公开(公告)号：WO2018021706A1

公开(公告)日：2018-02-01

申请号：PCT/KR2017/006879

申请日：2017-06-29

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이경진 ,  이서원 ,  장평화

IPC: H03B15/00 ,  H01F10/32 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01F10/32 ,  H01L43/08 ,  H03B15/00

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 나노 발진 소자는, 제1 고정 자성층; 상기 제1 고정 자성층 상에 배치된 제2 고정 자성층; 상기 제1 고정 자성층과 상기 제2 고정 자성층 사이에 개재된 자유 자성층; 상기 제1 고정 자성층과 상기 자유 자성층 사이에 개재된 제1 비자성층; 및 상기 자유 자성층과 상기 제2 고정 자성층 사이에 개재된 제2 비자성층을 포함한다. 상기 제1 고정 자성층은 고정된 자화 방향을 가지고, 막면에 대하여 수직한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진 박막이다. 상기 자유 자성층은 면 수직 방향으로부터 특정각도를 유지하는 방향으로 정렬하는 콘 상태(cone state)를 가진다. 상기 제2 고정 자성층은 고정된 자화 방향을 갖고, 막면에 대하여 평행한 방향으로 자화되는 물질로 이루어진다.

Abstract translation: 根据本发明实施例的纳米振荡器件包括：第一固定磁性层; 设置在第一固定磁性层上的第二固定磁性层; 介于第一固定磁性层和第二固定磁性层之间的自由磁性层; 介于第一固定磁性层和自由磁性层之间的第一非磁性层; 以及介于自由磁性层和第二固定磁性层之间的第二非磁性层。 第一固定磁性层是由具有固定磁化方向并沿与膜表面垂直的方向磁化的材料制成的薄膜。 自由磁性层具有在与平面垂直方向保持特定角度的方向上对齐的圆锥状态。 第二固定磁性层具有固定的磁化方向，并由在与膜表面平行的方向上磁化的材料制成。

公开(公告)号：WO2017208576A1

公开(公告)日：2017-12-07

申请号：PCT/JP2017/011283

申请日：2017-03-21

Applicant: 国立大学法人東北大学

Inventor： 深見　俊輔 ,  張　超亮 ,  大河原　綾人 ,  渡部　杏太 ,  大野　英男 ,  遠藤　哲郎

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01F10/32 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 磁気メモリ素子（１００）は、５ｄ遷移金属を含有する重金属層（１０）を含む導電層と、導電層と隣接し、反転可能な磁化を有する強磁性層を含有する第１強磁性層（２０）と、第１強磁性層（２０）と隣接し、絶縁性の材料から構成されるバリア層（３０）と、バリア層（３０）と隣接し、少なくとも一層の磁化の方向の固定された第２強磁性層（４１）を有する参照層（４０）と、参照層（４０）と隣接し、導電性の材料から構成されるキャップ層（５０）と、重金属層（１０）の長手方向の一端に、電流の導入が可能な第１端子（Ｔ１）と、重金属層（１０）の長手方向の他端に、電流の導入が可能な第２端子（Ｔ２）と、キャップ層（５０）に、電流の導入が可能な第３端子（Ｔ３）と、を備える。

Abstract translation:

磁存储器件（100）邻近包含含有5d过渡金属重金属层（10），所述导电层和，含有具有可逆磁化的强磁性层的导电层 第一铁磁层（20），相邻于所述第一铁磁性层（20），由绝缘材料（30）的阻挡层，邻近于所述阻挡层（30），中的至少一个层 具有第二铁磁性层，其是固定的磁化强度（41）（40）的方向上，邻近于所述参考层（40），的材料制成（50），重金属层的导电性罩层的参考层 一个纵向端部（10），第一终端能够将当前的（T1），所述重金属层（10）的另一纵向端的，以及一第二端能够引入电流（T2）的 以及能够将电流引入盖层（50）的第三端子（T 3）。

公开(公告)号：WO2016158923A1

公开(公告)日：2016-10-06

申请号：PCT/JP2016/060056

申请日：2016-03-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐々木　智生

IPC: H01L43/10 ,  G01R33/09 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G01R33/09 ,  G01R33/098 ,  G11B5/39 ,  H01F10/14 ,  H01F10/16 ,  H01F10/26 ,  H01F10/32 ,  H01F10/324 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

