée sur un substrat support en carbure de silicium, le procédé comprenant : a) une étape de fourniture d'un substrat donneur en carbure de silicium monocristallin, b) une étape d'implantation ionique d'espèces légères dans le substrat donneur, pour former un plan fragile enterré délimitant la couche mince entre ledit plan fragile enterré et une surface libre dudit substrat donneur, c) une succession de n étapes de formation de couches supports cristallisées, avec n supérieur ou égal à 2; les n couches supports cristallisées étant disposées sur la face avant du substrat donneur successivement les unes sur les autres, et formant le substrat support; chaque étape de formation comprenant : - un dépôt chimique en phase vapeur assisté par injection liquide directe, à une température inférieure à 900°C, pour former une couche support, ladite couche support étant formée par une matrice SiC au moins partiellement amorphe, et présentant une épaisseur inférieure ou égale à 200 microns; - un traitement thermique de cristallisation de la couche support, à une température inférieure ou égale à 1000°C, pour former une couche support cristallisée, d) une étape de séparation le long du plan fragile enterré, pour former d'une part une structure composite comprenant la couche mince sur le substrat support, et d'autre part le reste du substrat donneur.

公开(公告)号：WO2022128817A2

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/EP2021/085294

申请日：2021-12-10

Applicant: MI2-FACTORY GMBH

Inventor： CSATO, Constantin ,  KRIPPENDORF, Florian

IPC: H01L21/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01J37/317 ,  H01J37/3171 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/185 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/76254

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung eines vorbehandelten Verbundsubstrats (18), das als Basis für die Weiterverarbeitung zu elektronischen Halbleiterbauelementen dient, umfasst das Dotieren einer ersten Schicht (21) aus SiC in einem Spendersubstrat (12) mittels Ionenimplantation unter Verwendung eines Energiefilters (20), das Erzeugen einer Sollbruchstelle (26) im Spendersubstrat (12) und das Herstellen einer Bondverbindung zwischen Spendersubstrat (12) und Akzeptorsubstrat (28), die erste Schicht (21) in einem Bereich zwischen dem Akzeptorsubstrat (28) und einem restlichen Teil (22) des Spendersubstrats (12) angeordnet ist. Schließlich wird das Spendersubstrat (12) im Bereich der Sollbruchstelle (26) zur Erzeugung des vorbehandelten Verbundsubstrats (18) gespalten, wobei das vorbehandelte Verbundsubstrat (18) das Akzeptorsubstrat (28) und eine damit verbundene dotierte Schicht (32), die zumindest einen Abschnitt der ersten Schicht (21) des Spendersubstrats (12) umfasst, aufweist.

公开(公告)号：WO2021140285A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/FR2020/052439

申请日：2020-12-15

Applicant: SOITEC

Inventor： GAUDIN, Gweltaz ,  FUTIN, Céline

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/762 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/76254

Abstract: L'invention porte sur un procédé d'assemblage de deux substrats semi-conducteurs par adhésion moléculaire comprenant : une étape a) de mise en contact intime d'un premier et d'un deuxième substrat (2) pour former un ensemble présentant une interface de collage (4); une étape b) de recuit de réaction de l'interface de collage (4) à une première température supérieure à une première température prédéterminée, cette étape b) générant des bulles à l'interface d'assemblage; une étape c) de décollement au moins partiel des deux substrats au niveau de l'interface de collage (4) afin d'éliminer les bulles; une étape d) de remise en contact intime du premier et du deuxième substrat (2) au niveau de l'interface de collage (4) pour reformer l'ensemble.

公开(公告)号：WO2023057709A1

公开(公告)日：2023-04-13

申请号：PCT/FR2022/051860

申请日：2022-10-03

Applicant: SOITEC

Inventor： RADU, Ionut ,  BIARD, Hugo ,  GAUDIN, Gweltaz

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/185 ,  H01L21/187

Abstract: L'invention porte sur un procédé de fabrication d'une structure composite comprenant une couche mince de carbure de silicium, SiC, monocristallin (12) disposée un substrat support de SiC polycristallin (20). Ce procédé comprend les étapes suivantes : formation d'une couche de SiC polycristallin (11) sur un substrat donneur dont au moins une portion superficielle est en SiC monocristallin, avant ou après ladite formation, implantation d'espèces ioniques dans ladite portion superficielle du substrat donneur de sorte à former un plan de fragilisation délimitant une couche mince de SiC monocristallin (12) à transférer, après ladite implantation et ladite formation, collage du substrat donneur et du substrat support de SiC polycristallin (20), la couche de SiC polycristallin (11) étant à l'interface de collage, et détachement du substrat donneur le long du plan de fragilisation de sorte à transférer la couche de SiC polycristallin (11) et la couche mince de SiC monocristallin (12) sur le substrat support de SiC polycristallin (20).

