利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

171 条记录 (耗时 0.028 秒)

    積層体の製造方法、積層体の製造装置、積層体及び半導体装置
    2.
    发明申请
    積層体の製造方法、積層体の製造装置、積層体及び半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022215621A1

    公开(公告)日：2022-10-13

    申请号：PCT/JP2022/015913

    申请日：2022-03-30

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 橋上　洋

    IPC分类号： C30B25/02 ,  C23C16/448 ,  C30B29/16 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

    摘要： 本発明は、コランダム型結晶構造を有する半導体膜を備える積層体の製造方法であって、基体をステージに載置するステップと、前記基体を加熱するステップと、成膜用原料溶液を霧化するステップと、前記霧化された成膜用原料溶液とキャリアガスを混合させて混合気を形成するステップと、前記混合気を前記基体に供給して成膜を行うステップとを含み、前記ステージにおける前記基体との接触面及び、前記基体における前記ステージとの接触面の表面粗さＲａを０．５μｍ以下とすることを特徴とする積層体の製造方法である。これにより、結晶配向性に優れ高品質なコランダム型結晶薄膜（コランダム型結晶構造を有する半導体膜）の厚膜を安定して形成可能な積層体の製造方法が提供される。

    成膜装置
    3.
    发明申请
    成膜装置 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022059119A1

    公开(公告)日：2022-03-24

    申请号：PCT/JP2020/035222

    申请日：2020-09-17

    申请人： 東芝三菱電機産業システム株式会社

    发明人： 平松　孝浩 ,  織田　容征

    IPC分类号： H01L21/365 ,  H01L21/368 ,  C23C16/455

    摘要： 本開示は、原料ミストの原料の利用効率を高めた成膜装置の構造を提供することを目的とする。そして、本開示の成膜装置（１１）において、成膜室（９０１）は、超音波振動動作によって、原料溶液（３６）をミスト化して原料ミスト（ＭＴ）を生成するミスト発生機能を有し、成膜室（９０１）内にミスト空間（ＳＭ１）が得られる。成膜室（９０２）もミスト生成機能を有し、成膜室（９０２）内にミスト空間（ＳＭ２）が得られる。コンベア（５３）は、ミスト空間（ＳＭ１）を通過するように複数の基板（１０）を移動させる第１のミスト空間通過処理、及びミスト空間（ＳＭ２）を通過するように複数の基板（１０）を移動させる第２のミスト空間通過処理を実行する。

    金属酸化物の成膜方法、および記憶装置の作製方法
    4.
    发明申请
    金属酸化物の成膜方法、および記憶装置の作製方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022043824A1

    公开(公告)日：2022-03-03

    申请号：PCT/IB2021/057536

    申请日：2021-08-17

    申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

    发明人： 山崎舜平 ,  恵木勇司 ,  神保安弘 ,  國武寛司

    IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/336 ,  H01L21/365 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

    摘要： 金属酸化物の成膜方法を提供する。 第１のプリカーサを第１のチャンバーに導入する第１の工程と、第２のプリカーサを第１のチャンバーに導入する第２の工程と、第３のプリカーサを第１のチャンバーに導入する第３の工程と、第１の工程の後、第２の工程の後、および第３の工程の後のそれぞれに、プラズマ状態の酸化剤を第１のチャンバーに導入する第４の工程と、マイクロ波処理を行う第５の工程と、を有する。第１乃至第４の工程を、それぞれ１回以上行うことを１サイクルとし、１サイクルを複数回繰り返した後で、第２のチャンバー内で、第５の工程を行う。第１乃至第３のプリカーサは、それぞれ異なる種類のプリカーサであり、マイクロ波処理は、酸素ガスとアルゴンガスとを用いて行われ、金属酸化物は、結晶領域を有し、結晶領域のｃ軸は、金属酸化物の被形成面の法線ベクトル、または金属酸化物の表面の法線ベクトルに概略平行である。

    製膜用霧化装置、製膜装置及び製膜方法
    6.
    发明申请
    製膜用霧化装置、製膜装置及び製膜方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2022030187A1

    公开(公告)日：2022-02-10

    申请号：PCT/JP2021/026035

    申请日：2021-07-09

    申请人： 信越化学工業株式会社

    发明人： 橋上　洋

    IPC分类号： B05D1/00 ,  B05B17/06 ,  H01L21/365 ,  H01L21/368

    摘要： 本発明は、超音波によって原料液体を霧化して原料ミストを生成する製膜用霧化装置であって、前記原料液体を収容する原料容器と、前記原料液体に前記超音波を伝播するための媒体としての中間液を収容する伝播槽と、前記原料容器を、該原料容器の少なくとも一部が前記中間液中に位置するように支持する支持機構と、前記中間液を循環させる循環機構と、前記超音波を発生させ、前記伝播槽に印加する超音波発生器と、前記中間液中の気体を前記製膜用霧化装置の系外に排出する脱気機構とを具備するものであることを特徴とする製膜用霧化装置である。これにより、原料液体の霧化を継続的に高い効率で行うことができる製膜用霧化装置を提供できる。

    窒化物半導体構造体、窒化物半導体デバイス及びその製造方法
    9.
    发明申请
    窒化物半導体構造体、窒化物半導体デバイス及びその製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：WO2021070910A1

    公开(公告)日：2021-04-15

    申请号：PCT/JP2020/038155

    申请日：2020-10-08

    申请人： パナソニックＩＰマネジメント株式会社

    发明人： 瀧澤　俊幸

    IPC分类号： H01L21/205 ,  H01L21/365 ,  H01S5/30

    摘要： 単結晶のIII族窒化物半導体部上に単結晶のII－IV族窒化物半導体部を備えた構成を実現する。窒化物半導体構造体（１）は、III族窒化物半導体部（３）と、II－IV族窒化物半導体部（４）と、を備える。III族窒化物半導体部（３）は、単結晶である。III族窒化物半導体部（３）は、所定結晶面を有する。II－IV族窒化物半導体部（４）は、III族窒化物半導体部（３）の所定結晶面上に設けられている。II－IV族窒化物半導体部（４）は、単結晶である。II－IV族窒化物半導体部（４）は、II族元素と、IV族元素と、を含む。II－IV族窒化物半導体部（４）は、III族窒化物半導体部（３）とヘテロ接合されている。所定結晶面は、（０００１）面以外の結晶面である。