公开(公告)号：WO2017171883A1

公开(公告)日：2017-10-05

申请号：PCT/US2016/025761

申请日：2016-04-01

Applicant: INTEL CORPORATION

Inventor： OSTER, Sasha N. ,  EID, Feras ,  SWAN, Johanna M. ,  SOUNART, Thomas L. ,  ALEKSOV, Aleksandar ,  LIFF, Shawna M. ,  BICEN, Baris ,  RAO, Valluri R.

IPC: G02B26/08 ,  B81B7/02 ,  B81B3/00 ,  H01L27/20

CPC classification number: G02B26/0858 ,  H01L27/20 ,  H01L41/094 ,  H01L41/0966 ,  H01L41/253

Abstract: Embodiments of the invention include a display formed on an organic substrate and methods of forming such a device. According to an embodiment, an array of pixel mirrors may be formed on the organic substrate. For example, each of the pixel mirrors is actuatable about one or more axes out of the plane of the organic substrate. Additionally, embodiments of the invention may include an array of routing mirrors formed on the organic substrate. According to an embodiment, each of the routing mirrors is actuatable about two axes out of the plane of the organic substrate. In embodiments of the invention, a light source may be used for emitting light towards the array of routing mirrors. For example, light emitted from the light source may be reflected to one or more of the pixel mirrors by one of the routing mirrors.

Abstract translation: 本发明的实施例包括形成在有机衬底上的显示器和形成这种器件的方法。 根据一个实施例，可以在有机衬底上形成像素镜阵列。 例如，每个像素镜都可围绕有机衬底平面外的一个或多个轴致动。 另外，本发明的实施例可以包括形成在有机衬底上的路由镜阵列。 根据一个实施例，每个路由反射镜可围绕有机衬底的平面外的两个轴致动。 在本发明的实施例中，可以使用光源朝向路由反射镜阵列发射光。 例如，从光源发射的光可以通过路由反射镜中的一个反射到一个或多个像素反射镜。

公开(公告)号：WO2017066612A1

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：PCT/US2016/057104

申请日：2016-10-14

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： PANCHAWAGH, Hrishikesh Vijaykumar ,  GANTI, Suryaprakash ,  DJORDJEV, Kostadin Dimitrov ,  BURNS, David William ,  DICKINSON, Timothy Alan ,  KIDWELL JR, Donald William ,  SHENOY, Ravindra Vaman ,  LASITER, Jon Bradley ,  TANG, Hao-Yen ,  LU, Yipeng

IPC: G06K9/00 ,  G10K11/34 ,  B06B1/06 ,  B06B1/02

CPC classification number: H01L27/20 ,  B06B1/0207 ,  B06B1/0607 ,  G01S7/52028 ,  G06F3/0436 ,  G06K9/0002 ,  H01L27/1214 ,  H01L41/1132 ,  H01L41/311

Abstract: An ultrasonic sensor pixel includes a substrate, a piezoelectric micromechanical ultrasonic transducer (PMUT) and a sensor pixel circuit. The PMUT includes a piezoelectric layer stack including a piezoelectric layer disposed over a cavity, the cavity being disposed between the piezoelectric layer stack and the substrate, a reference electrode disposed between the piezoelectric layer and the cavity, and one or both of a receive electrode and a transmit electrode disposed on or proximate to a first surface of the piezoelectric layer, the first surface being opposite from the cavity. The sensor pixel circuit is electrically coupled with one or more of the reference electrode, the receive electrode and the transmit electrode and the PMUT and the sensor pixel circuit are integrated with the sensor pixel circuit on the substrate.

