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    A SOLAR CELL MODULE
    1.
    发明申请
    A SOLAR CELL MODULE 审中-公开
    太阳能电池模块

    公开(公告)号：WO2016206989A1

    公开(公告)日：2016-12-29

    申请号：PCT/EP2016/063237

    申请日：2016-06-10

    Applicant: INL - INTERNATIONAL IBERIAN NANOTECHNOLOGY LABORATORY

    Inventor： SALOMÉ, Pedro ,  SADEWASSER, Sascha

    IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0465

    CPC classification number: H01L31/0465 ,  H01L31/022483 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/02327 ,  H01L31/0512 ,  Y02E10/50

    Abstract: The present invention relates to a solar cell module. The solar cell module (10, 100) comprising a first (102) and a second (104) solar cell, each comprising: a charge separating element (108) arranged to convert light to an electric voltage, a rear electrical contact (106a, 106b), and a transparent conductor (112), wherein the rear electrical contact (106a, 106b) is arranged in electrical contact with a first portion (103) of the charge separating element (108) and the transparent conductor (112) is arranged in electrical contact with a second portion (105) of the charge separating element (108), wherein the solar cells (102, 104) are interconnected at an interconnection region (114), wherein the rear electrical contact (106a) of the first solar cell (102) is physically separated from the rear electrical contact (106b) of the second solar cell (104), wherein an interconnection contact (118) is arranged to form an electrical connection between the transparent conductor (112a) of the first solar cell (102) to the rear electrical contact (106b) of the second solar cell (104), wherein the rear electrical contact (106) and the interconnection contact (118) are metals, and a metal - metal contact is formed by the interconnection contact (118) and the rear electrical contact (106), the solar cell module further comprising a lens structure (122) arranged to concentrate light to the charge separating elements (108) of the first (102) and second (104) solar cells, wherein the lens structure (122) is further arranged such that light is not concentrated at the interconnection region (114).

    Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池模块。 太阳能电池模块（10,100）包括第一（102）和第二（104）太阳能电池，每个太阳能电池包括：电荷分离元件（108），被布置成将光转换成电压，后电接触（106a， 106b）和透明导体（112），其中所述后电接触件（106a，106b）被布置成与所述电荷分离元件（108）的第一部分（103）电连接，并且所述透明导体（112）被布置 与电荷分离元件（108）的第二部分（105）电接触，其中太阳能电池（102,104）在互连区域（114）处互连，其中第一太阳能电池的后电接触（106a） 电池（102）与第二太阳能电池（104）的后部电触点（106b）物理分离，其中互连触点（118）布置成在第一太阳能电池的透明导体（112a）之间形成电连接 （102）连接到后部电触点（1） 所述第二太阳能电池（104）的所述后电触头（106）和所述互连触头（118）是金属，并且金属 - 金属触点由所述互连触头（118）和所述后电触头 106），所述太阳能电池模块还包括透镜结构（122），所述透镜结构（122）布置成将光集中到所述第一（102）和第二（104）太阳能电池的电荷分离元件（108），其中所述透镜结构（122） 布置成使得光不集中在互连区域（114）处。

    太陽電池の製造方法
    2.
    发明申请
    太陽電池の製造方法 审中-公开
    太阳能电池的制造方法

    公开(公告)号：WO2015079779A1

    公开(公告)日：2015-06-04

    申请号：PCT/JP2014/074395

    申请日：2014-09-16

    Applicant: パナソニックIPマネジメント株式会社

    Inventor： 林　尚史 ,  森上　光章 ,  重松　正人 ,  三島　孝博

    IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

    CPC classification number: H01L31/202 ,  H01L31/022441 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    Abstract: 　より簡易に裏面接合型などの太陽電池を製造することができる方法を提供する。　半導体基板１０の主面上に、一導電型の第１の非晶質半導体層２１及び２２を形成する第１工程と、第１の非晶質半導体層２１及び２２の上に絶縁層を形成する第２工程と、第１の所定領域の絶縁層２３及び第１の非晶質半導体層２１及び２２をエッチングして除去する第３工程と、第３工程の後に、絶縁層２３の上に一導電型と異なる他導電型の第２の非晶質半導体層２４及び２５を形成する第４工程と、第２の所定領域の第２の非晶質半導体層２４及び２５をエッチングして除去する第５工程とを備え、第３工程は、絶縁層２３の第１の所定領域の上にエッチングペースト３０を塗布する工程と、エッチングペースト３０により、第１の所定領域の絶縁層２３及び非晶質半導体層２１及び２２をエッチングして除去する工程とを備える。

