公开(公告)号：WO2021040656A2

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/TR2020/050750

申请日：2020-08-25

申请人： TUSAS- TURK HAVACILIK VE UZAY SANAYII ANONIM SIRKETI

发明人： YAVAS, Hakan ,  TANRIKULU, Ahmet Alptug

IPC分类号： B22F10/00 ,  B33Y10/00 ,  B22F10/28 ,  B22F10/30 ,  B22F10/50 ,  B22F12/00 ,  B33Y50/02 ,  C23C14/14 ,  C23C14/225 ,  C23C14/352 ,  C23C14/54 ,  H01J37/3405

摘要： The present invention relates to a body (2); a table (3) which is located on the body (2) and allows powders (T) to be laid thereon by means of a laying apparatus (S); at least one layer (L) which is created by sintering or fusing the powders (T) laid on the table (3); a part (P) which is produced by depositing the layers (L) using additive manufacturing method; at least one heat source assembly (4) which is located on the body (2) and applies heat treatment to the powders (T) laid on the table (3); at least one sensor (5) for measuring position and operating status of the heat source assembly (4); and at least one control unit (6) controlling the heat source assembly (4) based on data received from the sensor (5).

公开(公告)号：WO2021122892A

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2020/086640

申请日：2020-12-17

申请人： WALTER AG [DE]/[DE]

发明人： SCHIER, Veit ,  ENGELHART, Wolfgang

IPC分类号： C23C28/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/352 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/048 ,  C23C28/42 ,  C23C30/005

摘要： The invention relates to a coated cutting tool comprising a substrate with a coating comprising a (Ti,AI)N layer having an overall composition (TixAl1-x)N, 0.34≤x≤0.65, the (Ti,AI)N layer contains columnar (Ti,AI)N grains with an average grain size of from 10 to 100 nm, the (Ti,AI)N layer comprises lattice planes of a cubic crystal structure, the (Ti,AI)N layer shows a pattern in electron diffraction analysis wherein there is a diffraction signal existing which is shown as a peak (P) in an averaged radial intensity distribution profile having its maximum within a scattering vector range of from 3.2 to 4.0 nm-1, the full width half maximum (FWHM) of the peak (P) is from 0.8 to 2.0 nm-1.

公开(公告)号：WO2021143256A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/CN2020/123640

申请日：2020-10-26

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 王立平 ,  蒲吉斌 ,  王海新 ,  曾春 ,  薛群基

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/352

摘要： 一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求。

公开(公告)号：WO2021048136A2

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：PCT/EP2020/075095

申请日：2020-09-08

申请人： CEMECON AG

发明人： KÖLKER, Werner ,  BOLZ, Stephan ,  LEMMER, Oliver

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C28/04 ,  H01J37/34 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/067 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C30/005 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3467

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (40), eine Beschichtungsanlage zum Ausführen des Verfahrens sowie einen beschichteten Körper. In einem ersten Verfahrensschritt (62) wird das Substrat (40) in einem Ionen-Ätzverfahren vorbehandelt. In einem zweiten Verfahrensschritt (64) wird mittels eines PVD-Verfahrens eine erste Beschichtungslage (56a) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf das Substrat (40) abgeschieden. Um eine besonders hochwertige und haltbare Beschichtung (50) zu erreichen, wird in einem dritten Verfahrensschritt (66) die Oberfläche der ersten Beschichtungslage (56a) mittels eines Ionen-Ätzverfahrens behandelt und in einem vierten Verfahrensschritt (68) mittels eines PVD-Verfahrens eine weitere Beschichtungslage (56b) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf die erste Beschichtungslage (56a) abgeschieden. Der beschichtete Körper umfasst auf einem Substrat (40) mindestens zwei Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm, wobei zwischen den Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) ein durch Ionen-Ätzen gebildeter Interface-Bereich angeordnet ist.