公开(公告)号：WO2021257666A1

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/US2021/037572

申请日：2021-06-16

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： MEBARKI, Bencherki ,  GARDE, Komal S. ,  KALATHIPARAMBIL, Kishor ,  LEE, Joung Joo ,  TANG, Xianmin

IPC分类号： C23C14/58 ,  C23C14/34 ,  C23C14/04 ,  H01L21/285 ,  H01L21/3213 ,  C23C14/046 ,  C23C14/18 ,  C23C14/345 ,  C23C14/35 ,  C23C14/5873 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/2855 ,  H01L21/28568 ,  H01L21/32136

摘要： Embodiments of the disclosure relate to methods for enlarging the opening width of substrate features by reducing the overhang of deposited films. Some embodiments of the disclosure utilize a highly energetic bias pulse to etch the deposited film near the opening of the substrate feature. Some embodiments of the disclosure etch the deposited film without damaging the underlying substrate.

公开(公告)号：WO2021122892A

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/EP2020/086640

申请日：2020-12-17

申请人： WALTER AG [DE]/[DE]

发明人： SCHIER, Veit ,  ENGELHART, Wolfgang

IPC分类号： C23C28/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/35 ,  C23C28/00 ,  C23C30/00 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/352 ,  C23C28/042 ,  C23C28/044 ,  C23C28/048 ,  C23C28/42 ,  C23C30/005

摘要： The invention relates to a coated cutting tool comprising a substrate with a coating comprising a (Ti,AI)N layer having an overall composition (TixAl1-x)N, 0.34≤x≤0.65, the (Ti,AI)N layer contains columnar (Ti,AI)N grains with an average grain size of from 10 to 100 nm, the (Ti,AI)N layer comprises lattice planes of a cubic crystal structure, the (Ti,AI)N layer shows a pattern in electron diffraction analysis wherein there is a diffraction signal existing which is shown as a peak (P) in an averaged radial intensity distribution profile having its maximum within a scattering vector range of from 3.2 to 4.0 nm-1, the full width half maximum (FWHM) of the peak (P) is from 0.8 to 2.0 nm-1.

公开(公告)号：WO2022006053A1

公开(公告)日：2022-01-06

申请号：PCT/US2021/039522

申请日：2021-06-29

申请人： APPLIED MATERIALS, INC.

发明人： SONG, Jiao ,  CHAN, Anthony, Chih-Tung ,  GUNTHER, David ,  SAVANDAIAH, Kirankumar Neelasandra ,  WYSOK, Irena, H.

IPC分类号： C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/14 ,  H01J37/34 ,  C23C14/345 ,  C23C14/354 ,  H01J2237/332 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3455

摘要： Methods and apparatus for processing a substrate are provided herein. In embodiments, a magnetron assembly for use in a PVD chamber includes: a base plate having a first side, a second side opposite the first side, and a central axis; a magnet plate rotatably coupled to the base plate, wherein the magnet plate rotates with respect to the base plate about an offset axis; a magnet assembly coupled to the magnet plate offset from the offset axis and configured to rotate about the central axis and the offset axis; a first motor coupled to the base plate to rotate the magnet assembly about the central axis; and a second motor coupled to the magnet plate to control an angular position thereof and to position the magnet assembly in each of a plurality of fixed angular positions defining a plurality of different fixed radii.

公开(公告)号：WO2021255201A2

公开(公告)日：2021-12-23

申请号：PCT/EP2021/066499

申请日：2021-06-17

申请人： CEMECON AG

发明人： KÖLKER, Werner ,  BOLZ, Stephan

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/3492 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3438 ,  H01J37/3444 ,  H01J37/3467 ,  H01J37/3473

