公开(公告)号：WO2023063732A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/KR2022/015457

申请日：2022-10-13

申请人： 고려대학교 산학협력단

发明人： 김상식 ,  조경아 ,  백은우 ,  전주희 ,  손재민 ,  김택함 ,  양예진

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/66 ,  H01L27/098

摘要： 본 발명은 트리플 게이트 피드백 메모리 소자로 구성된 가변형 로직 인 메모리 셀에 관한 것으로, 본 발명의 일실시예에 따른 가변형 로직 인 메모리 셀은 드레인 영역, 채널 영역, 소스 영역을 포함하고, 상기 채널 영역 상에서 제1 및 제2 프로그래밍 게이트 전극 및 컨트롤 게이트 전극이 형성된 게이트 영역을 포함하는 트리플 게이트 피드백 메모리 소자를 복수로 포함한다.

公开(公告)号：WO2022261819A1

公开(公告)日：2022-12-22

申请号：PCT/CN2021/100070

申请日：2021-06-15

申请人： INNOSCIENCE (SUZHOU) TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： DONG, Zhiwen ,  ZHAO, Qiyue ,  LI, Maolin

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L29/66 ,  H01L31/112

摘要： A nitride-based semiconductor device includes a first nitride-based semiconductor layer, a second nitride-based semiconductor layer, a gate electrode, a first source electrode, a second source electrode, and a drain electrode. The second nitride-based semiconductor layer includes a drift region doped, a first barrier region, and a second barrier region. The first and second barrier regions extend downward from a top surface of the second nitride-based semiconductor layer and are separated from each other by a portion of the drift region. The gate electrode is disposed on the first barrier region. The first source electrode is disposed on the portion of the drift region. The second source electrode is disposed on the second barrier region and is electrically coupled with the first source electrode. The drain electrode is connected to the first nitride-based semiconductor layer.

公开(公告)号：WO2022259918A1

公开(公告)日：2022-12-15

申请号：PCT/JP2022/022163

申请日：2022-05-31

申请人： 株式会社ジャパンディスプレイ ,  学校法人名城大学

发明人： 池田　雅延 ,  石田　有親 ,  上山　智 ,  岩谷　素顕 ,  竹内　哲也

IPC分类号： H01L21/203 ,  C30B29/38 ,  C30B29/40 ,  H01L21/20 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L33/16

摘要： ＧａＮ層の高品質な結晶成長を促進する積層体及び積層体の製造方法を提供する。積層体は、非晶質ガラス基板と、非晶質ガラス基板の上に形成されたＡｌＮ層と、を有し、ＡｌＮ層は、非晶質ガラス基板上にｃ軸配向しており、非晶質ガラス基板のガラス転移温度（Ｔｇ）は、７２０℃以上８１０℃以下であり、非晶質ガラス基板の熱膨張係数（ＣＴＥ）は、３．５×１０－６［１／Ｋ］以上４．０×１０－６［１／Ｋ］以下であり、非晶質ガラス基板の軟化点は、９５０℃以上１０５０℃以下である。

公开(公告)号：WO2022194199A1

公开(公告)日：2022-09-22

申请号：PCT/CN2022/081163

申请日：2022-03-16

申请人： 苏州能讯高能半导体有限公司

发明人： 张晖 ,  李仕强

IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/80 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335 ,  H01L21/336 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338

摘要： 本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，该半导体器件的外延结构包括：衬底；位于衬底一侧的外延层，外延层至少包括第一子外延层组，第一子外延层组包括层叠设置的第一子外延层和第二子外延层；第一子外延层远离衬底的一侧表面包括多个第一位错坑，第一位错坑的侧壁与第一子外延层所在平面以及第一方向均相交；第二子外延层至少覆盖第一位错坑的侧壁。本发明实施例中，第二子外延层中原本沿第一方向向上延伸的大部分位错会在第一位错坑处改变延伸方向，位错发生弯曲，从而减少沿第一方向向上延伸的大部分位错，提高外延层的均匀性，提升晶体质量及产品良率，降低成本。

公开(公告)号：WO2022123935A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/JP2021/039483

申请日：2021-10-26

申请人： ローム株式会社 ROHM CO., LTD. [JP]/[JP]

发明人： 伊藤　範和 ITO Norikazu

IPC分类号： H01L29/41 ,  H01L29/417 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

摘要： 窒化物半導体装置（１０）は、窒化物半導体によって構成された電子走行層（１６）と、電子走行層（１６）上に形成され、電子走行層（１６）よりも大きなバンドギャップを有する窒化物半導体によって構成された電子供給層（１８）と、電子供給層（１８）上に形成され、電子供給層（１８）よりも小さなバンドギャップを有するとともに、アクセプタ型不純物を含む窒化物半導体によって構成されたゲート層（２２）と、ゲート層（２２）上に形成されたゲート電極（２４）と、電子供給層（１８）に接しているソース電極（２８）およびドレイン電極（３０）とを備えている。アクセプタ型不純物は、亜鉛およびマグネシウムを含み、ゲート層（２２）の厚さ方向に沿った亜鉛の濃度プロファイルは、ゲート層（２２）の厚さ方向に沿ったマグネシウムの濃度プロファイルとは相違している。

