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公开(公告)号：WO2022113831A1
公开(公告)日：2022-06-02
申请号：PCT/JP2021/042117
申请日：2021-11-16
Applicant: 住友電気工業株式会社 , 住友電工プリントサーキット株式会社 , メック株式会社
Abstract: セミアディティブ法によるプリント配線板の製造において、ニッケルクロム含有層（５）の除去に用いられた使用済みの除去液を、下記式（１）で表される官能基を有するキレート樹脂と接触させて再生する。 式（１）中、複数のＲは、同一の炭素数１～５の２価の炭化水素基であり、水素原子の一部はハロゲン原子で置換されていてもよい。
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公开(公告)号：WO2021177177A1
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：PCT/JP2021/007407
申请日：2021-02-26
Applicant: 東尾メック株式会社
Inventor： 井上 智史
IPC: F16L19/025 , F16L19/04 , F16L19/10
Abstract: 密封性能に優れ、かつ、耐引抜力が大きく、被密封流体の大きな温度変動にも対応可能で寿命の長い管継手構造を提供するために、継手本体40と袋ナット15，15を有し、相互に接続される２本の被接続用パイプＰ，Ｐは、先端面から所定軸心寸法に渡って先端拡径管部５が形成されている。パイプＰのテーパ状段付部10を越えて、先端拡径管部５に対して閉円環状リング25が外嵌され、継手本体40の端部に突出状に形成されている接続筒部41に圧接するように絞り力を与えて、接続される。
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公开(公告)号：WO2019039023A1
公开(公告)日：2019-02-28
申请号：PCT/JP2018/020419
申请日：2018-05-28
Applicant: メック株式会社
Abstract: マイクロエッチング剤は、無機酸、第二銅イオン、ハロゲン化物イオン、および側鎖に第四級アンモニウム基を含む重量平均分子量が１０００以上の水溶性カチオンポリマーを含む。マイクロエッチング剤中のハロゲン化物イオンのモル濃度は、第二銅イオンのモル濃度の５～１００倍である。マイクロエッチング剤のｐＨは２以下が好ましい。このマイクロエッチング剤を用いることにより、低エッチング量でも、樹脂等との密着性に優れる粗化形状を銅表面に形成できる。
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公开(公告)号：WO2017038175A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/JP2016/066014
申请日：2016-05-31
Applicant: メック株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C09K13/06 , H05K3/067 , H05K2203/0789
Abstract: 酸と、脂肪族非環式化合物、脂肪族複素環式化合物、及び複素芳香族化合物からなる群より選ばれる１種以上の化合物とを含み、前記脂肪族非環式化合物は、ヘテロ原子として窒素のみを２つ以上有する炭素数２～１０の飽和の脂肪族非環式化合物（Ａ）であり、前記脂肪族複素環式化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を１つ以上有する５～７員環を含む化合物（Ｂ）であり、前記複素芳香族化合物は、環を構成するヘテロ原子として窒素を１つ以上有する複素芳香６員環を含む化合物（Ｃ）である、銅のエッチング液である。本発明の銅のエッチング液は、銅配線の直線性（銅配線頂部の配線幅（Ｗ２））を低下させることなくサイドエッチングを抑制でき、かつ、銅配線底部の配線幅（Ｗ１）のばらつきを抑制できるエッチング液とその補給液、及び銅配線の形成方法を提供する。
Abstract translation: 本发明是一种铜蚀刻溶液，其包含酸和至少一种选自脂族非环化合物，脂族杂环化合物和杂芳族化合物的化合物。 脂族非环化合物是C2至C10饱和脂族非环化合物（A），其中至少两个氮仅作为杂原子。 所述脂族杂环化合物是包含与至少一个氮作为构成环的杂原子的五元至七元环的化合物（B）。 杂芳族化合物是包含具有至少一个氮作为构成环的杂原子的杂芳族六元环的化合物（C）。 该铜蚀刻溶液提供：能够限制侧面蚀刻而不减少铜布线性（铜布线的顶点的布线宽度（W2））并且能够限制底部的布线宽度（W1）的变化的蚀刻溶液 铜线; 补充方案; 和铜布线形成方法。
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公开(公告)号：WO2016103816A1
公开(公告)日：2016-06-30
申请号：PCT/JP2015/076490
申请日：2015-09-17
Applicant: メック株式会社
