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公开(公告)号:WO2022010935A2
公开(公告)日:2022-01-13
申请号:PCT/US2021/040568
申请日:2021-07-06
申请人: QING, Quan
发明人: QING, Quan
摘要: A magnetic tunneling junction (MTJ) device structure and the method of constructing such device are disclosed. Also disclosed are methods of using the device for spin-dependent transport characterization through biomolecules for structure and dynamic function analysis in physiological environments.
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公开(公告)号:WO2021162732A1
公开(公告)日:2021-08-19
申请号:PCT/US2020/036305
申请日:2020-06-05
发明人: LIU, Xiaoyong , HU, Chih-Ching , MAURI, Daniele , MAO, Ming , LI, Guanxiong , OKADA, Yukimasa , HONG, Ying
摘要: A hybrid read head structure for two-dimensional magnetic recording (TDMR) in a disk drive has two stacked current-perpendicular-to-the plane magnetoresistive (CPP-MR) read heads or sensors substantially aligned with one another in the along-the track direction to enable both sensors to read data from the same data track. The structure is a hybrid structure formed on the disk drive slider with the lower sensor being a dual free layer (DFL) or scissoring type of CPP-MR sensor and the upper sensor being a single free layer (SFL) type of CPP-MR sensor.
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公开(公告)号:WO2021161700A1
公开(公告)日:2021-08-19
申请号:PCT/JP2021/000592
申请日:2021-01-11
IPC分类号: G11B5/39 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L21/8239 , H01L27/105
摘要: 本開示の抵抗変化型の不揮発性メモリ素子11は、少なくとも、磁化固定層31、中間層32及び記憶層33の積層構造体30を有しており、磁化固定層31及び記憶層33の少なくとも一方には、非磁性材料36が分散している。
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公开(公告)号:WO2018230466A1
公开(公告)日:2018-12-20
申请号:PCT/JP2018/022057
申请日:2018-06-08
申请人: 国立研究開発法人物質・材料研究機構
IPC分类号: G11B5/39 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08
摘要: 第1磁性層と第2磁性層との間に設けられたトンネルバリア層であって、前記トンネルバリア層は第1絶縁層と第2絶縁層の積層構造からなる配向した結晶体であって、前記第1絶縁層はMg 1-x X x (0≦x≦0.15)の酸化物からなり、XはAl、Tiの群から選ばれた少なくとも1つ以上の元素から構成され、前記第2絶縁層はMg、Al、Zn、Liの群から選ばれた少なくとも2つ以上の元素から構成される合金の酸化物からなり、前記第1磁性層と前記第2磁性層がいずれも、CoとFeの群から選ばれた少なくとも1つ以上の元素とBから構成される合金からなる強磁性トンネル接合体。
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公开(公告)号:WO2018139092A1
公开(公告)日:2018-08-02
申请号:PCT/JP2017/044787
申请日:2017-12-13
申请人: TDK株式会社
摘要: 共振器1は、磁気抵抗効果素子2と、外部磁界印加部3と、エネルギ付与部4を備えている。磁気抵抗効果素子2は、第1の方向の磁化を有する磁化固定層21と、方向が変化する磁化を有する磁化自由層23と、磁化固定層21と磁化自由層23の間に配置されたスペーサ層22を含んでいる。外部磁界印加部3は、磁化自由層23に対して、第2の方向の外部磁界を印加する。エネルギ付与部4は、磁化自由層23の磁化を振動させるためのエネルギを磁気抵抗効果素子2に付与する。第2の方向が第1の方向に対してなす角度は、90°~150°の範囲内である。
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公开(公告)号:WO2018101028A1
公开(公告)日:2018-06-07
申请号:PCT/JP2017/040910
申请日:2017-11-14
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01L29/82 , G11B5/39 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L43/08 , H01L43/12
摘要: 本発明のスピン流磁化反転素子は、磁化の向きが可変な第1強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層に接合し、前記第1強磁性金属層の面直方向に対して交差する方向に延在するスピン軌道トルク配線と、を備え、前記スピン軌道トルク配線が、2種類以上の元素からなる非磁性体で構成され、前記第1強磁性金属層と接合する第1面とその反対側に位置する第2面との間で、前記非磁性体の組成比が不均一な分布を有している。
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公开(公告)号:WO2017158517A1
公开(公告)日:2017-09-21
申请号:PCT/IB2017/051479
申请日:2017-03-15
申请人: CROCUS TECHNOLOGY SA
发明人: CONRAUX, Yann , STAINER, Quentin
CPC分类号: H03F15/00 , G01R33/093 , G11C11/1659 , G11C11/1673 , G11C11/1675 , H01L43/08 , H03G7/004 , H04R3/00
摘要: A magnetoresistive-based signal shaping circuit (100) for audio applications comprising: a field emitting device (4) configured for receiving an input current signal (41) from an audio signal source and for generating a magnetic field (42) in accordance with the input current signal (41), a first magnetoresistive element (10) having a first electrical resistance (R b1 ) and electrically connected in series to a second magnetoresistive element (11) having a second electrical resistance (R b2 ); the magnetoresistive-based signal shaping device (100) providing an output signal (V out ) across the second magnetoresistive element (11) when an input voltage (V dd ) is applied across the first and second magnetoresistive element (10, 11) in series; the output signal (V out ) being a function of the electrical resistance (R b1 , R b2 ) and yielding a dynamic range compression effect; the first and second electrical resistance (R b1 , R b2 ) varying with the magnetic field (42) in an opposite fashion.