公开(公告)号：WO2022117930A2

公开(公告)日：2022-06-09

申请号：PCT/FR2021/052047

申请日：2021-11-19

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  SOITEC

Inventor： LARREY, Vincent ,  REBOH, Shay ,  LE VAN-JODIN, Lucie ,  MILESI, Frédéric ,  ECARNOT, Ludovic ,  GAUDIN, Gweltaz ,  LANDRU, Didier

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256

Abstract: L'invention concerne un substrat donneur (100) pour le transfert d'une couche mince monocristalline (1) en un premier matériau, sur un substrat receveur (2), le substrat donneur (100) présentant une face avant (100a) et une face arrière (100b), et comprenant : - un plan fragile enterré (30) qui délimite une portion supérieure (101) et une portion inférieure (102) du substrat donneur (100), - dans la portion supérieure (101), une première couche (10) du côté de la face avant (100a), une deuxième couche (20) adjacente au plan fragile enterré (30), et une couche d'arrêt (15) intercalée entre la première couche (10) et la deuxième couche (20), la première couche (10) étant composée du premier matériau, la couche d'arrêt (15) étant formée en un deuxième matériau apte à procurer une gravure sélective par rapport au premier matériau, - une sous-portion amorphisée (101',101'',101'''), rendue amorphe par implantation ionique, présentant une épaisseur strictement inférieure à celle de la portion supérieure (101), et incluant au moins la première couche (10); la deuxième couche (20) comprenant au moins une sous-couche (22) monocristalline, adjacente au plan fragile enterré (30). L'invention concerne également deux modes de mise en œuvre d'un procédé de transfert d'une couche mince monocristalline (1) à partir du substrat donneur (100).

公开(公告)号：WO2021198576A1

公开(公告)日：2021-10-07

申请号：PCT/FR2021/050435

申请日：2021-03-16

Applicant: SOITEC ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

Inventor： DARRAS, François-Xavier ,  LARREY, Vincent

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/18 ,  H01L21/78 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/187 ,  H01L21/7806

Abstract: L'invention concerne une structure démontable (100) comprenant : - au moins deux interfaces, une interface d'assemblage (30) et une interface de détachement privilégié (1), - un substrat receveur (20), - un substrat donneur (10) comportant une couche utile (3) à transférer disposée sur un substrat initial (2), l'interface de détachement privilégié (1) étant située entre ladite couche utile (3) et le substrat initial (2), et l'interface d'assemblage (30) étant située entre ladite couche utile (3) et le substrat receveur (20). La structure démontable (100) est remarquable en ce que l'interface d'assemblage (30) présente une zone d'interruption d'assemblage (31) comprenant au moins une cavité (31a) présente dans le substrat receveur (20) ou dans la couche utile (3), la zone d'interruption d'assemblage (31) étant localisée dans une région périphérique de la structure démontable (100).

公开(公告)号：WO2023285460A2

公开(公告)日：2023-01-19

申请号：PCT/EP2022/069462

申请日：2022-07-12

Applicant: MI2-FACTORY GMBH

Inventor： CSATO, Constantin ,  KRIPPENDORF, Florian

IPC: H01L21/18 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L21/04 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/046 ,  H01L21/185 ,  H01L21/26513

Abstract: Das Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterbauelements umfasst das Dotieren einer ersten Schicht (21) aus SiC in einem Spendersubstrat (12) mittels Ionenimplantation, das Erzeugen einer Sollbruchstelle (26) im Spendersubstrat (12) und das Herstellen einer Verbindung zwischen Spendersubstrat (12) und Akzeptorsubstrat (28), wobei die erste Schicht (21) in einem Bereich zwischen dem Akzeptorsubstrat (28) und einem restlichen Teil (22) des Spendersubstrats (12) angeordnet ist. Schließlich wird das Spendersubstrat (12) im Bereich der Sollbruchstelle (26) zur Erzeugung des vorbehandelten Verbundsubstrats (18) gespalten, wobei das vorbehandelte Verbundsubstrat (18) das Akzeptorsubstrat (28) und eine damit verbundene dotierte Schicht (32), die zumindest einen Abschnitt der ersten Schicht (21) des Spendersubstrats (12) umfasst, aufweist. Während des Prozesses werden außerdem Implantationsdefekte mittels Laserbestrahlung (43) ausgeheilt.