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung (10) zum Aufbringen einer Schicht (64) auf einen Körper (60), (62) sowie einen beschichteten Körper (60). Der Körper (60), (62) wird in einer Vakuumkammer (12) angeordnet und Prozessgas zugeführt. Ein Plasma wird in der (10) Vakuumkammer (12) durch Betrieb einer Kathode (30) durch Anlegen einer Kathodenspannung VP mit Kathodenpulsen und Zerstäuben eines Targets (32) erzeugt. An den Körper (60), (62) wird eine Bias-Spannung VB angelegt, so dass Ladungsträger des Plasmas in Richtung des Körpers (60), (62) beschleunigt werden und sich auf dessen Oberfläche anlagern. Um gezielt günstige Eigenschaften der Beschichtung (64) zu erreichen, wird ein Zeitverlauf der Bias-Spannung VB während der Beschichtungsdauer D variiert. In der Beschichtung (64) des Körpers (60), (62) umfasst das Material der Schicht (64) Anteile eines Edelgases, dessen Konzentration in der Schicht (64) über die Schichtdicke variiert.

公开(公告)号：WO2021123731A1

公开(公告)日：2021-06-24

申请号：PCT/GB2020/053116

申请日：2020-12-04

申请人： DYSON TECHNOLOGY LIMITED

发明人： GRUAR, Robert

IPC分类号： C23C14/34 ,  H01J37/32 ,  H01J37/34 ,  H01M4/04 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/20 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/205 ,  C23C14/345 ,  H01M4/0426

摘要： A method of making an anode architecture comprising an alkali metal anode and a transition metal current collector layer for use in an alkali metal ion cell. The method comprising: providing a reactor having a substrate support and a transition metal ion source; depositing an alkali metal electrode on a substrate provided on the substrate support; applying a irst biasing potential to the source to create a source potential, thereby creating a transition metal ion flux from the source to the substrate; applying a second biasing potential that, when applied to the substrate support, will create a substrate potential that is less than the source potential and greater than a ground potential; and applying the second biasing potential to the substrate support to control a potential difference between the substrate potential and the source potential, thereby controlling an arrival energy of the transition metal ions at the alkali metal electrode.

公开(公告)号：WO2022016204A2

公开(公告)日：2022-01-27

申请号：PCT/AT2021/060255

申请日：2021-07-20

申请人： MIBA GLEITLAGER AUSTRIA GMBH

发明人： HELD, Christoph

IPC分类号： F16C33/12 ,  C23C14/02 ,  C23C14/04 ,  C23C14/16 ,  C23C14/34 ,  C23C14/35 ,  C23C28/02 ,  C23C30/00 ,  C22C21/00 ,  B32B15/01 ,  C22C21/003 ,  C23C14/025 ,  C23C14/046 ,  C23C14/06 ,  C23C14/165 ,  C23C14/24 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C28/021 ,  C23C28/023 ,  C23C28/028 ,  C23C28/42 ,  F16C2202/04 ,  F16C2204/12 ,  F16C2223/60 ,  F16C2240/54 ,  F16C33/06 ,  F16C33/122 ,  F16C33/14

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines mehrschichtigen Gleitlagerelementes (1) umfassend die Schritte Bereitstellen eines Substrates (12) umfassend eine Trägerschicht (2), Abscheiden einer Laufschicht (3) auf dem Substrat (12) mittels Hochleistungsimpulsmagnetronsputtern.

公开(公告)号：WO2021148534A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：PCT/EP2021/051331

申请日：2021-01-21

申请人： WALTER AG

发明人： SCHIER, Veit

IPC分类号： C23C28/04 ,  C23C14/06 ,  C23C14/34 ,  C23C30/00 ,  C23C14/02 ,  C23C14/022 ,  C23C14/024 ,  C23C14/0635 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C28/044 ,  C23C28/048 ,  C23C30/005

摘要： A coated cutting tool comprising or consisting of a substrate of cemented carbide, cubic boron nitride (cBN) or cermet containing tungsten carbide hard grains and a tungsten carbide (WC) layer deposited immediately on top of the substrate surface, wherein the tungsten carbide (WC) layer consists of a mixture or combination of hexagonal tungsten mono-carbide α-WC phase and cubic tungsten mono-carbide β-WC phase and unavoidable impurities.

