共振器
    5.
    发明申请
    共振器 审中-公开

    公开(公告)号:WO2018139092A1

    公开(公告)日:2018-08-02

    申请号:PCT/JP2017/044787

    申请日:2017-12-13

    申请人: TDK株式会社

    摘要: 共振器1は、磁気抵抗効果素子2と、外部磁界印加部3と、エネルギ付与部4を備えている。磁気抵抗効果素子2は、第1の方向の磁化を有する磁化固定層21と、方向が変化する磁化を有する磁化自由層23と、磁化固定層21と磁化自由層23の間に配置されたスペーサ層22を含んでいる。外部磁界印加部3は、磁化自由層23に対して、第2の方向の外部磁界を印加する。エネルギ付与部4は、磁化自由層23の磁化を振動させるためのエネルギを磁気抵抗効果素子2に付与する。第2の方向が第1の方向に対してなす角度は、90°~150°の範囲内である。

    MAGNETORESISTIVE-BASED SIGNAL SHAPING CIRCUIT FOR AUDIO APPLICATIONS
    7.
    发明申请
    MAGNETORESISTIVE-BASED SIGNAL SHAPING CIRCUIT FOR AUDIO APPLICATIONS 审中-公开
    基于磁阻的信号整形电路用于音频应用

    公开(公告)号:WO2017158517A1

    公开(公告)日:2017-09-21

    申请号:PCT/IB2017/051479

    申请日:2017-03-15

    摘要: A magnetoresistive-based signal shaping circuit (100) for audio applications comprising: a field emitting device (4) configured for receiving an input current signal (41) from an audio signal source and for generating a magnetic field (42) in accordance with the input current signal (41), a first magnetoresistive element (10) having a first electrical resistance (R b1 ) and electrically connected in series to a second magnetoresistive element (11) having a second electrical resistance (R b2 ); the magnetoresistive-based signal shaping device (100) providing an output signal (V out ) across the second magnetoresistive element (11) when an input voltage (V dd ) is applied across the first and second magnetoresistive element (10, 11) in series; the output signal (V out ) being a function of the electrical resistance (R b1 , R b2 ) and yielding a dynamic range compression effect; the first and second electrical resistance (R b1 , R b2 ) varying with the magnetic field (42) in an opposite fashion.

    摘要翻译: 一种用于音频应用的基于磁阻的信号整形电路(100),包括:场发射装置(4),其被配置用于从音频信号源接收输入电流信号(41)并且用于产生磁场 根据输入电流信号(41)将第一磁阻元件(42),第一磁阻元件(10)和第二磁阻元件(11)串联电连接的第一磁阻元件(10),所述第一磁阻元件具有第一电阻(R b1) )具有第二电阻(R b2); 当施加输入电压(V dd)时,基于磁阻的信号整形装置(100)在第二磁阻元件(11)上提供输出信号(V out) 穿过第一和第二磁阻元件(10,11)串联; 输出信号(V out)是电阻(R b1,R b2)的函数并且产生动态范围压缩效应; 第一和第二电阻(R b1,R b2)随着磁场(42)以相反方式变化。

    スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ
    8.
    发明申请
    スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子、および磁気メモリ 审中-公开
    自旋电流磁化反转元件,磁阻效应元件和磁存储器

    公开(公告)号:WO2017090730A1

    公开(公告)日:2017-06-01

    申请号:PCT/JP2016/084976

    申请日:2016-11-25

    申请人: TDK株式会社

    摘要: 本発明のスピン流磁化反転素子は、磁化の向きが可変な第1強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層の面直方向である第1方向に対して交差する第2方向に延在し、第1強磁性金属層に接合するスピン軌道トルク配線とを備え、前記スピン軌道トルク配線の材料は、式A x B 1-x で表される二元合金、金属炭化物、又は金属窒化物であり、前記AがAl、Ti、及び、Ptからなる群から選択された元素であって、前記BがAl、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及び、Irからなる群から選択された元素であり、かつ、空間群Pm-3m、又は、Fd-3mの対称性を有する立方晶構造であるか、又は、前記AがAl、Si、Ti、Y、及び、Taからなる群から選択された元素であって、前記BがC、N、Co、Pt、Au及びBiからなる群から選択された元素であり、かつ、空間群Fm-3mの対称性を有する立方晶構造である。

    摘要翻译: 自旋电流磁化反转元件

    本发明包括:第一铁磁性金属层的磁化方向是可变的,相对于所述第一方向是所述第一强磁性金属层的正交方向 在第二方向交叉的方向延伸的碲,和自旋 - 轨道扭矩导线接合到第一强磁性金属层,自旋 - 轨道扭矩布线式的材料中的<子> X 乙<子 > 1-x,其中A是选自Al,Ti和Pt的一种元素,B 但铝,铬,锰,铁,钴,镍,Y,钌,铑,和从自由Ir组成的组中选择的元素,和空间群PM-3m的或Fd-3m的对称性 或者上述A是选自Al,Si,Ti,Y和Ta的元素, B是C,N,钴,铂,从由Au和Bi构成的组中选择的元素,和立方结构,空间群FM-3m的对称性。