公开(公告)号：WO2022246337A2

公开(公告)日：2022-11-24

申请号：PCT/US2022/034050

申请日：2022-06-17

Applicant: VACTRONIX SCIENTIFIC LLC

Inventor： CARPENTER, Scott ,  XU, Tianzong ,  SURANGALIKAR, Harshal

IPC: B32B15/01 ,  B32B7/04 ,  B32B15/011 ,  B32B15/00 ,  C22C14/00 ,  C22C2200/00 ,  C23C14/024 ,  C23C14/165 ,  C23C14/34 ,  C23C14/505 ,  C23C14/542 ,  C23C14/58

Abstract: Multi-layer metal or pseudometallic materials having engineered anisotropy are disclosed. The multi-layer materials having defined engineered grain orientations in each layer of the multi-layer material and bond layers between adjacent layers orthogonal to the grain orientations. This configuration distributes applied stress across the plurality of layers in the multi-layer metal material and around a neutral axis of the multi-layer metal material and increases the overall mechanical properties of the disclosed multi-layer metal material relative to conventional wrought metal materials of the same or similar chemical constitution. The microstructure of each layer, group of layers, or across multiple layers may be tailored to the intended application of a device made from the material. Individual layers may be tuned for property variations, such as gradients, or to adjust the bond layer characteristics. A method of making the multi-layer metal materials by physical vapor deposition to deposit each layer as crystalline grain structures and allow for layer-by-layer control over the physical, mechanical and chemical properties of each layer in the multi-layer metal as well as a bond layer between adjacent layers is disclosed.

公开(公告)号：WO2023274680A1

公开(公告)日：2023-01-05

申请号：PCT/EP2022/065738

申请日：2022-06-09

Applicant: CARL ZEISS SMT GMBH

Inventor： SIX, Stephan

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/04 ,  C23C14/22 ,  C23C14/24 ,  C23C14/34 ,  C23C14/46 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  G02B1/113 ,  C23C14/0021 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/044 ,  C23C14/225 ,  C23C14/505 ,  C23C14/545 ,  G02B5/0891 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3447

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Abscheiden mindestens einer Schicht (2) einer Strahlung im DUV-Wellenlängenbereich reflektierenden oder antireflektierenden Beschichtung auf eine zu beschichtende Oberfläche (3a) eines Substrats (3) für ein optisches Element für den DUV- Wellenlängenbereich, umfassend: Überführen eines Beschichtungsmaterials (M) in die Gasphase in einer Beschichtungsquelle (4'), Bewegen des Substrats (3) relativ zur Beschichtungsquelle (4') entlang einer vorgegebenen Bewegungsbahn (5), wobei das Substrat (3) bei der Bewegung entlang der Bewegungsbahn (5) um eine Spinachse (7) rotiert und wobei zwischen der Beschichtungsquelle (4') und der zu beschichtenden Oberfläche (3a) ein Abdeckungselement (6) angeordnet ist, das die zu beschichtende Oberfläche (3a) bei der Bewegung des Substrats (5) entlang der Bewegungsbahn (5) zumindest teilweise abdeckt. Das Verfahren umfasst das Variieren einer Beschichtungsrate (RB) und/oder einer Rotationsgeschwindigkeit (ω(t)) der Spinachse (7) des Substrats (3) während der Bewegung des Substrats (3) entlang der Bewegungsbahn (5). Die Erfindung betrifft auch ein optisches Element für den DUV-Wellenlängenbereich, umfassend: ein Substrat (3), sowie eine auf das Substrat (3) aufgebrachte reflektierende oder antireflektierende Beschichtung, die mindestens eine durch das weiter oben beschriebene Verfahren abgeschiedene Schicht (2) aufweist, sowie eine optische Anordnung mit mindestens einem solchen optischen Element.

公开(公告)号：WO2021188754A8

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：PCT/US2021/022882

申请日：2021-03-18

Applicant: DEVITO, Richard

Inventor： DEVITO, Richard

IPC: C23C14/00 ,  C23C14/50 ,  C23C14/54 ,  C23C14/56 ,  C03C17/245 ,  C03C2217/21 ,  C03C2218/156 ,  C23C14/0068 ,  C23C14/0078 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C14/564

Abstract: In one aspect, a system for depositing a film on a substrate is disclosed, which comprises at least one metallization source for generating metal atoms, and at least one reactive source for generating at least one reactive species. The system further includes an inner cooling cylinder and a substrate cylinder, where the inner cooling cylinder is fixedly positioned relative to the substrate cylinder, and the substrate cylinder at least partially surrounds the inner cooling cylinder. At least one mount is coupled to the substrate cylinder for mounting one or more substrates to the substrate cylinder.