Abstract: 　この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、ＡＢ ２ Ｏ ｘ （０＜ｘ≦４）という組成式で表され、陽イオンの配列が不規則化したスピネル構造であり、前記トンネルバリア層は、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の両方と格子整合している格子整合部と、前記第一の強磁性金属層と前記第二の強磁性金属層の少なくとも一方と格子整合していない格子不整合部と、を有し、Ａサイトは複数の非磁性元素の二価の陽イオンであり、Ｂサイトはアルミニウムイオンであり、前記組成式において二価の陽イオンの元素数がアルミニウムイオンの元素数の半分未満である。

Abstract translation: 该磁阻效应元件具有第一强磁性金属层，第二铁磁金属层和夹在第一和第二铁磁性金属层之间的隧道势垒层，其中：隧道势垒层具有由组成式AB2Ox（0）表示的尖晶石结构

公开(公告)号：WO2011154477A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：PCT/EP2011/059558

申请日：2011-06-09

Applicant: COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET ENERGIES ALTERNATIVES ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  BARADUC, Claire ,  DIENY, Bernard ,  THIRION, Christophe ,  DE MESTIER DU BOURG, Nicolas

Inventor： BARADUC, Claire ,  DIENY, Bernard ,  THIRION, Christophe ,  DE MESTIER DU BOURG, Nicolas

IPC: H01F10/32

CPC classification number: H03B28/00 ,  B82Y25/00 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3268 ,  H03B15/006

Abstract: La présente invention concerne un oscillateur (30) à transfert de spin comportant un empilement magnétique (E) incluant au moins deux couches magnétiques (32,34) dont au moins une desdites deux couches magnétiques, dite couche oscillante (32), a une aimantation de direction variable et des moyens d'alimentation (31, 35) en courant aptes à faire circuler un courant d'électrons perpendiculairement au plan dudit empilement magnétique (E). L'empilement magnétique (E) comportant des moyens (33) aptes à générer des inhomogénéités de courant au niveau de la surface de ladite couche oscillante et l'intensité de courant fourni par lesdits moyens d'alimentation (31, 35) est choisie de sorte l'aimantation de ladite couche oscillante présente une configuration magnétique cohérente, ladite configuration magnétique oscillant dans son ensemble à une même fréquence fondamentale.

Abstract translation: 本发明涉及一种自旋转移振荡器（30），它包括一个包括至少两个磁性层（32,34）的磁性堆叠（E），所述两个磁性层中的至少一个称为振荡层（32） 具有可变方向磁化和能够使电子流的电流垂直于所述磁性堆叠（E）的平面流动的电流供给装置（31,35）。 磁性堆叠（E）包括能够在所述振荡层的表面的电平处产生电流的不均匀性的装置（33），并且选择由所述供给装置（31,35）提供的电流的强度，使得磁性堆叠 所述振荡层具有一致的磁性结构，所述磁性结构整体上以相同的基频振荡。

公开(公告)号：WO0235559A3

公开(公告)日：2002-07-18

申请号：PCT/US0142775

申请日：2001-10-16

Applicant: MOTOROLA INC

Inventor： ENGEL BRADLEY N ,  RIZZO NICHOLAS D ,  JANESKY JASON A ,  TEHRANI SAIED

IPC: G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/22

CPC classification number: H01F10/3254 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1171 ,  Y10T428/12465 ,  Y10T428/12639 ,  Y10T428/24942 ,  Y10T428/31

Abstract: A magnetic layer (46) of a magnetoelectronics element (40) is provided that has a first sub-element layer (48) and a second sub-element layer (50). The first sub-element layer (48) is configured to have a first area and the second sub-element layer (50) is configured to have a second area that is less than the first area.

Abstract translation: 提供了具有第一子元件层（48）和第二子元件层（50）的磁电子元件（40）的磁性层（46）。 第一子元件层（48）被配置为具有第一区域并且第二子元件层（50）被配置为具有小于第一区域的第二区域。

公开(公告)号：WO00026683A1

公开(公告)日：2000-05-11

申请号：PCT/EP1999/007499

申请日：1999-10-05

IPC: G01R33/09 ,  G11B5/00 ,  G11B5/39 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3925 ,  G11B5/3967 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/32

Abstract: A magnetoresistive magnetic field sensor comprises a bilayer with a first soft magnetic layer and in direct contact therewith a second soft magnetic layer. The layers are exchange coupled to one another. The second soft magnetic layer is located below, on or in the first soft magnetic layer in a meandering, spiraling or such like structure. The electrical resistivity of the first soft magnetic layer is higher than that of the second soft magnetic layer, while the difference in electrical resistivity between both soft magnetic layers is at least a factor of 10, preferably a factor of 100. The magnetoresistive magnetic field sensor is applied in a magnetic read head device for a recording information system.

