公开(公告)号：WO2021255201A2

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/EP2021/066499

申请日：2021-06-17

申请人： CEMECON AG

发明人： KÖLKER, Werner ,  BOLZ, Stephan

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3473

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung (10) zum Aufbringen einer Schicht (64) auf einen Körper (60), (62) sowie einen beschichteten Körper (60). Der Körper (60), (62) wird in einer Vakuumkammer (12) angeordnet und Prozessgas zugeführt. Ein Plasma wird in der (10) Vakuumkammer (12) durch Betrieb einer Kathode (30) durch Anlegen einer Kathodenspannung VP mit Kathodenpulsen und Zerstäuben eines Targets (32) erzeugt. An den Körper (60), (62) wird eine Bias-Spannung VB angelegt, so dass Ladungsträger des Plasmas in Richtung des Körpers (60), (62) beschleunigt werden und sich auf dessen Oberfläche anlagern. Um gezielt günstige Eigenschaften der Beschichtung (64) zu erreichen, wird ein Zeitverlauf der Bias-Spannung VB während der Beschichtungsdauer D variiert. In der Beschichtung (64) des Körpers (60), (62) umfasst das Material der Schicht (64) Anteile eines Edelgases, dessen Konzentration in der Schicht (64) über die Schichtdicke variiert.

公开(公告)号：WO2021260316A1

公开(公告)日：2021-12-30

申请号：PCT/FR2021/051132

申请日：2021-06-22

申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES

发明人： DUCROS, Cédric

IPC分类号： H01J37/34 ,  C23C14/20 ,  C23C14/35 ,  C23C14/54 ,  G01N21/17 ,  C23C28/00 ,  G01N21/21 ,  C03C17/36 ,  G01N21/84 ,  C03C17/3644 ,  C03C17/366 ,  C03C2217/944 ,  C23C14/205 ,  C23C14/547 ,  C23C28/322 ,  C23C28/345 ,  G01N2021/213 ,  G01N2021/8438 ,  G01N21/211 ,  G01N21/8422 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01J37/3467

摘要： Procédé de fabrication d'un empilement oxyde/argent/oxyde comprenant les étapes suivantes : - positionnement d'un substrat sur un porte-substrat, - formation d'une première couche d'oxyde transparent conducteur (11) sur un substrat, - formation d'une couche en argent (12), sur la première couche d'oxyde transparent conducteur (11), - formation d'une deuxième couche d'oxyde transparent conducteur (13) sur la couche d'argent (12), la couche en argent (12) étant obtenue par pulvérisation magnétron à impulsions de forte puissance (HIPIMS) à une pression P allant de 0,4 à 0,6Pa, avec une vitesse de défilement du porte-substrat allant de 1,5tour/min à 2,5tour/min, à une densité de puissance allant de 0,8 à 1,11W/cm² et à une tension pulsée de 1000 à 1400V.

公开(公告)号：WO2021048136A2

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：PCT/EP2020/075095

申请日：2020-09-08

申请人： CEMECON AG

发明人： KÖLKER, Werner ,  BOLZ, Stephan ,  LEMMER, Oliver

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C28/04 ,  H01J37/34 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/067 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C30/005 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3467

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (40), eine Beschichtungsanlage zum Ausführen des Verfahrens sowie einen beschichteten Körper. In einem ersten Verfahrensschritt (62) wird das Substrat (40) in einem Ionen-Ätzverfahren vorbehandelt. In einem zweiten Verfahrensschritt (64) wird mittels eines PVD-Verfahrens eine erste Beschichtungslage (56a) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf das Substrat (40) abgeschieden. Um eine besonders hochwertige und haltbare Beschichtung (50) zu erreichen, wird in einem dritten Verfahrensschritt (66) die Oberfläche der ersten Beschichtungslage (56a) mittels eines Ionen-Ätzverfahrens behandelt und in einem vierten Verfahrensschritt (68) mittels eines PVD-Verfahrens eine weitere Beschichtungslage (56b) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf die erste Beschichtungslage (56a) abgeschieden. Der beschichtete Körper umfasst auf einem Substrat (40) mindestens zwei Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm, wobei zwischen den Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) ein durch Ionen-Ätzen gebildeter Interface-Bereich angeordnet ist.