ENGINEERED MULTI-DIMENSIONAL METALLURGICAL PROPERTIES IN PVD MATERIALS

    公开(公告)号:WO2022246337A2

    公开(公告)日:2022-11-24

    申请号:PCT/US2022/034050

    申请日:2022-06-17

    Abstract: Multi-layer metal or pseudometallic materials having engineered anisotropy are disclosed. The multi-layer materials having defined engineered grain orientations in each layer of the multi-layer material and bond layers between adjacent layers orthogonal to the grain orientations. This configuration distributes applied stress across the plurality of layers in the multi-layer metal material and around a neutral axis of the multi-layer metal material and increases the overall mechanical properties of the disclosed multi-layer metal material relative to conventional wrought metal materials of the same or similar chemical constitution. The microstructure of each layer, group of layers, or across multiple layers may be tailored to the intended application of a device made from the material. Individual layers may be tuned for property variations, such as gradients, or to adjust the bond layer characteristics. A method of making the multi-layer metal materials by physical vapor deposition to deposit each layer as crystalline grain structures and allow for layer-by-layer control over the physical, mechanical and chemical properties of each layer in the multi-layer metal as well as a bond layer between adjacent layers is disclosed.

    VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER SCHICHT, OPTISCHES ELEMENT UND OPTISCHE ANORDNUNG FÜR DEN DUV-WELLENLÄNGENBEREICH

    公开(公告)号:WO2023274680A1

    公开(公告)日:2023-01-05

    申请号:PCT/EP2022/065738

    申请日:2022-06-09

    Inventor: SIX, Stephan

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Schicht (2) einer Strahlung im DUV-Wellenlängenbereich reflektierenden oder antireflektierenden Beschichtung auf eine zu beschichtende Oberfläche (3a) eines Substrats (3) für ein optisches Element für den DUV- Wellenlängenbereich, umfassend: Überführen eines Beschichtungsmaterials (M) in die Gasphase in einer Beschichtungsquelle (4'), Bewegen des Substrats (3) relativ zur Beschichtungsquelle (4') entlang einer vorgegebenen Bewegungsbahn (5), wobei das Substrat (3) bei der Bewegung entlang der Bewegungsbahn (5) um eine Spinachse (7) rotiert und wobei zwischen der Beschichtungsquelle (4') und der zu beschichtenden Oberfläche (3a) ein Abdeckungselement (6) angeordnet ist, das die zu beschichtende Oberfläche (3a) bei der Bewegung des Substrats (5) entlang der Bewegungsbahn (5) zumindest teilweise abdeckt. Das Verfahren umfasst das Variieren einer Beschichtungsrate (RB) und/oder einer Rotationsgeschwindigkeit (ω(t)) der Spinachse (7) des Substrats (3) während der Bewegung des Substrats (3) entlang der Bewegungsbahn (5). Die Erfindung betrifft auch ein optisches Element für den DUV-Wellenlängenbereich, umfassend: ein Substrat (3), sowie eine auf das Substrat (3) aufgebrachte reflektierende oder antireflektierende Beschichtung, die mindestens eine durch das weiter oben beschriebene Verfahren abgeschiedene Schicht (2) aufweist, sowie eine optische Anordnung mit mindestens einem solchen optischen Element.

    MEHRLAGIGE BESCHICHTUNG
    5.
    发明申请

    公开(公告)号:WO2021048136A2

    公开(公告)日:2021-03-18

    申请号:PCT/EP2020/075095

    申请日:2020-09-08

    Applicant: CEMECON AG

    Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (40), eine Beschichtungsanlage zum Ausführen des Verfahrens sowie einen beschichteten Körper. In einem ersten Verfahrensschritt (62) wird das Substrat (40) in einem Ionen-Ätzverfahren vorbehandelt. In einem zweiten Verfahrensschritt (64) wird mittels eines PVD-Verfahrens eine erste Beschichtungslage (56a) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf das Substrat (40) abgeschieden. Um eine besonders hochwertige und haltbare Beschichtung (50) zu erreichen, wird in einem dritten Verfahrensschritt (66) die Oberfläche der ersten Beschichtungslage (56a) mittels eines Ionen-Ätzverfahrens behandelt und in einem vierten Verfahrensschritt (68) mittels eines PVD-Verfahrens eine weitere Beschichtungslage (56b) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf die erste Beschichtungslage (56a) abgeschieden. Der beschichtete Körper umfasst auf einem Substrat (40) mindestens zwei Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm, wobei zwischen den Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) ein durch Ionen-Ätzen gebildeter Interface-Bereich angeordnet ist.

    회전축 밀폐장치 및 이를 이용하는 반도체 기판처리장치

    公开(公告)号:WO2021256772A1

    公开(公告)日:2021-12-23

    申请号:PCT/KR2021/007237

    申请日:2021-06-10

    Inventor: 이희장

    Abstract: 회전축 밀폐장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른, 반도체 기판을 수용하는 반도체 적재 유닛을 회전시키면서 상기 반도체 기판을 처리하는 반도체 기판처리장치에 장착되는 회전축 밀폐장치는, 상기 반도체 기판처리장치에 장착되는 중공의 하우징; 상기 하우징 내에 수용되고, 상기 반도체 적재 유닛에 연결되어 상기 반도체 적재 유닛에 회전력을 전달하는 회전축; 상기 회전축을 상기 하우징 내에 회전가능하게 지지하는 베어링; 상기 하우징과 상기 회전축 사이의 간극을 밀봉하는 복수의 씰을 구비하는 씰링부; 및 상기 회전축의 일단에 장착되어 상기 회전축에 회전력을 전달하는 동력전달부;를 포함한다.

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