Abstract translation: 磁阻磁场传感器包括具有第一软磁层并与第二软磁层直接接触的双层。 这些层彼此交换耦合。 第二软磁层位于第一软磁层的下方，上方或第一软磁层中，其曲折，螺旋形或类似结构。 第一软磁层的电阻率高于第二软磁层的电阻率，而两个软磁层之间的电阻差为至少10倍，优选为100倍。磁阻磁场传感器 被应用于用于记录信息系统的磁读头装置中。

公开(公告)号：WO1995035507A1

公开(公告)日：1995-12-28

申请号：PCT/EP1995002281

申请日：1995-06-13

Applicant: THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD ,  GIBBS, Michael, Richard, John ,  GEHRING, Gillian, Anne ,  BLYTHE, Harry, Jarratt

Inventor： THE UNIVERSITY OF SHEFFIELD

IPC: G01R33/09

CPC classification number: B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  H01F1/0036 ,  H01F1/407 ,  H01F10/32

Abstract: A magnetic field responsive device which comprises: an electrically insulating substrate (2), a layer of an electrically conductive soft magnetic material (3), a layer of giant magneto-resistive (GMR) material (5) arranged in electrical contact with the layer of electrically conductive soft magnetic material, the thickness of the GMR material layer being not greater than twice the mean free path of an electron in the said GMR material, the layers being arranged in any order or position on the substrate and having opposed directions of magnetisation in zero applied magnetic field.

Abstract translation: 一种磁场响应装置，包括：电绝缘基板（2），导电软磁材料层（3），与所述层电接触布置的巨磁阻（GMR）材料层， 的导电软磁材料，所述GMR材料层的厚度不大于所述GMR材料中电子的平均自由程的两倍，所述层以基板上任何顺序或位置排列并且具有相反的磁化方向 零施加磁场。

公开(公告)号：WO1995003604A1

公开(公告)日：1995-02-02

申请号：PCT/US1994007692

申请日：1994-07-15

Applicant: NONVOLATILE ELECTRONICS, INCORPORATED

Inventor： NONVOLATILE ELECTRONICS, INCORPORATED ,  DAUGHTON, James, M.

IPC: G11B05/66

CPC classification number: B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3906 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/15 ,  H01F10/32 ,  H01F10/324 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L43/08 ,  Y10S428/90 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/12611 ,  Y10T428/12625 ,  Y10T428/26 ,  Y10T428/265

Abstract: A composite film (F'1) on a substrate (11) having a first magnetostrictive, magnetoresistive, anisotropic ferromagnetic thin-film (F' ) provided on that substrate with a second ferromagnetic thin-film (11") provided immediately thereon which is also magnetorestrictive, magnetoresistive, anisotropic, with a composition differing from the first ferromagnetic thin-film (F' ). Various parameters of said first and second ferromagnetic thin-films (F' , F' ) are selected to provide such a composite film (F' ) with little or no magnetostriction. Such composite films can be used in various devices (figs 4 and 5).

Abstract translation: 在具有第二铁磁性薄膜（11“）的基板上设置有具有第一磁致伸缩磁阻，各向异性铁磁性薄膜（F'<1-1>）的基板（11）上的复合膜（F'1） 立即在其上提供也具有不同于第一铁磁薄膜（F'<1-2>）的组成的磁致伸缩，磁阻，各向异性的所有第一和第二铁磁性薄膜（F'<1- 1'，F'<1-2>），以提供很少或没有磁致伸缩的这种复合膜（F'1）。这种复合膜可用于各种装置（图4和图5）。

公开(公告)号：WO2017110834A1

公开(公告)日：2017-06-29

申请号：PCT/JP2016/087999

申请日：2016-12-20

Applicant: 国立大学法人東北大学

Inventor： 佐藤　創志 ,  丹羽　正昭 ,  本庄　弘明 ,  池田　正二 ,  佐藤　英夫 ,  大野　英男 ,  遠藤　哲郎

IPC: H01L43/08 ,  H01F10/32 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82