Abstract translation: 超声波传感器像素包括衬底，压电微机械超声波换能器（PMUT）和传感器像素电路。 所述PMUT包括压电层堆叠，所述压电层堆叠包括布置在空腔上方的压电层，所述空腔设置在所述压电层堆叠和所述衬底之间，设置在所述压电层和所述空腔之间的参考电极，以及接收电极和 设置在所述压电层的第一表面上或接近所述压电层的第一表面的发射电极，所述第一表面与所述腔相对。 传感器像素电路与参考电极，接收电极和发射电极中的一个或多个电耦合，并且PMUT和传感器像素电路与基板上的传感器像素电路集成。

公开(公告)号：WO2016207458A1

公开(公告)日：2016-12-29

申请号：PCT/ES2016/070381

申请日：2016-05-20

Applicant: CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS

Inventor： MURILLO RODRIGUEZ, Gonzalo ,  ESTEVE TINTO, Jaume ,  SACRISTAN RIQUELME, Jorge

IPC: H01L41/113

CPC classification number: H01L41/1136 ,  H01L27/20

Abstract: Se da a conocer un dispositivo de recolección de energía mecánica piezoeléctrico. El dispositivo se acciona mediante energía mecánica disponible en el entorno. El dispositivo es un sistema piezoeléctrico de recopilación de energía formado poruña microviga en voladizo, basado en nanoestructuras de ZnO e integrado monolíticamente con diodos Schottky y un condensador que cubre enteramente el chip. Se usará ZnO de dos formas diferentes: nanohilos (NW) y nanoláminas (NS). Estas nanoestructuras se harán crecer mediante un proceso hidrotérmico compatible con silicio y usando parte del electrodo de condensador superior como capa semilla. Se propone un flujo de proceso etapa por etapa para la integración monolítica en un mismo dispositivo. Esta integración permitirá una reducción de las pérdidas de potencia y facilitará la combinación de varios generadores sin preocupaciones sobre la polaridad del estrés mecánico o de la carga eléctrica.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于收集压电机械能的装置。 该设备通过环境中可用的机械能来启动。 该装置是一种压电系统，用于收集由基于ZnO纳米结构的悬臂微束形成的能量，并与肖特基二极管和覆盖整个芯片的电容器整体集成。 ZnO以两种不同的形式使用：纳米线（NW）和纳米片（NS）。 这些纳米结构通过与硅兼容的水热法生长，并使用上部电容器电极的一部分作为种皮。 提出了一种这种类型的设备中的单片集成的分步过程流程。 这种集成将允许减少功率损耗并且将促进各种发电机的组合，而不考虑机械应力或电荷的极性。

公开(公告)号：WO2016087036A1

公开(公告)日：2016-06-09

申请号：PCT/EP2015/002406

申请日：2015-11-30

Applicant: PI CERAMIC GMBH KERMISCHE TECHNOLOGIEN UND BAUELEMENTE

Inventor： HENNIG, Eberhard ,  DITAS, Peter ,  GRÜNWALD, Frank

IPC: H01L41/047 ,  B41J2/14 ,  H01L41/29

CPC classification number: H01L27/20 ,  B41J2/14201 ,  H01L41/0475 ,  H01L41/083 ,  H01L41/22 ,  H01L41/29