摘要翻译: 一种用于音频应用的基于磁阻的信号整形电路(100),包括:场发射装置(4),其被配置用于从音频信号源接收输入电流信号(41)并且用于产生磁场 根据输入电流信号(41)将第一磁阻元件(42),第一磁阻元件(10)和第二磁阻元件(11)串联电连接的第一磁阻元件(10),所述第一磁阻元件具有第一电阻(R b1) )具有第二电阻(R b2); 当施加输入电压(V dd)时,基于磁阻的信号整形装置(100)在第二磁阻元件(11)上提供输出信号(V out) 穿过第一和第二磁阻元件(10,11)串联; 输出信号(V out)是电阻(R b1,R b2)的函数并且产生动态范围压缩效应; 第一和第二电阻(R b1,R b2)随着磁场(42)以相反方式变化。 p>
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公开(公告)号:WO2017090730A1
公开(公告)日:2017-06-01
申请号:PCT/JP2016/084976
申请日:2016-11-25
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01L43/08 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H03B15/00
CPC分类号: G11B5/39 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08 , H03B15/00
摘要: 本発明のスピン流磁化反転素子は、磁化の向きが可変な第1強磁性金属層と、前記第1強磁性金属層の面直方向である第1方向に対して交差する第2方向に延在し、第1強磁性金属層に接合するスピン軌道トルク配線とを備え、前記スピン軌道トルク配線の材料は、式A x B 1-x で表される二元合金、金属炭化物、又は金属窒化物であり、前記AがAl、Ti、及び、Ptからなる群から選択された元素であって、前記BがAl、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Y、Ru、Rh、及び、Irからなる群から選択された元素であり、かつ、空間群Pm-3m、又は、Fd-3mの対称性を有する立方晶構造であるか、又は、前記AがAl、Si、Ti、Y、及び、Taからなる群から選択された元素であって、前記BがC、N、Co、Pt、Au及びBiからなる群から選択された元素であり、かつ、空間群Fm-3mの対称性を有する立方晶構造である。
摘要翻译: 自旋电流磁化反转元件
本发明包括:第一铁磁性金属层的磁化方向是可变的,相对于所述第一方向是所述第一强磁性金属层的正交方向 在第二方向交叉的方向延伸的碲,和自旋 - 轨道扭矩导线接合到第一强磁性金属层,自旋 - 轨道扭矩布线式的材料中的<子> X 子>乙<子 > 1-x,其中A是选自Al,Ti和Pt的一种元素,B 但铝,铬,锰,铁,钴,镍,Y,钌,铑,和从自由Ir组成的组中选择的元素,和空间群PM-3m的或Fd-3m的对称性 或者上述A是选自Al,Si,Ti,Y和Ta的元素, B是C,N,钴,铂,从由Au和Bi构成的组中选择的元素,和立方结构,空间群FM-3m的对称性。 p>
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公开(公告)号:WO2016158926A1
公开(公告)日:2016-10-06
申请号:PCT/JP2016/060067
申请日:2016-03-29
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01L43/10 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L29/82 , H01L43/08
CPC分类号: H01L43/10 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/39 , G11C11/161 , G11C11/1675 , H01L27/105 , H01L27/222 , H01L29/82 , H01L43/08
摘要: この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、AIn 2 O x (0<x≦4)という組成式で表されるスピネル構造であり、Aサイトは非磁性の二価の陽イオンであり、マグネシウム、亜鉛及びカドミウムからなる群から選択された1種以上である。
摘要翻译: 该磁阻效应元件具有第一强磁性金属层,第二铁磁金属层和夹在第一和第二铁磁性金属层之间的隧道势垒层,其中:隧道势垒层具有由组成式AIn 2 O x(0
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公开(公告)号:WO2016158910A1
公开(公告)日:2016-10-06
申请号:PCT/JP2016/060034
申请日:2016-03-29
申请人: TDK株式会社
IPC分类号: H01L43/10 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105 , H01L43/08
CPC分类号: G11B5/3909 , G11B5/39 , G11B2005/3996 , G11C11/161 , H01F1/405 , H01F10/1936 , H01L27/105 , H01L27/228 , H01L29/82 , H01L43/08 , H01L43/10
摘要: この磁気抵抗効果素子では、第一の強磁性金属層と、第二の強磁性金属層と、前記第一及び第二の強磁性金属層に挟持されたトンネルバリア層と、を有し、前記トンネルバリア層は、AGa 2 O x (0<x≦4)という組成式で表されるスピネル構造であり、Aサイトは非磁性の二価の陽イオンであり、マグネシウム、亜鉛及びカドミウムからなる群から選択された1種以上である。
摘要翻译: 该磁阻效应元件具有第一铁磁金属层,第二铁磁金属层和夹在第一和第二铁磁金属层之间的隧道阻挡层,其中:隧道势垒层具有由组成式AGa2Ox(0)表示的尖晶石结构
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