公开(公告)号：WO2021240796A1

公开(公告)日：2021-12-02

申请号：PCT/JP2020/021381

申请日：2020-05-29

Applicant: ＴＤＫ株式会社

Inventor： 塩川　陽平 ,  佐々木　智生 ,  関　剛斎 ,  高梨　弘毅

IPC: H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01F41/14 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

Abstract: 本実施形態にかかる磁性膜は、強磁性層を含み、前記強磁性層は、第１方向の厚み又は幅が他の方向の厚み又は幅より長く、結晶構造が正方晶構造であり、前記正方晶構造のｃ軸の主ベクトル方向が前記第１方向である。

公开(公告)号：WO2020160358A1

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：PCT/US2020/016028

申请日：2020-01-31

Applicant: NORTHWESTERN UNIVERSITY

Inventor： AMIRI, Pedram Khalili ,  RAZEGHI, Manijeh

IPC: B82Y25/00 ,  G11B5/39 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/12

Abstract: Magnetic memory devices are provided. The devices comprise a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, and a tunnel barrier layer composed of a doped semiconductor (instead of an insulator or a dielectric) between the first and second ferromagnetic layers and forming at least one ferromagnetic-doped semiconductor interface.

公开(公告)号：WO2018169629A1

公开(公告)日：2018-09-20

申请号：PCT/US2018/017835

申请日：2018-02-12

Applicant: QUALCOMM INCORPORATED

Inventor： KAN, Jimmy, Jianan ,  WANG, Peiyuan ,  PARK, Chando ,  KANG, Seung, Hyuk

IPC: G01N27/74 ,  H01F10/32 ,  G01R33/12 ,  G01R33/06

CPC classification number: G01N27/745 ,  G01N27/122 ,  G01N33/5438 ,  G01R33/063 ,  G01R33/09 ,  G01R33/1269 ,  H01F10/3218

Abstract: Magneto-impedance (MI) sensors employing current confinement and exchange bias layer(s) for increased MI sensitivity are disclosed. MI sensors may be used as biosensors to detect biological materials. The sensing by the MI devices is based on a giant magneto-impedance (GMI) effect, which is very sensitive to a magnetic field. The GMI effect is a change in impedance of a magnetic material resulting from a change in skin depth of the magnetic material as a function of an external direct current (DC) magnetic field applied to the magnetic material and an alternating current (AC) current flowing through the magnetic material (or adjacent conductive materials). Thus, this change in impedance resulting from a magnetic stray field generated by magnetic nanoparticles can be detected in lower concentrations and measured to determine the amount of magnetic nanoparticles present, and thus the target analyte of interest.

公开(公告)号：WO2018037777A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：PCT/JP2017/026098

申请日：2017-07-19

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 苅屋田　英嗣

IPC: H01L21/8239 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

Abstract: 磁気抵抗素子１０は、下部電極３１、非磁性材料から成る第１下地層２１Ａ、垂直磁気異方性を有する記憶層２２、中間層２３、磁化固定層２４及び上部電極３２が積層されて成り、記憶層２２は、少なくとも３ｄ遷移金属元素及びホウ素元素を組成として有する磁性材料から成り、下部電極３１と第１下地層２１Ａとの間に、更に、第２下地層２１Ｂを備えており、第２下地層２１Ｂは、記憶層を構成する元素の少なくとも１種類の元素を組成として有する材料から成る。

Abstract translation:

磁阻元件10包括下电极31，由非磁性材料制成的第一底涂层21A，具有垂直磁各向异性22存储层，中间层23，磁化固定层24和上 电极32和存储层22由具有至少3d过渡金属元素和硼元素的组成的磁性材料制成，并且在下电极31和第一基层21A之间，第二底层 21B，并且第二底层21B由具有至少一种元素作为构成存储层的元素的组成的材料制成。