Abstract: Aktuatorvorrichtung (AV), aufweisend: einen Grundkörper (10) mit einem Basiskörper (10a) und einem sich in einer Dickenrichtung (Y) von dem Basiskörper (10a) erstreckender Aufbaukörper (10b), eine Mehrzahl von aus einem Aktuatorkörper (11a, 12a, 13a) aus einem piezoelektrischen oder elektrostriktiven Material und an oder in diesem angeordneten und voneinander beabstandeten Betätigungselektroden gebildete Aktuatoren (11,12, 13), eine Leiterplatte (100), die sich in der Längsrichtung (X) der Aktuatorvorrichtung (AV) über zumindest Abschnitte der Aktuator- Anschlussschichten (31d, 32d, 33d) erstreckt und deren Leiterbahnen mit den Aktuator-Anschlussschichten (31d, 32d, 33d) in elektrischem Kontakt stehen, wobei in dem Anschlussbereich-Teilabschnitt (S0b, S1b, S2b, S3b) der jeweiligen Ausnehmung (S0, S1, S2, S3) zumindest abschnittsweise eine Verbindungsschicht (V) aus einem Harz-Verstärkungsmaterial mit Bismaleimid derart angeordnet ist, dass die Verbindungsschicht (V) zumindest abschnittsweise einen jeweiligen Anschlussbereich- Teilabschnitt (S0b, S1b, S2b, S3b) begrenzende und einander gegenüberliegende Seitenflächen (AS1, AS2), den in die Dickenrichtung (Y) weisenden Oberflächenabschnitt (10u) des Basiskörpers (10a) und den dem Oberflächenabschnitt (10u) des Basiskörpers (10a) zugewandten Bereich der Leiterplatte (100) berührt, so dass die Leiterplatte (100) im Bereich des Anschlussbereich-Teilabschnitts (S0b, S1b, S2b, S3b) einer jeweiligen Ausnehmung durch das Harz-Verstärkungsmaterial unterstützt ist und die Leiterplatte (100) über das Harz-Verstärkungsmaterial an den Aktuator- Anschlussschichten (31d, 32d, 33d) fixiert ist.

Abstract translation: 致动器装置（AV），包括：具有一个基体（10a）和一个日志在厚度方向上在基体的（Y）的基体（10）（10a）的延伸体构件（10B），多个（从致动器主体11A，12A， 13A）由压电或电致伸缩材料制成，并且上或设置在其中，并通过间隔开的致动所述致动器装置（AV）形成的电极的致动器（11,12，13），延伸的印刷电路板（100）（在纵向方向X）的至少部分 在电接触所述致动器连接层，相关联的致动器连接层（31D，32D，33D）和所述导体条迹（，33D 31D，32D），其中在相应的凹部的连接区域段（S0B，S1B，S2B，S3b中） （S0，S1，S2，S3）是至少部分，与双马来酰亚胺的树脂增强材料的粘接层（V），其设置使得所述粘合层（V），至少 部，相应Anschlussbereich-部（S0B，S1B，S2B，S3b中）限制性的，相对的侧表面（AS1，AS2），其在厚度方向（Y）的朝向所述基体的表面部分（10U）（10a）和该表面部分（10U） 面对印刷电路板的区域中的基体（10a）中的（100）接触，从而在连接区域部分部的区域中的电路板（100）（S0B，S1B，S2B，S3b中）支承通过树脂增强材料和印刷电路板（相应的凹槽 100）被树脂增强材料到致动器连接层（31D，32D，33D），其固定。

公开(公告)号：WO2015195788A1

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：PCT/US2015/036208

申请日：2015-06-17

Applicant: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN

Inventor： RAIS-ZADEH, Mina ,  ANSARI, Azadeh

IPC: H01L29/778 ,  H01L41/08

CPC classification number: H01L41/107 ,  H01L27/20 ,  H01L41/18 ,  H03H3/0072 ,  H03H9/02259 ,  H03H9/2426 ,  H03H2009/02314 ,  H03H2009/241

Abstract: A resonant body high electron mobility transistor is described with resonance frequencies in gigahertz regime, limited by the cutoff frequency of the readout transistor. Piezoelectric materials form the resonating membrane of the device. Different modes of acoustic resonance, such as a thickness-mode, can be excited and amplified by applying an AC signal to the transducer electrode and proper biasing of all electrodes. The drain electrode reads out the acoustic resonance and amplifies it. The drain electrode is placed at or near where the piezoelectric charge pickup is maximum; whereas, the source electrode is placed at a nodal point with minimum displacement.

Abstract translation: 谐振体高电子迁移率晶体管被描述为谐振频率为千兆赫兹，由读出晶体管的截止频率限制。 压电材料形成该器件的共振膜。 通过将AC信号施加到换能器电极并适当地偏置所有电极，可以激发和放大声学谐振的不同模式，例如厚度模式。 漏电极读出声共振并放大。 漏极放置在压电电荷拾取器最大处或附近; 而源极被放置在具有最小位移的节点处。

公开(公告)号：WO2014012136A2

公开(公告)日：2014-01-23

申请号：PCT/AU2013/000785

申请日：2013-07-15

Applicant: THE SILANNA GROUP PTY LTD

Inventor： BRAWLEY, Andrew J.