公开(公告)号：WO2022003262A1

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：PCT/FR2021/050560

申请日：2021-03-30

Applicant: SOITEC

Inventor： BERTRAND, Isabelle ,  ALLIBERT, Frédéric ,  BOUVEYRON, Romain ,  SCHWARZENBACH, Walter

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/762 ,  H01L21/324 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/3225 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/3247 ,  H01L21/76254

Abstract: L'invention concerne un substrat support (10) en silicium monocristallin, présentant une face avant (10a) et une face arrière (10b) et comprenant : - une région superficielle (1) allant de la face avant (10a) jusqu'à une profondeur comprise entre 800nm et 2 microns, présentant moins de 10 particules d'origine cristalline (COP) détectées par une inspection de surface basée sur la microscopie par réflexion en champ sombre, - une région supérieure (2) s'étendant de la face avant (10a) jusqu'à une profondeur comprise entre quelques microns et 40 microns, présentant une teneur en oxygène interstitiel (Oi) inférieure ou égale à 7,5E17 Oi/cm3 et une résistivité supérieure à 500 ohm.cm, et - une région inférieure (3) s'étendant entre la région supérieure (2) et la face arrière (10b), présentant une concentration en micro-défauts (BMD) supérieure ou égale à 1E8/cm3. L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un tel substrat support (10).

公开(公告)号：WO2021140300A1

公开(公告)日：2021-07-15

申请号：PCT/FR2021/050018

申请日：2021-01-07

Applicant: SOITEC

Inventor： GHORBEL, Aymen ,  ALLIBERT, Frédéric ,  MASSY, Damien ,  BERTRAND, Isabelle ,  NOURI, Lamia

IPC: H01L21/761 ,  H01L21/02 ,  H01L21/32 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/2256 ,  H01L21/3242 ,  H01L21/76254

Abstract: L'invention se rapporte à un procédé de fabrication d'une structure de type semi- conducteur sur isolant (10), comprenant les étapes suivantes : - fourniture d'un substrat de type FD-SOI (1) comprenant successivement, depuis sa base vers son sommet : un substrat monocristallin (2) présentant une résistivité électrique comprise entre 500 Ω.cm et 30 kΩ.cm, une teneur en oxygène interstitiel (Oi) comprise entre 20 et 40 old ppma, et présentant un dopage de type P ou N, une couche électriquement isolante (3) présentant une épaisseur comprise entre 20 nm et 400 nm, une couche monocristalline (4) comprenant un dopage de type P, - traitement thermique du substrat de type FD-SOI (1) à une température supérieure ou égale à 1175°C pendant un temps supérieur ou égal à 1h, afin de former une jonction P-N (5) dans le substrat. L'invention se rapporte également à une telle structure de type semi-conducteur sur isolant.

公开(公告)号：WO2020263357A1

公开(公告)日：2020-12-30

申请号：PCT/US2020/020367

申请日：2020-02-28

Applicant: KAWASAKI JUKOGYO KABUSHIKI KAISHA ,  KAWASAKI ROBOTICS (USA), INC.

Inventor： YOSHIDA, Masaya ,  TANAKA, Yuji ,  NAKAHARA, Hajime

IPC: H01L21/02002 ,  H01L21/68 ,  H01L21/00 ,  B25J15/00 ,  B25J9/00 ,  G01N21/00 ,  H01L21/02

Abstract: A substrate transfer apparatus includes a base, an arm, an end effector provided at a tip of the arm and having first and second tip portions that are bifurcated, a light emitting unit, a light receiving unit, and a control device. The control device controls an operation of the arm so that light straightly traveling through a tip of the end effector scans edges of a plurality of substrates accommodated in a front opening unified pod (FOUP), and compares shape patterns of a measured waveform of an output value continuously changed in the light receiving unit with shape patterns of a reference waveform for comparison according to a relative positional relationship between the light and the substrate during the operation of the arm and diagnoses at least one of a state of the substrate, state of the FOUP, and state of the end effector based on a comparison result.