公开(公告)号：WO2014210307A1

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：PCT/US2014/044335

申请日：2014-06-26

Applicant: EDREES, Hassan ,  KYMISSIS, Ioannis ,  KINGET, Peter

Inventor： EDREES, Hassan ,  KYMISSIS, Ioannis ,  KINGET, Peter

IPC: H03H9/15

CPC classification number: H03H11/04 ,  H01L27/20 ,  H01L41/081 ,  H03H9/0547 ,  H03H9/17 ,  H03H9/205 ,  H03H9/2426 ,  H03H9/465 ,  H03H9/467 ,  H03H9/525 ,  H03H9/545 ,  H03H9/605 ,  H03H2009/02188 ,  H03H2009/02496

Abstract: An electrical circuit assembly can include a semiconductor integrated circuit, such as fabricated including CMOS devices. A first lateral-mode resonator can be fabricated upon a surface of the semiconductor integrated circuit, such as including a deposited acoustic energy storage layer including a semiconductor material, a deposited piezoelectric layer acoustically coupled to the deposited acoustic energy storage layer, and a first conductive region electrically coupled to the deposited piezoelectric layer and electrically coupled to the semiconductor integrated circuit. The semiconductor integrated circuit can include one or more transistor structures, such as fabricated prior to fabrication of the lateral-mode resonator. Fabrication of the lateral-mode resonator can include low-temperature processing specified to avoid disrupting operational characteristics of the transistor structures.

Abstract translation: 电路组件可以包括半导体集成电路，例如制造成包括CMOS器件的半导体集成电路。 可以在半导体集成电路的表面上制造第一横向模式谐振器，例如包括沉积的包含半导体材料的声能存储层，声耦合到沉积的声能存储层的沉积压电层，以及第一导电 电耦合到沉积的压电层并电耦合到半导体集成电路。 半导体集成电路可以包括一个或多个晶体管结构，例如在制造横向模式谐振器之前制造的。 横模谐振器的制造可以包括指定的低温处理以避免中断晶体管结构的操作特性。

公开(公告)号：WO2014049045A1

公开(公告)日：2014-04-03

申请号：PCT/EP2013/070052

申请日：2013-09-26

Applicant: THALES ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE

Inventor： PHAM COLOMBAN, Thi Mai ,  ZIAEI, Afshin ,  DEGRAEVE, Sébastien ,  HLADKY-HENNION, Anne-Christine ,  DUBUS, Bertrand ,  GRANGER, Christian

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/54 ,  H03H9/58 ,  H03H9/02 ,  G10K11/00

CPC classification number: H03H9/178 ,  G10K11/002 ,  H03H9/542 ,  H03H9/547 ,  H03H9/585 ,  H03H2009/02188

Abstract: L'invention concerne un dispositif acoustique comprenant une structure (1) périodique phononique à bande réglable de fréquences interdites de charge apparaissant lorsqu'un déplacement de charges électriques provient d'une référence électrique extérieure via une électrode, caractérisé en ce qu'il comprend : - un ensemble d'éléments (2) piézoélectriques connectés mécaniquement en série, un élément (2) piézoélectrique comprenant un matériau piézoélectrique et étant polarisé selon une direction de polarisation (d pol ), les directions de polarisation de deux éléments (2) successifs étant parallèles ou anti-parallèles et lesdits éléments (2) piézoélectriques étant dirigés selon une direction principale (d princ ); - un ensemble d'électrodes (3) disposées entre deux éléments piézoélectriques adjacents (2) et perpendiculaires à la direction principale; - l'ensemble desdites électrodes comprenant au moins un sous-ensemble d'électrodes connectées de façon périodique à une référence électrique extérieure (4); - ledit sous-ensemble d'électrodes étant connecté à la référence électrique (4) par l'intermédiaire d'un circuit électrique (5).

Abstract translation: 本发明涉及一种包括周期性光子结构（1）的声学装置，该周期性光子结构（1）具有当电荷位移通过电极来自外部电气参考时出现的禁止电荷频率的可调节带，其特征在于其包括：一组压电元件 （2），串联连接的压电元件（2），包括压电材料并在偏振方向（dpol）极化，两个连续元件（2）的偏振方向平行或反平行，所述压电元件（2） 指向主方向（dprinc）; - 一组布置在两个相邻压电元件（2）之间并垂直于主方向的电极（3） - 所述电极组包括周期性地连接到外部电气参考（4）的电极的至少一个子集; - 所述电极子集经由电路（5）连接到所述电参考（4）。