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H03H9/205 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/20 ,  H01L41/187 ,  H01L41/29 ,  H03H3/04 ,  H03H9/0542 ,  H03H9/173

Abstract: A process of forming a thin-film bulk acoustic resonator (FBAR) device (130, 914) on a silicon-on-thin film aluminum-nitride on silicon (SOFTANOS) substrate (110) using a CMOS fabrication process is provided. The SOFTANOS substrate, which is an example of a high thermal conductivity silicon-on-insulator (SOI) substrate, comprises an aluminum nitride (AlN) layer (114) and a silicon layer (118). The AlN layer has low electrical conductivity, high thermal conductivity, and good piezoelectric properties. A CMOS device (140, 910) is formed in the silicon layer, and the FBAR device is formed in the AlN layer.

Abstract translation: 提供了使用CMOS制造工艺在硅（SOFTANOS）衬底（110）上的硅上硅氮化铝上形成薄膜体声波谐振器（FBAR）器件（130,914）的工艺。 作为高导热性绝缘体上硅（SOI）衬底的实例的SOFTANOS衬底包括氮化铝（AlN）层（114）和硅层（118）。 AlN层具有低导电性，高导热性和良好的压电性能。 在硅层中形成CMOS器件（140,910），并且在AlN层中形成FBAR器件。

公开(公告)号：WO2012158914A1

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：PCT/US2012/038348

申请日：2012-05-17

Applicant: GEORGIA TECH RESEARCH CORPORATION ,  WANG, Zhong Lin ,  HU, Youfan ,  ZHANG, Yan ,  XU, Chen ,  ZHU, Guang

Inventor： WANG, Zhong Lin ,  HU, Youfan ,  ZHANG, Yan ,  XU, Chen ,  ZHU, Guang

IPC: H01L41/04

CPC classification number: H02N2/18 ,  B82Y5/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L27/20 ,  H01L41/113 ,  H01L41/317 ,  H01L41/319 ,  H02N2/181 ,  H02N2/186

Abstract: A generator (100) includes a substrate (110), a first electrode layer (112), a dense plurality of vertically-aligned piezoelectric elongated nanostructures (116), an insulating layer (118) and a second electrode layer (120). The substrate (110) has a top surface and the first electrode layer (112) is disposed on the top surface of the substrate (110). The dense plurality of vertically-aligned piezoelectric elongated nanostructures (116) extends from the first electrode layer (112). Each of the nanostructures (116) has a top end. The insulating layer (118) is disposed on the top ends of the nanostructures (116). The second electrode layer (120) is disposed on the insulating layer (118) and is spaced apart from the nanostructures (116).

Abstract translation: 发生器（100）包括衬底（110），第一电极层（112），密集多个垂直排列的压电细长纳米结构（116），绝缘层（118）和第二电极层（120）。 衬底（110）具有顶表面，并且第一电极层（112）设置在衬底（110）的顶表面上。 密集的多个垂直排列的压电细长纳米结构（116）从第一电极层（112）延伸。 每个纳米结构（116）具有顶端。 绝缘层（118）设置在纳米结构（116）的顶端。 第二电极层（120）设置在绝缘层（118）上并且与纳米结构（116）间隔开。

公开(公告)号：WO2011117181A3

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：PCT/EP2011054220

申请日：2011-03-21

Applicant: ELMOS SEMICONDUCTOR AG ,  TEN-HAVE ARND

Inventor： TEN-HAVE ARND

IPC: B81C1/00 ,  G01L9/00

CPC classification number: G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