CPC classification number: C23C18/1689 , C23C18/1834 , C23C18/54 , H05K3/187 , H05K3/24 , H05K3/26 , H05K2203/072 , H05K2203/0789
Abstract: 本発明は、無電解スズメッキ後水洗前の洗浄を行うためのスズメッキ被膜用洗浄液、および当該洗浄液による洗浄工程を含むスズメッキ層の形成方法に関する。本発明の洗浄液は、酸、錯化剤、安定化剤および塩化物イオンを含む酸性水溶液である。洗浄液は、塩化物イオン濃度が２重量％以上であり、スズ濃度が０．５重量％以下である。本発明の洗浄液は、スズメッキ被膜表面の洗浄性が良好で、かつスズメッキ被膜の特性維持が容易であり、さらに連続使用を行った際でもメッキ被膜表面への影響が小さく経時安定性に優れる。
Abstract translation: 本发明涉及一种用于镀锡膜的洗涤液，其可以在无电镀锡之后用水清洗之前用于洗涤; 以及形成锡镀层的方法，其包括用洗涤液洗涤的步骤。 根据本发明的洗涤溶液是含有酸，络合剂，稳定剂和氯离子的酸性水溶液。 洗涤液含有浓度为2重量％以上的氯离子，还含有浓度为0.5重量％以下的锡。 根据本发明的洗涤液对镀锡膜的表面具有良好的洗涤性能，能够容易地保持锡镀膜的性能，即使连续使用也对镀膜的表面影响小，具有 优良的长期稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：WO2016006373A1
公开(公告)日：2016-01-14
申请号：PCT/JP2015/066299
申请日：2015-06-05
Applicant: メック株式会社
IPC: C23F1/28
CPC classification number: C23F1/28
Abstract: 本発明の鉄鋼材のエッチング剤は、第一鉄イオンと、第二鉄イオンと、アセチレン基含有水溶性化合物とを含む酸性水溶液である。エッチング剤中の第一鉄イオンの濃度をＡ重量％、第二鉄イオンの濃度をＢ重量％としたときに、Ａ／Ｂの値は、０．１～２．５であることが好ましい。本発明の補給液は、前記エッチング剤を連続又は繰り返し使用する際に、前記エッチング剤に添加する補給液であって、アセチレン基含有水溶性化合物を含む水溶液である。
Abstract translation: 该钢铁材料用蚀刻剂是含有亚铁离子，铁离子和含有乙炔基的水溶性化合物的酸性水溶液。 当蚀刻剂中亚铁离子的浓度为A重量％，铁离子浓度为B重量％时，A / B值优选为0.1〜2.5。 这种补充液体是当连续或重复使用蚀刻剂时添加到蚀刻剂中的补充液体，并且是含有含有乙炔基团的水溶性化合物的水溶液。
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公开(公告)号：WO2014087693A1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：PCT/JP2013/068666
申请日：2013-07-08
Applicant: メック株式会社
Inventor： 小寺 浩史
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/02 , H05K3/067 , H05K2203/0789
Abstract: 銅配線の直線性を損なうことなくサイドエッチングを抑制できるエッチング液とその補給液、及び銅配線の形成方法を提供する。本発明のエッチング液は、銅のエッチング液であって、酸と、酸化性金属イオンと、化合物Ａとを含む水溶液であり、前記化合物Ａが、チオール基、スルフィド基及びジスルフィド基（ただし、スルフィド基及びジスルフィド基は、硫黄原子と、これに連結する異種原子とが単結合により連結され、かつπ共役を形成しない基である。）からなる群より選択される少なくとも１種の硫黄含有官能基と、アミノ基とを分子内に有することを特徴とする。
Abstract translation: 提供了能够抑制侧蚀刻而不损害铜布线的线性的蚀刻流体，以及用于形成铜布线的方法。 该蚀刻流体是铜蚀刻液，其特征在于，含有酸，氧化金属离子和化合物（A）的水溶液，分子内具有氨基的化合物（A）和至少一个选自硫的官能团 来自硫基，硫化物基团和二硫化物基团（其中硫化物和二硫基团是其中硫原子和与其连接的杂原子通过单键连接并且不形成共轭物的基团）。
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公开(公告)号：WO2014076989A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/JP2013/064705
申请日：2013-05-28
Applicant: メック株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/08 , H05K3/0035 , H05K3/0085 , H05K2203/075 , H05K2203/0789 , H05K2203/1476 , H05K2203/1509 , H05K2203/1545