    Abstract translation: 提供了能够更简单地制造诸如背接合太阳能电池的太阳能电池的方法。 该方法具有以下步骤：用于在半导体衬底（10）的主表面上形成一种导电类型的第一非晶半导体层（21,22）的第一步骤; 用于在所述第一非晶半导体层（21,22）上形成绝缘层的第二步骤; 第三步骤，用于在第一规定区域中蚀刻和去除绝缘层（23）和第一非晶半导体层（21,22）; 在第三步骤之后的第四步骤，用于在绝缘层（23）上形成不同于一种导电类型的另一导电类型的第二非晶半导体层（24,25）; 以及第五步骤，用于在第二规定区域中蚀刻和去除第二非晶半导体层（24,25）。 第三步骤设置有在绝缘层（23）的第一规定区域上施加蚀刻膏（30）的步骤，以及使用蚀刻膏（30）蚀刻和去除绝缘层（23）的步骤， 和第一规定区域中的非晶半导体层（21,22）。

    透明導電膜及びその製造方法
    3.
    发明申请
    透明導電膜及びその製造方法 审中-公开
    透明导电薄膜及其制造方法

    公开(公告)号：WO2014021325A1

    公开(公告)日：2014-02-06

    申请号：PCT/JP2013/070618

    申请日：2013-07-30

    Applicant: 小川 倉一 ,  株式会社京都薄膜応用技術研究所

    Inventor： 小川　倉一 ,  安田　政智 ,  近藤　匡俊

    IPC: C23C14/06 ,  B32B7/02 ,  H01B5/14 ,  H01B13/00

    CPC classification number: H01L31/022466 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0617 ,  C23C14/352 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3417 ,  H01J37/3426 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/50

    Abstract: 　透明導電膜として最高のレベルである、可視光透過率８５％以上かつ表面抵抗１０Ω／□以下という高透過率と低表面抵抗を両立する透明導電膜を提供すること、また、かかる透明導電膜を工業化可能で実用的な方法によって製造するための製造方法を提供することを課題とする。　透明な基体シート上に、導電性金属薄膜と当該導電性金属薄膜の上下に積層された窒化物半導体薄膜とを含む積層構造を設けてなる透明導電膜であって、前記導電性金属薄膜が、Ｐｄ、Ｎｄ及び／又はＮｉを０．５～１０ｗｔ％ドーピングした銀からなる薄膜であり、前記窒化物半導体薄膜がアルミニウム及び／又はアルミニウム合金の窒化物薄膜であることを特徴とする透明導電膜。

    Abstract translation: 本发明的目的是提供：同时具有高透射率和低表面电阻的透明导电膜，即可见光透射率为85％以上，表面电阻为10Ω/□以下，所述 对于透明导电膜，可见光透射率和表面电阻处于最高水平; 以及通过实用且可工业化的方法制造透明导电膜的制造方法。 通过在透明基片上提供层叠在导电性金属薄膜的上表面和下表面上的导电性金属薄膜和氮化物半导体薄膜构成的多层结构而得到的透明导电膜。 该透明导电膜的特征在于，导电性金属薄膜是由银构成的薄膜，其以0.5〜10重量％的量掺杂Pd，Nd和/或Ni; 并且氮化物半导体薄膜是铝和/或铝合金的氮化物的薄膜。

    TRANSPARENT ELECTRODES BASED ON GRAPHENE AND GRID HYBRID STRUCTURES
    6.
    发明申请
    TRANSPARENT ELECTRODES BASED ON GRAPHENE AND GRID HYBRID STRUCTURES 审中-公开
    基于石墨和网状混合结构的透明电极

    公开(公告)号：WO2011112589A1

    公开(公告)日：2011-09-15

    申请号：PCT/US2011/027556

    申请日：2011-03-08

    Applicant: WILLIAM MARSH RICE UNIVERSITY ,  TOUR, James, M. ,  ZHU, Yu

    Inventor： TOUR, James, M. ,  ZHU, Yu

    IPC: H01B1/04

    CPC classification number: H05B33/28 ,  B82Y10/00 ,  H01B1/04 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/413 ,  H01L31/022491 ,  H01L51/445 ,  H05K1/09 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521 ,  Y10T156/10

