降低馈通电压的GOA电路
    5.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2017092116A1

    公开(公告)日:2017-06-08

    申请号:PCT/CN2015/099280

    申请日:2015-12-28

    Inventor: 龚强

    Abstract: 一种降低馈通电压的GOA电路,在下拉输出单元(400)中增设第十一薄膜晶体管(T11)及与第十一薄膜晶体管(T11)串联的第一电阻(R1),在GOA电路的输出过程中,通过增设的输出控制信号(CKF)导通第十一薄膜晶体管(T11),利用第一电阻(R1)的分压作用,使得输出端(G(n))输出的信号波形多产生一个下降沿,即输出端(G(n))输出的信号波形具有两个下降沿,能够减小像素内TFT的栅极关闭前后的电压差,从而降低馈通电压,提升液晶面板的显示均一性。

    源驱动晶片驱动电路以及液晶显示面板

    公开(公告)号:WO2017020354A1

    公开(公告)日:2017-02-09

    申请号:PCT/CN2015/087784

    申请日:2015-08-21

    Inventor: 吴晶晶 熊志

    Abstract: 一种源驱动晶片(220,320)驱动电路以及液晶显示面板。所述源驱动晶片(220,320)驱动电路中,消隐定时器(210,310)的输出端连接开关单元(221,321)的控制端,开关单元(221,321)的输入端连接供电电源(VCC),开关单元(221,321)的输出端连接缓冲放大器(222,322)的电源端;消隐定时器(210,310)用于产生控制信号(Vin),其中,控制信号(Vin)在行消隐或者帧消隐时为第一电平,控制信号(Vin)在非行消隐以及非帧消隐时为第二电平;开关单元(221,321)用于在控制信号(Vin)为第一电平时,处于断开状态,从而使得供电电源(VCC)不能通过开关单元(221,321)向缓冲放大器(222,322)的电源端进行供电;以及,在控制信号(Vin)为第二电平时,处于导通状态,从而使得供电电源(VCC)通过开关单元(221,321)向缓冲放大器(222,322)的电源端进行供电。所述源驱动晶片(220,320)驱动电路以及液晶显示面板能够有效地减少功耗。

    半導体装置
    9.
    发明申请
    半導体装置 审中-公开
    半导体器件

    公开(公告)号:WO2016190197A1

    公开(公告)日:2016-12-01

    申请号:PCT/JP2016/064766

    申请日:2016-05-18

    Abstract: 半導体チップのバンプと基板の電極パッドとの間の接続不良を抑制する。半導体装置は、複数の電極パッド15が一方の面に配置された基板と、略同一の大きさの複数のバンプ21が一方の面に形成された半導体チップ20と、複数のバンプ21及び複数の電極パッド15の間に介在して、複数のバンプ21と複数の電極パッド15とをそれぞれ電気的に接続する異方性導電膜30と、を備える。複数の電極パッド15には、半導体チップ20の端25に最も近い位置に位置する複数の第1の電極パッド15Aと、複数の第1の電極パッド15Aよりも半導体チップ20の内側に位置する複数の第2の電極パッド15Bとが含まれており、複数の第2の電極パッド15Bの各々の面積は、複数の第1の電極パッド15Aの各々の面積よりも広い。

    Abstract translation: 为了抑制衬底的电极焊盘与半导体芯片的凸块之间的错误连接。 半导体器件设置有:具有设置在一个表面上的多个电极焊盘15的衬底; 半导体芯片20具有形成在一个表面上的大致相同尺寸的凸块; 以及介于凸块21和电极焊盘15之间的各向异性导电膜30,以电连接凸块21和电极焊盘15.电极焊盘15包括位于最靠近边缘25的位置的多个第一电极焊盘15A 半导体芯片20的多个电极焊盘15B以及比第一电极焊盘15A更靠在半导体芯片20的内侧的电极焊盘15B。 每个第二电极焊盘15B的面积大于每个第一电极焊盘15A的面积。

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