Abstract: 水平搬送した際の搬送キズに起因する孔径のばらつきを抑制できる上、レーザ加工エネルギーを低減することができるプリント配線板の製造方法、及びこれに用いる表面処理装置を提供する。本発明のプリント配線板の製造方法は、プリント配線板製造用積層板(10)の表層の銅層(3)を表面処理する前処理工程と、前記前処理工程後の銅層(3)の表面にレーザ光を照射して孔を形成するレーザ加工工程とを含む。前記前処理工程は、酸素含有雰囲気下で銅層(3)の表面を水溶液Ａと接触させる第一表面処理工程と、前記第一表面処理工程後の銅層(3)の表面を水溶液Ｂと接触させる第二表面処理工程とを有する。本発明では、前記第二表面処理工程において、酸素を供給せずに銅層(3)の表面と水溶液Ｂとを接触させる。
Abstract translation: 本发明提供一种印刷电路板的制造方法以及在所述方法中使用的表面处理装置，其不仅能够抑制由于在水平输送过程中产生的划痕而引起的孔径波动，还能够降低激光加工能量。 该制造印刷电路板的方法包括：预处理步骤，其中，作为印刷电路板制造用层压体（10）的表面层的铜层（3）和激光加工工序，其中在表面形成有孔 通过用激光照射进行预处理步骤后的铜层（3）。 预处理步骤包括第一表面处理步骤，其中铜层（3）的表面在含氧气氛中与水溶液（A）接触，第二表面处理步骤，其中， 在第一表面处理步骤之后的铜层（3）与水溶液（B）接触。 在本发明中，在第二表面处理工序中，使铜层（3）的表面与水溶液（B）接触而不供给氧。
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公开(公告)号：WO2014017115A1
公开(公告)日：2014-01-30
申请号：PCT/JP2013/055843
申请日：2013-03-04
Applicant: メック株式会社
CPC classification number: C23F1/18 , C23F1/34 , H05K3/0085 , H05K3/022 , H05K3/383 , H05K2203/0307 , H05K2203/0789
Abstract: マイクロエッチング剤、及びその補給液、並びにマイクロエッチング剤を用いた配線基板の製造方法を提供する。本発明のマイクロエッチング剤は、第二銅イオン、有機酸、ハロゲン化物イオン、分子量１７～４００のアミノ基含有化合物及びポリマーを含む水溶液からなる。前記ポリマーは、ポリアミン鎖及び／又はカチオン性基を有し、かつ重量平均分子量が１０００以上の水溶性ポリマーである。本発明のマイクロエッチング剤は、アミノ基含有化合物の濃度をＡ重量％とし、ポリマーの濃度をＢ重量％としたときに、Ａ／Ｂの値が５０～６０００である。本発明によれば、低エッチング量でも銅と樹脂等との密着性が維持され得る。
Abstract translation: 提供：微蚀剂; 用于微蚀刻剂的补充溶液; 以及使用该微蚀刻剂制造布线板的方法。 本发明的微蚀刻剂由含有铜离子的水溶液，有机酸，卤离子，分子量为17〜400的含氨基的化合物和聚合物构成。 聚合物是具有多胺链和/或阳离子基团的水溶性聚合物，其重均分子量为1,000以上。 对于该微蚀刻剂，如果A（wt％）是含氨基化合物的浓度，B（wt％）是聚合物的浓度，则A / B的值为50-6,000。 根据本发明，即使蚀刻量小，也可以保持铜与树脂等之间的粘合。
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10.发明申请
公开(公告)号：WO2012063740A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/JP2011/075473
申请日：2011-11-04
IPC: H01M4/70 , H01M4/131 , H01M4/136 , H01M4/1391 , H01M4/66
CPC classification number: H01M4/70 , H01M4/136 , H01M4/5825 , H01M4/661
Abstract: 活物質と集電体との間の電子伝導性を向上させることができる非水電解質二次電池用正極集電体の製造方法と、非水電解質二次電池用正極の製造方法を提供する。 本発明の非水電解質二次電池用正極集電体の製造方法は、アルミニウム製集電基材の表面をエッチング剤によって粗化処理する非水電解質二次電池用正極集電体の製造方法であって、前記エッチング剤が、アルカリ源と両性金属イオンとを含むアルカリ水溶液系エッチング剤、及び第二鉄イオン源と第二銅イオン源とマンガンイオン源と無機酸とを含む第二鉄イオン水溶液系エッチング剤から選ばれる一種以上であることを特徴とする。
Abstract translation: 提供：一种能够提高活性物质和集电体之间的电子传导性的非水电解质二次电池用正极集电体的制造方法。 以及非水电解质二次电池用正极的制造方法。 本发明提供一种非水电解质二次电池用正极集电体的制造方法，其特征在于，由铝制成的集电体基体的表面被蚀刻剂粗糙化，其特征在于，所述蚀刻剂由一种以上选择的试剂构成 从含有碱源和两性金属离子的碱性水溶液型蚀刻剂和含有三价铁离子溶液的蚀刻剂中分别含有铁离子源，铜离子源，锰离子 来源和无机酸。
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