公开(公告)号：WO2018021706A1

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：PCT/KR2017/006879

申请日：2017-06-29

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  이서원 ,  장평화

IPC: H03B15/00 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H03B15/00

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 발진 소자는, 제1 고정 자성층; 상기 제1 고정 자성층 상에 배치된 제2 고정 자성층; 상기 제1 고정 자성층과 상기 제2 고정 자성층 사이에 개재된 자유 자성층; 상기 제1 고정 자성층과 상기 자유 자성층 사이에 개재된 제1 비자성층; 및 상기 자유 자성층과 상기 제2 고정 자성층 사이에 개재된 제2 비자성층을 포함한다. 상기 제1 고정 자성층은 고정된 자화 방향을 가지고, 막면에 대하여 수직한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이다. 상기 자유 자성층은 면 수직 방향으로부터 특정각도를 유지하는 방향으로 정렬하는 콘 상태(cone state)를 가진다. 상기 제2 고정 자성층은 고정된 자화 방향을 갖고, 막면에 대하여 평행한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的纳米振荡器件包括：第一固定磁性层; 设置在第一固定磁性层上的第二固定磁性层; 介于第一固定磁性层和第二固定磁性层之间的自由磁性层; 介于第一固定磁性层和自由磁性层之间的第一非磁性层; 以及介于自由磁性层和第二固定磁性层之间的第二非磁性层。 第一固定磁性层是由具有固定磁化方向并沿与膜表面垂直的方向磁化的材料制成的薄膜。 自由磁性层具有在与平面垂直方向保持特定角度的方向上对齐的圆锥状态。 第二固定磁性层具有固定的磁化方向，并由在与膜表面平行的方向上磁化的材料制成。

公开(公告)号：WO2017208576A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：PCT/JP2017/011283

申请日：2017-03-21

Applicant: 国立大学法人東北大学

Inventor： 深見　俊輔 ,  張　超亮 ,  大河原　綾人 ,  渡部　杏太 ,  大野　英男 ,  遠藤　哲郎

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 磁気メモリ素子（１００）は、５ｄ遷移金属を含有する重金属層（１０）を含む導電層と、導電層と隣接し、反転可能な磁化を有する強磁性層を含有する第１強磁性層（２０）と、第１強磁性層（２０）と隣接し、絶縁性の材料から構成されるバリア層（３０）と、バリア層（３０）と隣接し、少なくとも一層の磁化の方向の固定された第２強磁性層（４１）を有する参照層（４０）と、参照層（４０）と隣接し、導電性の材料から構成されるキャップ層（５０）と、重金属層（１０）の長手方向の一端に、電流の導入が可能な第１端子（Ｔ１）と、重金属層（１０）の長手方向の他端に、電流の導入が可能な第２端子（Ｔ２）と、キャップ層（５０）に、電流の導入が可能な第３端子（Ｔ３）と、を備える。

Abstract translation:

磁存储器件（100）邻近包含含有5d过渡金属重金属层（10），所述导电层和，含有具有可逆磁化的强磁性层的导电层 第一铁磁层（20），相邻于所述第一铁磁性层（20），由绝缘材料（30）的阻挡层，邻近于所述阻挡层（30），中的至少一个层 具有第二铁磁性层，其是固定的磁化强度（41）（40）的方向上，邻近于所述参考层（40），的材料制成（50），重金属层的导电性罩层的参考层 一个纵向端部（10），第一终端能够将当前的（T1），所述重金属层（10）的另一纵向端的，以及一第二端能够引入电流（T2）的 以及能够将电流引入盖层（50）的第三端子（T 3）。

公开(公告)号：WO2017149874A1

公开(公告)日：2017-09-08

申请号：PCT/JP2016/085795

申请日：2016-12-01

Applicant: ソニー株式会社

Inventor： 内田　裕行 ,  細見　政功 ,  大森　広之 ,  別所　和宏 ,  肥後　豊

IPC: H01L43/10 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: 磁気抵抗素子１０は、第１面２０Ａ、及び、第１面２０Ａと対向した第２面２０Ｂを有する第１積層構造体２０、並びに、記憶層３３、中間層３２及び磁化固定層３１が積層されて成り、第１面３０Ａ、及び、第１面３０Ａと対向した第２面３０Ｂを有し、第１面３０Ａが第１積層構造体２０の第２面２０Ｂと対向して位置する第２積層構造体３０を備えており、第１積層構造体２０は、第１積層構造体２０の第１面２０Ａ側から、金属窒化物から成る第１層２１、及び、ルテニウム又はルテニウム化合物から成る第２層２２の積層構造を有する。

Abstract translation:

磁阻效应元件10具有第一表面20A，和具有第二表面20B的第一叠层结构20面向第一表面20A，以及在存储层33，中间层32 并且，磁化固定层31具有与第一层叠体20的第一面30A，第一面30A以及第二面20B相对的第一面30A以及第二面30B 第一叠层结构20包括由金属氮化物制成的第一层21和由第一叠层结构20的第一表面20A形成的由金属氮化物制成的第二层， 和由钌或钌化合物制成的第二层22。

公开(公告)号：WO2016158923A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/JP2016/060056

申请日：2016-03-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐々木　智生

IPC: H01L43/10 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G01R33/098 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01F10/324 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

