配向性アパタイト型酸化物イオン伝導体及びその製造方法
    3.
    发明申请
    配向性アパタイト型酸化物イオン伝導体及びその製造方法 审中-公开
    面向APATITE型氧化物导体及其制造方法

    公开(公告)号:WO2016111110A1

    公开(公告)日:2016-07-14

    申请号:PCT/JP2015/084515

    申请日:2015-12-09

    Abstract:  クラックの発生を抑制して大面積化を図ることができ、好ましくは複雑でないプロセスでより安価に製造することができる、新たな配向性アパタイト型酸化物イオン伝導体を提供せんとするべく、A 9.33+x [T 6-y M y ]O 26.00+z (式中のAは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Be、Mg、Ca、Sr及びBaからなる群から選ばれた一種又は二種以上の元素である。式中のTは、Si又はGe又はその両方を含む元素である。式中のMは、B、Ge、Zn、Sn、W及びMoからなる群から選ばれた一種又は二種以上の元素である。)で示され、式中のxは-1~1であり、式中のyは1~3であり、式中のzは-2~2であり、Mのモル数に対するAのモル数の比率(A/M)が3~10であることを特徴とする複合酸化物からなる配向性アパタイト型酸化物イオン伝導体を提案する。

    Abstract translation: 为了提供能够抑制裂纹产生和实现大表面积的新的取向磷灰石型氧化物离子导体,优选能够通过简单的工艺以低成本制造,提出了一种磷灰石型氧化物 包含复合氧化物的离子导体,其特征在于由A9.33 + x [T6-yMy] O26.00 + z(式中的A)表示为选自La,Ce,Pr, Nd,Sm,Eu,Gd,Tb,Dy,Be,Mg,Ca,Sr和Ba中的至少一种元素,式中的Si是Si或Ge或包含两者的元素,式中的M是选自 的B,Ge,Zn,Sn,W和Mo),其中x为-1至1,y为1至3,z为-2至2,A的摩尔数与摩尔数之比 的M,即A / M为3〜10。

    METHOD AND SYSTEM FOR FLUSHING A PIPE SYSTEM USING A FLUID IN A SUPERCRITICAL STATE
    5.
    发明申请
    METHOD AND SYSTEM FOR FLUSHING A PIPE SYSTEM USING A FLUID IN A SUPERCRITICAL STATE 审中-公开
    在超临界状态下使用流体冲洗管道系统的方法和系统

    公开(公告)号:WO2015018419A1

    公开(公告)日:2015-02-12

    申请号:PCT/DK2014/050230

    申请日:2014-07-22

    Abstract: Use of supercritical CO2 for cleaning long, narrow pipes with a cross sectional area of less than 1000 square mm and a length of more than 500 meter. Cleaning is performed by adding a fluid to the lumen of the pipe (140); providing the fluid (2) in a supercritical state (6) inside the lumen; and subsequently, as a flushing step, while the fluid is in the supercritical state or in a liquid state, displacing the fluid (2) in the lumen of the pipe (140) and out of lumen of the pipe at a speed that causes a turbulent flow of the fluid, thereby flushing particles out of the lumen.

    Abstract translation: 使用超临界二氧化碳清洗横截面积小于1000平方毫米,长度超过500米的长管道。 通过向管道(140)的内腔添加流体来进行清洁; 将流体(2)提供在腔内的超临界状态(6)中; 随后,作为冲洗步骤,当流体处于超临界状态或处于液体状态时,以使得管道(140)的内腔中的流体(2)以管道的内腔移动,导致流体 流体的紊流,从而将颗粒冲洗出管腔。

    리튬 인산철 나노분말 제조방법
    6.
    发明申请
    리튬 인산철 나노분말 제조방법 审中-公开
    制造磷酸铁锂纳米粒子的方法

    公开(公告)号:WO2014109572A1

    公开(公告)日:2014-07-17

    申请号:PCT/KR2014/000262

    申请日:2014-01-09

    Abstract: 본 발명은 (a) 반응 용매에 리튬 전구체, 철 전구체 및 인 전구체를 넣고 혼합 용액을 제조하는 단계; 및 (b) 상기 혼합 용액을 반응기에 투입하고 가열하여, 10 내지 100bar 압력 조건 하에서 리튬 인산철 나노분말을 합성하는 단계; 를 포함하는 리튬 인산철 나노분말 제조방법 및 상기 방법에 따라 제조된 리튬 인산철 나노분말에 관한 것으로, 종래의 수열 합성법 및 초임계수법과 대비할 때 상대적인 저압 조건에서 반응을 진행시킬 수 있고, 또한 종래의 글리코써멀 방법과 대비하여 입자 크기 및 입도 분포가 효과적으로 제어된 리튬 인산철 나노분말을 용이하게 제조할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种制造磷酸铁锂纳米粉末的方法和通过该方法制造的磷酸铁锂纳米粉末,其中该方法包括以下步骤:(a)将锂前体,铁前体和磷前体加入到反应溶剂中, 制备混合溶液; 和(b)将混合溶液注入反应器并加热,以在10-100巴的压力下合成磷酸铁锂纳米粉末。 与现有的水热合成技术和超临界水法相比,本发明可以在相对较低的压力条件下进行反应,并且可以容易地生产与现有的一种热电偶相比,其粒径和粒径分布有效控制的磷酸铁锂纳米粉体 方法。

    熱線遮蔽塩化ビニルフィルム製造用組成物およびその製造方法、並びに、熱線遮蔽塩化ビニルフィルム
    10.
    发明申请
    熱線遮蔽塩化ビニルフィルム製造用組成物およびその製造方法、並びに、熱線遮蔽塩化ビニルフィルム 审中-公开
    用于制造用于屏蔽热射线的氯乙烯薄膜的组合物,用于制造组合物的方法和用于屏蔽热射线的氯乙烯薄膜

    公开(公告)号:WO2008136317A1

    公开(公告)日:2008-11-13

    申请号:PCT/JP2008/057802

    申请日:2008-04-23

    Inventor: 藤田 賢一

    Abstract: 一般式WO X で示されるタングステン酸化物微粒子、および/または、一般式M y WO Z で示され、かつ六方晶の結晶構造を持つ複合タングステン酸化物微粒子と、分散剤とを、有機溶剤に分散して分散液を得る工程と、当該分散液に、塩化ビニルフィルム製造用可塑剤を混合して混合物を得る工程と、当該混合物から減圧蒸留法で上記有機溶剤を5重量%以下となる迄、除去して上記熱線遮蔽塩化ビニルフィルム製造用組成物を得る工程とにより、熱線遮蔽塩化ビニルフィルム製造用組成物を製造した。 

    Abstract translation: 公开了用于制造用于屏蔽热射线的氯乙烯膜的组合物。 通过包括以下步骤的方法制备组合物:将由以下通式表示的氧化钨微粒分散在由下列通式表示的复合氧化钨和/或由以下通式表示的复合氧化钨的微粒: 并且在有机溶剂中具有六方晶结构和分散剂以产生分散溶液; 将分散溶液与用于生产氯乙烯膜的增塑剂混合以产生混合物; 并通过减压蒸馏从混合物中除去有机溶剂,使得混合物中有机溶剂的含量降低至5重量%以下,从而制得组合物。

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