    Abstract: In some embodiments, the present invention provides transparent electrodes that comprise: (1) a grid structure; and (2) a graphene film associated with the grid structure. In additional embodiments, the transparent electrodes of the present invention further comprise a substrate, such as glass. Additional embodiments of the present invention pertain to methods of making the above-described transparent electrodes. Such methods generally comprise: (1) providing a grid structure; (2) providing a graphene film; and (3) associating the graphene film with the grid structure. In further embodiments, the methods of the present invention also comprise associating the transparent electrode with a substrate.

    Abstract translation: 在一些实施例中，本发明提供透明电极，其包括：（1）网格结构; 和（2）与电网结构相关联的石墨烯膜。 在另外的实施例中，本发明的透明电极还包括诸如玻璃的基底。 本发明的附加实施例涉及制造上述透明电极的方法。 这种方法通常包括：（1）提供网格结构; （2）提供石墨烯膜; 和（3）将石墨烯膜与网格结构相关联。 在另外的实施例中，本发明的方法还包括将透明电极与衬底相关联。

    PHOTO-VOLTAIC CELLS INCLUDING SOLAR CELLS INCORPORATING SILVER-ALLOY REFLECTIVE AND/OR TRANSPARENT CONDUCTIVE SURFACES
    7.
    发明申请
    PHOTO-VOLTAIC CELLS INCLUDING SOLAR CELLS INCORPORATING SILVER-ALLOY REFLECTIVE AND/OR TRANSPARENT CONDUCTIVE SURFACES 审中-公开
    含有银合金反射和/或透明导电表面的太阳能电池的光伏电池

    公开(公告)号：WO2004066354A3

    公开(公告)日：2004-09-10

    申请号：PCT/US2004001120

    申请日：2004-01-16

    Applicant: TARGET TECHNOLOGY CO LLC ,  NEE HAN H

    Inventor： NEE HAN H

    IPC: H01L20060101 ,  H01L31/04 ,  H01L31/052 ,  H01L31/077

    CPC classification number: H01L31/077 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/048 ,  H01L31/056 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52

    Abstract: The current invention provides for the manufacture of solar cells with high sunlight to electricity conversion efficiencies by using improved silver-alloy thin films with a thickness in the range of 30 to 60 nanometers as a back reflector/conductor (1). The back reflector surface may be smooth or roughened depending on the design of the solar cell and the reflective surface. Silver-alloy thin film in the thickness range of 3 to 10 nanometers can be used to replace traditional transparent conductor such as indium oxide, indium tin oxide, zinc oxide, tin oxide etc. Elements that can be alloyed with silver to create alloys for use in the invention include, Pd, Cr, Zr, Pt, Au, Cu, Cd, B, In, Zn, Mg, Be, Ni, Ti, Si, Li, Al, Mn, Mo, W, Ga, Ge, Sn, and Sb. These alloys may be present in the silver-alloys in amounts ranging from 0.01 to 10.0 a/o percent.

    Abstract translation: 本发明通过使用厚度在30至60纳米范围内的改进的银合金薄膜作为后反射器/导体（1）来提供具有高阳光与电转换效率的太阳能电池的制造。 取决于太阳能电池和反射表面的设计，后反射器表面可以是光滑的或粗糙的。 可以使用厚度范围为3至10纳米的银合金薄膜来代替传统的透明导体，如氧化铟，氧化铟锡，氧化锌，氧化锡等。可与银合金制成合金的元素 本发明包括Pd，Cr，Zr，Pt，Au，Cu，Cd，B，In，Zn，Mg，Be，Ni，Ti，Si，Li，Al，Mn，Mo，W，Ga，Ge，Sn ，和Sb。 这些合金可以以0.01至10.0a / o的量存在于银合金中。

    STABILISING THIN METAL FILMS ON SUBSTRATES
    9.
    发明申请
    STABILISING THIN METAL FILMS ON SUBSTRATES 审中-公开
    在基板上稳定薄金属膜