Abstract: 　この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、ＡＢ ２ Ｏ ｘ （０＜ｘ≦４）という組成式で表され、陽イオンの配列が不規則化したスピネル構造であり、前記トンネルバリア層は、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の両方と格子整合している格子整合部と、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の少なくとも一方と格子整合していない格子不整合部と、を有し、Ａサイトは複数の非磁性元素の二価の陽イオンであり、Ｂサイトはアルミニウムイオンであり、前記組成式において二価の陽イオンの元素数がアルミニウムイオンの元素数の半分未満である。

Abstract translation: 该磁阻效应元件具有第一强磁性金属层，第二铁磁金属层和夹在第一和第二铁磁性金属层之间的隧道势垒层，其中：隧道势垒层具有由组成式AB2Ox（0）表示的尖晶石结构

公开(公告)号：WO2016122402A1

公开(公告)日：2016-08-04

申请号：PCT/SG2016/050021

申请日：2016-01-20

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE,TECHNOLOGY AND RESEARCH

Inventor： TRAN, Michael ,  GONZALEZ, Anibal ,  LIM, Sze Ter

IPC: H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01F10/32 ,  G11C11/16

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3286 ,  H01F10/329 ,  H01F41/302 ,  H01L43/12

Abstract: According to embodiments of the present invention, a magnetoresistive device is provided. The magnetoresistive device includes a free magnetic layer structure having a variable magnetization orientation, a fixed magnetic layer structure having a fixed magnetization orientation, and a tilting magnetic layer structure configured to provide an interlayer exchange biasing field to tilt, at equilibrium, the fixed magnetization orientation or the variable magnetization orientation relative to the other to be along a tilting axis that is at least substantially non-parallel to at least one of a first easy axis of the fixed magnetization orientation or a second easy axis of the variable magnetization orientation. According to further embodiments of the present invention, a method of forming a magnetoresistive device is also provided.

Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种磁阻器件。 磁阻器件包括具有可变磁化取向的自由磁性层结构，具有固定磁化取向的固定磁性层结构和倾斜磁性层结构，该倾斜磁性层结构构造成提供层间交换偏置场，以平衡地倾斜固定的磁化取向 或相对于另一个的可变磁化取向将沿着至少基本上不平行于固定磁化取向的第一容易轴或可变磁化取向的第二容易轴中的至少一个的倾斜轴。 根据本发明的另外的实施例，还提供了一种形成磁阻器件的方法。

公开(公告)号：WO2016076799A1

公开(公告)日：2016-05-19

申请号：PCT/SG2015/050448

申请日：2015-11-12

Applicant: AGENCY FOR SCIENCE, TECHNOLOGY AND RESEARCH

Inventor： WONG, Hon Seng ,  ZHOU, Tiejun ,  CHUNG, Hong Jing ,  ZHANG, Mingsheng

IPC: H01F10/32 ,  H01L29/66 ,  C22C19/07 ,  G11B5/00 ,  H01F10/12

CPC classification number: C22C19/07 ,  G11B5/235 ,  G11B5/3146 ,  G11B2005/0024 ,  H01F10/3286 ,  H01L29/66

Abstract: A spin torque oscillator (STO) comprises an oscillation layer configured to generate a high frequency magnetic field with a low driving current wherein the oscillation layer is made of an alloy Co85lr(i5.x)-Rh x where x is about 1 to 14 at %, thereby improving performance of the STO in terms of the driving current, oscillation frequency, magnetic field, coercivity, etc. The STO also comprises a reference layer to induce a magnetization precession in the oscillation layer and at least one polarization layer disposed between the oscillation layer and the reference layer to enhance the spin polarization rate of the STO. The oscillation layer may comprise a first oscillation layer and a second oscillation layer in which an interlayer is disposed between them. The interlayer is configured with a suitable material so as the first and second oscillation layers are coupled ferromagnetically or anti-ferromagnetically.

Abstract translation: 自旋转矩振荡器（STO）包括被配置为产生具有低驱动电流的高频磁场的振荡层，其中振荡层由合金Co85lr（i5.x）-Rhx制成，其中x为约1至14at％ 从而提高STO在驱动电流，振荡频率，磁场，矫顽力等方面的性能.STO还包括在振荡层中引起磁化进动的参考层和设置在振荡器之间的至少一个极化层 层和参考层以增强STO的自旋极化率。 振荡层可以包括第一振荡层和第二振荡层，其中在它们之间设置中间层。 中间层配置有合适的材料，因为第一和第二振荡层被铁磁或反铁磁耦合。