Abstract: The invention relates to a method for producing a microelectromechanical device in a material substrate suitable for producing integrated electronic components, in particular a semiconductor substrate, wherein a material substrate (12, 14, 16) is provided on which at least one surface structure (26) is to be formed during production of the device. An electronic component (30) is formed in the material substrate (12, 14, 16) using process steps of a conventional method for producing integrated electronic components. A device component (44) defining the position of the electronic component (30) and/or required for the function of the electronic component (30) is selectively formed on the material substrate (12, 14, 16) from an etching stop material acting as an etching stop in case of etching of the material substrate (12, 14, 16) and/or in case of etching of a material layer (52) disposed on the material substrate (12, 14, 16). When the device component (44) of the electronic component (30) is implemented, a boundary region (48) is also formed on the material substrate (12, 14, 16) along at least a partial section of an edge of the surface structure (26), wherein said boundary region bounds said partial section. The material substrate (12, 14, 16) thus implemented is selectively etched for forming the surface structure (26), in that the edge of the bounding region (48) defines the position of the surface structure (26) to be implemented on the material substrate (12, 14, 16).

Abstract translation: 在一种用于在适合于生产集成电子元件材料基板的制造一个微机电装置，特别是半导体衬底的过程中，提供的材料衬底（12,14,16）的制造装置（26）的期间，在至少一个表面结构来形成。 在材料衬底（12,14，16）的电子部件（30）使用常规方法的工艺步骤用于制造集成电子元件形成。 在材料衬底（12,14,16）是有选择地将电子部件（30）和/或电子部件的所需的结构部件（44）的操作（30）的限定的位置由一个（在蚀刻材料基板12的情况下， 14,16）和/或布置在蚀刻（在形成在每一种情况下作为腐蚀材料衬底12,14,16）材料层（52）停止第一蚀刻停止材料的情况下。 对于这种蚀刻停止材料是在形成将电子部件（30）的结构部件（44）也沿着该表面结构的边缘的至少一个局部部分的材料衬底（12,14,16）（26）上形成有该部分节边界约束区（48） ， 由此形成的材料基板（12,14，16）被选择性地限定的边界区域（48）的表面的位置的一个边缘蚀刻以形成用于形成表面结构（26）的材料衬底（12,14,16）上的结构（26）。

公开(公告)号：WO2011117181A2

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：PCT/EP2011/054220

申请日：2011-03-21

Applicant: ELMOS SEMICONDUCTOR AG ,  TEN-HAVE, Arnd

Inventor： TEN-HAVE, Arnd

IPC: B81C1/00

CPC classification number: G01L1/16 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2207/015 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00626 ,  B81C2203/0735 ,  G01L9/0047 ,  G01L9/0054 ,  G01L9/0098 ,  H01L27/20 ,  H01L29/66075

Abstract: Bei Verfahren zur Herstellung einer mikroelektromechanischen Vorrichtung in einem für die Herstellung integrierter elektronischer Bauteile geeigneten Materialsubstrat, insbesondere Halbleitersubstrat, wird ein Materialsubstrat (12,14,16) bereitgestellt, auf dem während der Herstellung der Vorrichtung mindestens eine Oberflächenstruktur (26) auszubilden ist. In dem Materialsubstrat (12,14, 16) wird unter Verwendung von Prozessschritten eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung integrierter elektronischer Bauteile ein elektronisches Bauteil (30) ausgebildet. Auf dem Materialsubstrat (12,14,16) wird selektiv eine die Lage des elektronischen Bauteils (30) definierende und/oder für die Funktion des elektronischen Bauteils (30) erforderliche Bauteilkomponente (44) aus einem im Falle eines Ätzens des Materialsubstrats (12, 14,16) und/oder im Falle eines Ätzens einer auf dem Materialsubstrat (12,14,16) angeordneten Materialschicht (52) jeweils als Ätzstopp wirkendes erstes Ätzstopp-Material ausgebildet. Aus diesem Ätzstopp-Material wird bei Ausbildung der Bauteilkomponente (44) des elektronischen Bauteils (30) auch auf dem Materialsubstrat (12,14,16) längs zumindest eines Teilabschnitts eines Randes der Oberflächenstruktur (26) ein diesen Teilabschnitt begrenzendes Begrenzungsgebiet (48) ausgebildet. Das so ausgebildete Materialsubstrat (12,14, 16) wird zur Bildung der Oberflächenstruktur (26) selektiv geätzt, indem ein Rand des Begrenzungsgebiets (48) die Position der auszubildenden Oberflächenstruktur (26) auf dem Materialsubstrat (12,14,16) definiert.