    公开(公告)号：WO2013179028A2

    公开(公告)日：2013-12-05

    申请号：PCT/GB2013/051422

    申请日：2013-05-29

    Applicant: THE UNIVERSITY OF WARWICK

    Inventor： HATTON, Ross ,  STEC, Helena

    IPC: H01L51/00

    CPC classification number: H01L51/0021 ,  H01L31/022491 ,  H01L51/4253 ,  H01L51/442 ,  Y02E10/549

    Abstract: A method of producing a thin film structure such as a transparent electrode. A transparent thin film of a first metal such as gold or silver is deposited on a substrate. There is then deposited on the thin film of the first metal a compound of a second metal which forms a continuous, transparent thin film of an oxide of the second metal on the film of the first metal. The substrate carrying the thin films is annealed at a temperature of at least about 300 °C. The compound of a second metal that is deposited on the first metal may be a precursor that is treated, for example by heat, so as to produce the oxide of the second metal. The precursor may be an organometallic compound of the second metal; or a hydroxide of the second metal; or a sol of nanoparticles of the oxide of the second metal mixed with an organometallic precursor of the oxide of the second metal. The precursor may be deposited as a liquid. The oxide may be TiO x , WO x , MoO x , VO x , TaO x , ZnO x , NiO x or AIOx..

    Abstract translation: 制造透明电极等薄膜结构体的方法。 第一金属如金或银的透明薄膜沉积在基底上。 然后在第一金属的薄膜上沉积第二金属的化合物，该第二金属的化合物在第一金属的膜上形成第二金属的氧化物的连续的透明薄膜。 承载薄膜的基板在至少约300℃的温度下退火。 沉积在第一金属上的第二金属的化合物可以是例如通过加热处理的前体，以便产生第二金属的氧化物。 前体可以是第二金属的有机金属化合物; 或第二金属的氢氧化物; 或第二金属的氧化物的纳米颗粒的溶胶与第二金属的氧化物的有机金属前体混合。 前体可以作为液体沉积。 氧化物可以是TiOx，WOx，MoOx，VOx，TaOx，ZnOx，NiOx或AIOx。

    HOLE-BLOCKING SILICON/TITANIUM-OXIDE HETEROJUNCTION FOR SILICON PHOTOVOLTAICS
    10.
    发明申请
    HOLE-BLOCKING SILICON/TITANIUM-OXIDE HETEROJUNCTION FOR SILICON PHOTOVOLTAICS 审中-公开
    硅胶绝缘硅氧烷/氧化钛异辛烯

    公开(公告)号：WO2013138635A1

    公开(公告)日：2013-09-19

    申请号：PCT/US2013/031544

    申请日：2013-03-14

    Applicant: THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY ,  AVASTHI, Sushobhan ,  STURM, James C. ,  MCCLAIN, William E. ,  SCHWARTZ, Jefferey

    Inventor： AVASTHI, Sushobhan ,  STURM, James C. ,  MCCLAIN, William E. ,  SCHWARTZ, Jefferey

    IPC: H01L31/00

    CPC classification number: H01L31/074 ,  H01L31/02167 ,  H01L31/022475 ,  H01L31/022491 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/547

    Abstract: A hole-blocking silicon/titanium- oxide heterojunction for silicon photovoltaic devices and methods of forming are disclosed. The electronic device includes at least two electrodes having a current path between the two electrodes. The electronic device also includes a heterojunction formed of a titanium-oxide layer deposited over a Si layer and being disposed in the current path. The heterojunction is configured to function as a hole blocker. The first electrode may be electrically coupled to the Si layer and a second electrode may be electrically coupled to the titanium- oxide layer. The device may also include a PN junction disposed in the Si layer, in the current path. The device may also include an electron-blocking heterojunction on silicon in the current path.

    Abstract translation: 公开了一种用于硅光伏器件的空穴阻挡硅/氧化钛异质结及其形成方法。 电子装置包括至少两个电极，其中两个电极之间具有电流路径。 电子器件还包括由沉积在Si层上并设置在电流路径中的氧化钛层形成的异质结。 该异质结被配置为用作孔阻塞器。 第一电极可以电耦合到Si层，并且第二电极可以电耦合到氧化钛层。 该器件还可以包括位于当前路径中的Si层中的PN结。 器件还可以在电流路径中的硅上包括电子阻挡异质结。

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