公开(公告)号：WO2021148195A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：PCT/EP2020/085557

申请日：2020-12-10

申请人： EVATEC AG

发明人： KRATZER, Martin ,  MAZZALAI, Andrea

IPC分类号： H01J37/32 ,  C23C14/35 ,  H01J37/34 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/345 ,  H01J37/32165 ,  H01J37/32724 ,  H01J37/3408 ,  H01J37/3444

摘要： The invention refers to a sputter deposition system comprising: - a sputter source comprising a sputter cathode, the cathode being electrically connected to a first RF- supply providing a first RF-signal of frequency f1 to the cathode which is further connected to a direct current(DC) supply via an RF-filter to provide a DC- signal to the cathode; - a pedestal connected to a second RF-supply, to provide a second RF-signal of frequency f2 to the pedestal to form a bias electrode; - a phase-shifter connected between the first and the second RF-supply.

公开(公告)号：WO2021143256A1

公开(公告)日：2021-07-22

申请号：PCT/CN2020/123640

申请日：2020-10-26

申请人： 中国科学院宁波材料技术与工程研究所

发明人： 王立平 ,  蒲吉斌 ,  王海新 ,  曾春 ,  薛群基

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35 ,  C23C14/0623 ,  C23C14/165 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3492 ,  C23C14/352

摘要： 一种二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜及其制备方法与应用。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜包括在其厚度方向上依次层叠的钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层。所述制备方法包括：采用磁控溅射技术，在基体表面依次沉积钛过渡层、钛/钽/二硫化钼/二硫化钨多层梯度过渡层和二硫化钼/二硫化钨多层钽掺杂层，获得二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜。所述二硫化钼/二硫化钨多层掺钽薄膜具有良好的基底结合强度、硬度及弹性模量，在大气环境不同温度下均具有良好的摩擦磨损性能、良好温度自适应性能、耐湿热、耐高温氧化性能，能满足航空航天飞行器润滑稳定及长寿命服役要求。

公开(公告)号：WO2021048136A2

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：PCT/EP2020/075095

申请日：2020-09-08

申请人： CEMECON AG

发明人： KÖLKER, Werner ,  BOLZ, Stephan ,  LEMMER, Oliver

IPC分类号： C23C14/06 ,  C23C14/02 ,  C23C14/35 ,  C23C14/34 ,  C23C14/50 ,  C23C28/04 ,  H01J37/34 ,  C23C14/022 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/067 ,  C23C14/345 ,  C23C14/3485 ,  C23C14/352 ,  C23C14/505 ,  C23C30/005 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/32779 ,  H01J37/3405 ,  H01J37/3429 ,  H01J37/3467

摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung eines Substrats (40), eine Beschichtungsanlage zum Ausführen des Verfahrens sowie einen beschichteten Körper. In einem ersten Verfahrensschritt (62) wird das Substrat (40) in einem Ionen-Ätzverfahren vorbehandelt. In einem zweiten Verfahrensschritt (64) wird mittels eines PVD-Verfahrens eine erste Beschichtungslage (56a) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf das Substrat (40) abgeschieden. Um eine besonders hochwertige und haltbare Beschichtung (50) zu erreichen, wird in einem dritten Verfahrensschritt (66) die Oberfläche der ersten Beschichtungslage (56a) mittels eines Ionen-Ätzverfahrens behandelt und in einem vierten Verfahrensschritt (68) mittels eines PVD-Verfahrens eine weitere Beschichtungslage (56b) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm auf die erste Beschichtungslage (56a) abgeschieden. Der beschichtete Körper umfasst auf einem Substrat (40) mindestens zwei Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) mit einer Dicke von 0,1µm bis 6µm, wobei zwischen den Beschichtungslagen (56a, 56b, 56c, 56d) ein durch Ionen-Ätzen gebildeter Interface-Bereich angeordnet ist.