公开(公告)号：WO2022088925A1

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：PCT/CN2021/115533

申请日：2021-08-31

申请人： 深圳市威兆半导体有限公司

发明人： 李伟聪 ,  林泳浩 ,  姜春亮 ,  雷秀芳

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

摘要： 本申请公开一种NPN三明治栅结构的沟槽MOSFET器件，包括元胞结构，元胞结构包括漏极金属、N+衬底、N型漂移区、源极金属；N型漂移区的上表面一侧形成从上至下依次设置的N+Poly栅极、P型轻掺杂区、N型源极接触区；N型漂移区的上表面另一侧设有紧邻沟槽栅极结构的P型基区、N型重掺杂区和P型重掺杂区。

公开(公告)号：WO2022030650A1

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/JP2021/029577

申请日：2021-08-10

申请人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

发明人： ▲柳▼田　秀彰 ,  水本　尚吾 ,  安藤　裕之 ,  松原　佑典

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/24 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/808 ,  H01L29/812

摘要： 特にパワーデバイスに有用な、順方向特性が改善された半導体素子および半導体装置を提供する。結晶性酸化物半導体（例えば、α－Ｇａ２Ｏ３など）を主成分として含む半導体層と、該半導体層上に積層されている電極層と、該電極層上に、直接または他の層を介して積層されている導電性基板とを備える積層構造体であって、前記導電性基板が、周期律表第６族金属を含む半導体素子および該半導体素子を備える半導体装置。

公开(公告)号：WO2022030647A2

公开(公告)日：2022-02-10

申请号：PCT/JP2021/029574

申请日：2021-08-10

申请人： 株式会社ＦＬＯＳＦＩＡ

发明人： 菅野　亮平

IPC分类号： H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  H01L29/06 ,  H01L29/24 ,  H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L29/872 ,  C30B29/22 ,  C23C16/40 ,  H01L21/02107 ,  H01L29/66234 ,  H01L29/66848 ,  H01L29/66893

摘要： 工業的に有用であり、かつ半導体特性に優れたｐ型の電気導電を有している酸化物半導体および酸化物半導体を含む半導体装置を提供する。２以上の金属を含む金属酸化物の混晶であって、前記混晶が周期律表の第９族から選択される第１の金属と周期律表の第１３族から選択される第２の金属とを少なくとも含有する金属酸化物を主成分とする前記混晶を含み、前記混晶中の金属において、前記第２の金属が原子比で４０％以上であり、前記混晶がｐ型の電気導電を有している、酸化物半導体。

公开(公告)号：WO2021229702A1

公开(公告)日：2021-11-18

申请号：PCT/JP2020/019050

申请日：2020-05-13

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 齋藤　尚史 ,  滝口　雄貴 ,  宇佐美　茂佳 ,  山田　高寛 ,  中村　茉里香 ,  柳生　栄治

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337

摘要： ソース層（１３）は、窒化物系半導体からなる第１のｐ型層（１２）上に設けられ、キャリアとして電子を有する半導体領域を含む。ドレイン層（１４）は、第１のｐ型層（１２）上においてソース層（１３）から間隔を空けて第１の方向において対向しており、キャリアとして電子を有する半導体領域を含む。チャネル構造（ＳＲ）は、第１のｐ型層（１２）上においてソース層（１３）とドレイン層（１４）との間に設けられ、第１の方向に直交する第２の方向において交互にチャネル領域（ＣＮ）およびゲート領域（ＧＴ）が配置されている。チャネル構造（ＳＲ）に含まれるチャネル層（１５）は、チャネル領域（ＣＮ）の少なくとも一部を構成しており、窒化物系半導体からなる。チャネル構造（ＳＲ）に含まれるゲート層（１６）は、ゲート領域（ＧＴ）の少なくとも一部を構成しており、ゲート電極（１９）と第１のｐ型層（１２）とを電気的に接続している。

公开(公告)号：WO2021223357A1

公开(公告)日：2021-11-11

申请号：PCT/CN2020/117286

申请日：2020-09-24

申请人： 苏州东微半导体有限公司

发明人： 刘磊 ,  刘伟 ,  袁愿林 ,  龚轶

IPC分类号： H01L29/808 ,  H01L21/337

摘要： 本申请属于半导体器件技术领域，公开了一种半导体器件，包括：n型漏区；位于所述n型漏区之上的n型外延层；位于所述n型外延层内且远离所述n型漏区一侧的至少两个栅区；位于所述n型外延层内且位于相邻的所述栅区之间的n型源区；位于所述n型外延层内且介于所述栅区和所述n型漏区之间的多个p型柱。