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    一种显示面板和显示装置
    1.
    发明申请
    一种显示面板和显示装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2019056513A1

    公开(公告)日：2019-03-28

    申请号：PCT/CN2017/109499

    申请日：2017-11-06

    申请人： 武汉华星光电半导体显示技术有限公司

    发明人： 王幸

    IPC分类号： H01L27/12 ,  H01L21/77

    CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/1259

    摘要： 一种显示面板和显示装置，包括：基板薄膜层(101)；设置在基板薄膜层(101)上的有机薄膜层；有机薄膜层至少包括：设置在基板薄膜层(101)上的缓冲层，以及依次设置在缓冲层上的第一金属层(103)、栅极绝缘层(106)和栅极金属层(107)，第一金属层(103)、栅极绝缘层(106)和栅极金属层(107)三者之间形成至少一个用于消除静电的电容；以及设置于有机薄膜层上的功能层，功能层至少包括阳级膜层(113)。由此，可消除面板制作过程中累计的静电，避免膜层腐蚀等不良，保证画面正常显示，提高显示面板的产出良率。

    基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路
    3.
    发明申请
    基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路 审中-公开

    公开(公告)号：WO2017197683A1

    公开(公告)日：2017-11-23

    申请号：PCT/CN2016/085597

    申请日：2016-06-13

    申请人： 武汉华星光电技术有限公司

    发明人： 李亚锋

    IPC分类号： G09G3/36

    CPC分类号： G09G3/3677 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2202/104 ,  G09G2310/0283 ,  G09G2310/0286 ,  H01L27/1222 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255

    摘要： 一种基于LTPS半导体薄膜晶体管的GOA电路，引入了电阻R1与一时序信号Reset调整第二节点P(n)对应的电压的高低电平和频率。采用电阻R1与第十薄膜晶体管T10取代现有技术中的第二电容C2，将电阻R1的一端接恒压高电位VGH，另一端接第九薄膜晶体管T9的栅极，第九薄膜晶体管T9的源极电性连接于时序信号Reset；能够在输出端G(n)保持低电平的阶段，使第二节点P(n)的电平随着时序信号Reset在高、低电平之间跳变而发生同样的高、低电平跳变，即按一定频率拉低第二节点P(n)的电平，有效避免了第二节点P(n)长时间处于高电平，防止因第六与第七薄膜晶体管T6、T7长时间工作引起的阈值电压偏移问题，提升GOA电路的稳定性。

    ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY APPARATUS
    5.
    发明申请
    ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY APPARATUS 审中-公开
    电致发光显示装置

    公开(公告)号：WO2017074103A1

    公开(公告)日：2017-05-04

    申请号：PCT/KR2016/012255

    申请日：2016-10-28

    申请人： LG DISPLAY CO.,LTD.

    发明人： KIM, Jung Mook

    IPC分类号： H01L27/32 ,  H01L51/56 ,  H01L51/52

    CPC分类号： H01L27/3276 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/3213 ,  H01L27/3246 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3265 ,  H01L27/3272 ,  H01L27/3279 ,  H01L51/5212 ,  H01L51/5284 ,  H01L2251/5315

    摘要： An electroluminescence display apparatus comprising: a plurality of sub-pixel circuit units arranged in a matrix form; at least one gate line disposed between the plurality of sub-pixel circuit units and extending along a first direction; a plurality of first data line groups and a plurality of second data line groups alternatively disposed between the plurality of sub-pixels circuit units and extending along a second direction; a plurality of common lines disposed within the first or the second data line groups and extending along the second direction; and a plurality of anode lines disposed within the first or the second data line groups and extending along the second direction.

    摘要翻译： 一种电致发光显示设备，包括：以矩阵形式布置的多个子像素电路单元; 至少一条栅极线，设置在所述多个子像素电路单元之间并沿第一方向延伸; 多个第一数据线组和多个第二数据线组，交替地设置在所述多个子像素电路单元之间并沿第二方向延伸; 多条公共线，设置在第一或第二数据线组内并沿第二方向延伸; 以及设置在第一或第二数据线组内并沿第二方向延伸的多条阳极线。

    AMORPHOUS METAL THIN FILM NONLINEAR RESISTOR
    7.
    发明申请
    AMORPHOUS METAL THIN FILM NONLINEAR RESISTOR 审中-公开
    非晶金属薄膜非线性电阻

    公开(公告)号：WO2017066332A1

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：PCT/US2016/056653

    申请日：2016-10-12

    申请人： AMORPHYX, INC.