公开(公告)号：WO2021122810A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2020/086512

申请日：2020-12-16

Applicant: OERLIKON SURFACE SOLUTIONS AG, PFÄFFIKON

Inventor： MUELLER, Dieter ,  SIEBERT, Max ,  HOEWELING, Christoph

IPC: C23C14/50 ,  C23C16/458 ,  H01J37/32 ,  B23Q17/22 ,  B25J15/06 ,  B25B23/12 ,  B23Q3/15 ,  C23C14/505 ,  C23C16/4581 ,  H01J37/32715

Abstract: Die Erfindung betrifft eine Haltevorrichtung (2) zum Halten eines magnetisierbaren Substrats (8) während einer Bearbeitung von mindestens einer Substratoberfläche, insbesondere eines zu bearbeitenden magnetisierbaren Werkzeugs, umfassend eine endseitig angeordnete magnetische Halteeinheit (4) zur endseitigen Fixierung des Substrats (8) über die Ausbildung eines magnetischen Feldes, eine an der Halteeinheit (4) angeordnete Aufnahmeeinheit (6) zur Aufnahme des Substrats (8), eine innerhalb der Aufnahmeeinheit (6) angeordnete austauschbare Adaptereinheit (10) zur Führung und Abschirmung des Substrats (8), wobei die Adaptereinheit (10) zumindest eine Ausnehmung (12) zur Durchführung des Substrats (8) aufweist, wobei das Substrat (8) mittels der Ausnehmung (12) seitlich abgestützt innerhalb der Haltevorrichtung (2) fixierbar ist.

公开(公告)号：WO2021048136A2

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：PCT/EP2020/075095

申请日：2020-09-08

Applicant: CEMECON AG

Inventor： KÖLKER, Werner ,  BOLZ, Stephan ,  LEMMER, Oliver

IPC: C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C28/04 ,  H01J37/34 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/067 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C30/005 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3467

Abstract: Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (40), eine Beschichtungsanlage zum Ausführen des Verfahrens sowie einen beschichteten Körper. In einem ersten Verfahrensschritt (62) wird das Substrat (40) in einem Ionen-Ätzverfahren vorbehandelt. In einem zweiten Verfahrensschritt (64) wird mittels eines PVD-Verfahrens eine erste Beschichtungslage (56a) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf das Substrat (40) abgeschieden. Um eine besonders hochwertige und haltbare Beschichtung (50) zu erreichen, wird in einem dritten Verfahrensschritt (66) die Oberfläche der ersten Beschichtungslage (56a) mittels eines Ionen-Ätzverfahrens behandelt und in einem vierten Verfahrensschritt (68) mittels eines PVD-Verfahrens eine weitere Beschichtungslage (56b) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf die erste Beschichtungslage (56a) abgeschieden. Der beschichtete Körper umfasst auf einem Substrat (40) mindestens zwei Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm, wobei zwischen den Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) ein durch Ionen-Ätzen gebildeter Interface-Bereich angeordnet ist.

公开(公告)号：WO2022240549A1

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：PCT/US2022/025197

申请日：2022-04-18

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： BANGERT, Stefan ,  DEPPISCH, Thomas ,  BUSCHBECK, Wolfgang

IPC: C23C14/56 ,  C23C14/54 ,  C23C16/54 ,  C23C16/46 ,  C23C16/458 ,  C23C14/505 ,  C23C14/541 ,  C23C14/562 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/463

Abstract: A roller (100) for transporting a flexible substrate is described. The roller (100) includes a first coolant supply (110) for cooling a first part (101) of the roller (100) and a second coolant supply (120) for cooling a second part (102) and a third part (103) of the roller (100). The first part (101) is provided between the second part (102) and the third part (103). Additionally, a vacuum processing apparatus including a roller and a method of cooling a roller are described.

公开(公告)号：WO2021256772A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/KR2021/007237

申请日：2021-06-10

Applicant: 씰링크 주식회사

Inventor： 이희장

IPC: H01L21/67 ,  C23C16/44 ,  C23C14/505 ,  C23C14/566 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/4409 ,  C23C16/4584 ,  H01L21/68792

Abstract: 회전축 밀폐장치가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른, 반도체 기판을 수용하는 반도체 적재 유닛을 회전시키면서 상기 반도체 기판을 처리하는 반도체 기판처리장치에 장착되는 회전축 밀폐장치는, 상기 반도체 기판처리장치에 장착되는 중공의 하우징; 상기 하우징 내에 수용되고, 상기 반도체 적재 유닛에 연결되어 상기 반도체 적재 유닛에 회전력을 전달하는 회전축; 상기 회전축을 상기 하우징 내에 회전가능하게 지지하는 베어링; 상기 하우징과 상기 회전축 사이의 간극을 밀봉하는 복수의 씰을 구비하는 씰링부; 및 상기 회전축의 일단에 장착되어 상기 회전축에 회전력을 전달하는 동력전달부;를 포함한다.

公开(公告)号：WO2021247590A1

公开(公告)日：2021-12-09

申请号：PCT/US2021/035266

申请日：2021-06-01

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： LIANG, Qiwei ,  NEMANI, Srinivas D. ,  WONG, Keith Tatseun ,  JAN, Antony K.

IPC: B05D1/00 ,  C23C16/04 ,  C23C16/455 ,  H01L21/768 ,  H01L21/67 ,  C23C14/12 ,  C23C14/243 ,  C23C14/26 ,  C23C14/505 ,  C23C16/0245 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/042 ,  C23C16/45544 ,  C23C16/54 ,  C23C16/56 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32816 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/32 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/68742

Abstract: The present disclosure generally relates to a substrate processing chamber, a substrate processing apparatus, and a substrate processing method for self-assembled monolayer (SAM) deposition of low vapor pressure organic molecules (OM) followed by further substrate processing, such as atomic layer deposition.