CPC classification number: H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

Abstract: 【課題】ホウ素の外方拡散による磁気特性の劣化を防ぐことができ、優れた磁気特性を有するとともに、微細化に伴う寸法ばらつきによる磁気特性のばらつきを防ぐことができるスピントロニクス素子を提供する。 【解決手段】ホウ素を含む強磁性層から成る記録層２１および参照層２２と、記録層２１と参照層２２との間に配置された絶縁層２３とを有する磁気トンネル接合素子１１と、記録層２１および参照層２２に含まれるホウ素の外方拡散を防止するよう設けられた拡散防止膜１２とを有している。拡散防止膜１２は、記録層２１および参照層２２の側縁部に含まれるホウ素の濃度より高い濃度でホウ素を含んでおり、記録層２１および参照層２２の側面を覆うよう設けられている。また、拡散防止膜１２は、窒素を含まず、外部からスピントロニクス素子１０の内部に窒素が侵入するのを防止するよう構成されている。

Abstract translation: 要解决的问题：为了防止由于硼的向外扩散引起的磁性性能的降低，具有优异的磁性，并防止由于伴随小型化的尺寸变化引起的磁特性的变化 有能力的spontronic设备。 一种磁隧道结元件，其具有记录层和由包含硼的铁磁层构成的参考层和设置在记录层和参考层之间的绝缘层， 并设置扩散防止膜12，以防止参考层22中所含的硼向外扩散。 扩散阻挡膜12含有浓度高于记录层21和参考层22的侧边部分中包含的硼的浓度的硼，并且被设置为覆盖记录层21和参考层22的侧面。 另外，扩散阻挡膜12被构造成防止氮从外部不含氮地进入自旋电子器件10。

公开(公告)号：WO2017010549A1

公开(公告)日：2017-01-19

申请号：PCT/JP2016/070850

申请日：2016-07-14

Applicant: 国立大学法人東北大学

Inventor： 佐藤　英夫 ,  池田　正二 ,  マティアス　ベルスワイラー ,  本庄　弘明 ,  渡部　杏太 ,  深見　俊輔 ,  松倉　文▲礼▼ ,  伊藤　顕知 ,  丹羽　正昭 ,  遠藤　哲郎 ,  大野　英男

IPC: H01L21/8246 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01L27/105 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08

CPC classification number: H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  H01F10/16 ,  H01F10/32 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01L27/105 ,  H01L27/222 ,  H01L29/82 ,  H01L43/10

Abstract: 微細化により高集積化された大容量の磁気メモリを実現する。　磁化方向が膜面垂直方向である第１の磁性層（２５）と、第１の磁性層（２５）に隣接して設けられる第１の非磁性層（１３）と、第１の磁性層（２５）の第１の非磁性層（１３）とは反対側に隣接して設けられ、磁化方向が膜面垂直方向である第２の磁性層（１２）とを備え、第１の磁性層（２５）は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎなどの３ｄ強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第１の非磁性層（１３）との界面に界面磁気異方性エネルギー密度（Ki）を増大させる機能を有し、第２の磁性層（１２）は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎなどの３ｄ強磁性遷移金属元素を少なくとも一つ含み、第１の磁性層（２５）の飽和磁化（Ms）よりも低い飽和磁化である、磁気抵抗効果素子及び当該磁気抵抗効果素子を用いた磁気メモリを提供することができる。

Abstract translation: 本发明通过小型化实现高度集成的大容量磁存储器。 本发明可以提供：磁阻元件; 以及使用所述磁阻元件的磁存储器，其中所述磁阻元件设置有具有与膜表面垂直的磁化方向的第一磁性层（25），与所述第一磁阻元件的一侧邻近设置的第一非磁性层（13） 磁性层（25）和与第一非磁性层（13）相对的与第一磁性层（25）的另一侧相邻设置并具有垂直于膜的磁化方向的第二磁性层（12） 表面。 第一磁性层（25）包括至少一种3d铁磁过渡金属元素，例如Co，Fe，Ni和Mn，并且具有增加第一磁性层（...）的界面处的界面磁各向异性能量密度（Ki）的功能， 25）和第一非磁性层（13），并且第二磁性层（12）包括至少一个3d铁磁过渡金属元素，例如Co，Fe，Ni和Mn，并且具有低于饱和磁化强度的饱和磁化强度 （Ms）的第一磁性层（25）。