Abstract translation: 在一种用于在适合于生产集成电子元件材料基板的制造一个微机电装置，特别是半导体衬底的过程中，提供的材料衬底（12,14,16）的制造装置（26）的期间，在至少一个表面结构来形成。 在材料衬底（12,14，16）的电子部件（30）使用常规方法的工艺步骤用于制造集成电子元件形成。 在材料衬底（12,14,16）是有选择地将电子部件（30）和/或电子部件的所需的结构部件（44）的操作（30）的限定的位置由一个（在蚀刻材料基板12的情况下， 14,16）和/或布置在蚀刻（在形成在每一种情况下作为腐蚀材料衬底12,14,16）材料层（52）停止第一蚀刻停止材料的情况下。 对于这种蚀刻停止材料是在形成将电子部件（30）的结构部件（44）也沿着该表面结构的边缘的至少一个局部部分的材料衬底（12,14,16）（26）上形成有该部分节边界约束区（48） ， 由此形成的材料基板（12,14，16）被选择性地限定的边界区域（48）的表面的位置的一个边缘蚀刻以形成用于形成表面结构（26）的材料衬底（12,14,16）上的结构（26）。

公开(公告)号：WO2009117045A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：PCT/US2009/000802

申请日：2009-02-09

Applicant: CREE, INC. ,  SHEPPARD, Scott T.

Inventor： SHEPPARD, Scott T.

IPC: H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/06

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8213 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/20 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02228 ,  H03H9/02574 ,  H03H9/02976 ,  H03H9/0542

Abstract: Monolithic electronic devices including a common nitride epitaxial layer are provided. A first type of nitride device is provided on the common nitride epitaxial layer including a first at least one implanted n-type region on the common nitride epitaxial layer. The first at least one implanted n-type region has a first doping concentration greater than a doping concentration of the common nitride epitaxial layer. A second type of nitride device, different from the first type of nitride device, including a second at least one implanted n-type region is provided on the common nitride epitaxial layer. The second at least one implanted n-type region is different from the first at least one implanted n-type region and has a second doping concentration that is greater than the doping concentration of the common nitride epitaxial layer. A first plurality of electrical contacts are provided on the first at least one implanted n-type region. The first plurality of contacts define a first electronic device of the first type of nitride device. A second plurality of electrical contacts are provided on the second at least one n-type implanted region. The second plurality of contacts define a second electronic device of the second type of electronic device. Corresponding methods are also disclosed.

Abstract translation: 提供包括公共氮化物外延层的单片电子器件。 第一类型的氮化物器件设置在公共氮化物外延层上，包括在公共氮化物外延层上的第一至少一个注入的n型区域。 第一至少一个注入的n型区具有大于公共氮化物外延层的掺杂浓度的第一掺杂浓度。 在共同的氮化物外延层上提供第二类型的氮化物器件，其不同于第一类型的氮化物器件，包括第二至少一个注入的n型区域。 第二至少一个注入的n型区域与第一至少一个注入的n型区域不同，并且具有大于公共氮化物外延层的掺杂浓度的第二掺杂浓度。 第一多个电触点设置在第一至少一个注入的n型区域上。 第一多个触点限定第一种类型的氮化物器件的第一电子器件。 在第二至少一个n型注入区域上提供第二组多个电触点。 第二组多个触点限定第二类电子装置的第二电子装置。 还公开了相应的方法。