公开(公告)号：WO2015018560A3

公开(公告)日：2015-04-09

申请号：PCT/EP2014063349

申请日：2014-06-25

Applicant: ZEISS CARL SMT GMBH ,  HERMANN MARTIN

Inventor： HERMANN MARTIN

IPC: G03F7/20 ,  G21K1/06

CPC classification number: G03F7/702 ,  G02B5/0816 ,  G02B5/0891 ,  G03F7/70316 ,  G03F7/70958 ,  G21K1/062

Abstract: The invention relates to a mirror, more particularly for a microlithographic projection exposure apparatus. A mirror (10, 20, 30, 40) according to the invention has an optical effective surface (10a, 20a, 30a, 40a), a mirror substrate (11, 21, 31, 41) and a reflection layer stack (14, 24, 34, 44) for reflecting electromagnetic radiation impinging on the optical effective surface (10a, 20a, 30a, 40a), wherein a layer (13, 23, 33, 43) composed of a group III nitride is arranged between the mirror substrate (11, 21, 31, 41) and the reflection layer stack (14, 24, 34, 44), wherein the group III nitride is selected from the group containing gallium nitride (GaN), aluminum nitride (AlN) and aluminum gallium nitride (AlGaN).

Abstract translation: 本发明涉及一种反射镜，特别是用于微光刻投射曝光设备。 根据本发明的反射镜（10，20，30，40）具有一个光学有效区域（10A，20A，30A，40A），反射镜衬底（11，21，31，41）和用于反射层堆（14，24，34，44） 光学有效表面入射电磁辐射的（10A，20A，30A，40A），的反射，其中，所述镜基板（11，21，31，41）和反射层堆（14，24，34，44）一种层（13之间， 23，33，43）由III族氮化物，其中，所述III族氮化物是从由氮化镓（GaN），氮化铝（AlN）和氮化铝镓的组中选择的（的AlGaN）中包含。

公开(公告)号：WO2016078983A2

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：PCT/EP2015076311

申请日：2015-11-11

Applicant: ZEISS CARL SMT GMBH ,  HERMANN MARTIN

Inventor： HERMANN MARTIN

IPC: H01L31/108 ,  G01J1/58 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/102

CPC classification number: H01L31/03048 ,  G01J1/58 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/02322 ,  H01L31/03044 ,  H01L31/102 ,  H01L31/108 ,  Y02E10/544

Abstract: The invention relates to an optical system and a method for measuring the intensity of electromagnetic radiation in an optical system, more particularly an optical system having a microlithographic projection exposure apparatus or a mask inspection apparatus. An optical system which has at least one arrangement for measuring the intensity of electromagnetic radiation, and which is designed for a working wavelength of less than 30 nm, comprises a detector material. The intensity is measured on the basis of an interaction between the electromagnetic radiation and the detector material, which contains a Group III nitride.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微光刻投影曝光设备或掩模检查装置的光学系统测量电磁辐射的强度的光学系统，特别是光学系统和方法。 具有用于测量电磁辐射，其中，所述光学系统由小于30nm为工作波长的强度的至少一个配置的光学系统中，具有检测器材料时，强度的测量是基于所述电磁辐射的与该检测器材料，其中的相互作用 检测器材料包括III族氮化物。