    发明人： MUIR, Sean, William

    IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/768 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13439 ,  G02F2001/136295 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/1255 ,  H01L28/24 ,  H01L29/786

    摘要： Amorphous multi-component metallic films can be used to improve the performance of electronic components such as resistors, diodes, and thin film transistors. Interfacial properties of AMMFs are superior to those of crystalline metal films, and therefore electric fields at the interface of an AMMF and an oxide film are more uniform. An AMMF resistor (AMNR) can be constructed as a three-layer structure including an amorphous metal, a tunneling insulator, and a crystalline metal layer. By modifying the order of the materials, the patterns of the electrodes, and the size and number of overlap areas, the I-V performance characteristics of the AMNR are adjusted. A non-coplanar AMNR has a five-layer structure that includes three metal layers separated by metal oxide tunneling insulator layers, wherein an amorphous metal thin film material is used to fabricate the middle electrodes.

    摘要翻译： 非晶多组分金属膜可用于改善电子组件如电阻器，二极管和薄膜晶体管的性能。 AMMF的界面特性优于晶体金属膜，因此AMMF和氧化膜界面处的电场更均匀。 AMMF电阻器（AMNR）可以被构造为包括非晶态金属，隧穿绝缘体和晶体金属层的三层结构。 通过修改材料的顺序，电极的图案以及重叠区域的尺寸和数量，可以调整AMNR的I-V性能特性。 非共面AMNR具有五层结构，其包括由金属氧化物隧穿绝缘层分开的三个金属层，其中非晶金属薄膜材料用于制造中间电极。

    一种显示面板及其制作方法
    9.
    发明申请
    一种显示面板及其制作方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2017045383A1

    公开(公告)日：2017-03-23

    申请号：PCT/CN2016/076132

    申请日：2016-03-11

    申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  北京京东方显示技术有限公司

    发明人： 林鸿涛

    IPC分类号： G02F1/1339

    CPC分类号： G02F1/13394 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1368 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L28/60

    摘要： 一种显示面板及其制作方法，用以减少柱状隔垫物（23）与阵列基板（21）之间的摩擦力，从而减少附加的光学延迟量，避免显示面板在暗态下的漏光现象。所述显示面板包括对盒设置的阵列基板（21）和彩膜基板（22），和位于所述阵列基板（21）和彩膜基板（22）之间、与所述彩膜基板（22）相连的柱状隔垫物（23），以及位于所述阵列基板（21）上的薄膜晶体管（24），所述柱状隔垫物（23）与所述薄膜晶体管（24）相接触，且所述柱状隔垫物（23）上与所述薄膜晶体管（24）相接触的面（231）为曲面；或者，所述阵列基板（21）上还包括枕形隔垫物（25），所述枕形隔垫物（25）上与所述柱状隔垫物（23）相接触的面（251）为曲面，和/或，所述柱状隔垫物（23）上与所述枕形隔垫物（25）相接触的面（231）为曲面。

    液晶表示装置
    10.
    发明申请
    液晶表示装置 审中-公开
    液晶显示装置

    公开(公告)号：WO2017002724A1

    公开(公告)日：2017-01-05

    申请号：PCT/JP2016/068815

    申请日：2016-06-24

    申请人： シャープ株式会社

    发明人： 岡田　訓明 ,  内田　誠一

    IPC分类号： G02F1/1339 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/786

    CPC分类号： G02F1/136209 ,  G02F1/1335 ,  G02F1/133512 ,  G02F1/133514 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/13394 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136222 ,  G02F2202/10 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78633 ,  H01L29/7869

    摘要： 液晶表示装置（１００）の第１基板（１０）は、酸化物半導体層（２ａ）を有するＴＦＴ（２）を有する。第２基板（２０）は、カラーフィルタ層（２２）および遮光層（２１）を有する。遮光層は、少なくとも青画素列において、第１ＴＦＴ遮光部（２１ｔ１）を１行ごとに有し、青カラーフィルタ以外の少なくとも１種類のカラーフィルタが設けられている画素列において、第１ＴＦＴ遮光部よりも面積が大きい第２ＴＦＴ遮光部（２１ｔ２）をｎ行（ｎは２以上の整数）ごとに有する。柱状スペーサ（４０）は、第１ＴＦＴ遮光部には重ならず、且つ、第２ＴＦＴ遮光部に重なるように配置されている。

    摘要翻译： 该液晶显示装置（100）的第一基板（10）具有具有氧化物半导体层（2a）的TFT（2）。 第二基板（20）包括滤色器层（22）和遮光层（21）。 遮光层包括至少一个蓝色像素行中的每一行的第一TFT遮光部分（21t1），并且每个n包括具有比第一TFT遮光部分更大的面积的第二TFT遮光部分（21t2） 在设置有除了蓝色滤色器之外的至少一种类型的滤色器的像素行中，线（n是不小于2的整数）。 柱状间隔物（40）配置成与第二TFT遮光部重叠，与第一TFT遮光部不重叠。