公开(公告)号：WO2023085180A1

公开(公告)日：2023-05-19

申请号：PCT/JP2022/040939

申请日：2022-11-02

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 小野　雅司 ,  松井　高史

IPC: H10K30/60 ,  H01L27/144 ,  H01L29/06 ,  H01L31/10 ,  H10K39/32

Abstract: Ａｇ原子とＢｉ原子とＳ原子とを含む半導体量子ドットの集合体と、半導体量子ドットに配位する配位子と、を含む半導体膜であって、半導体量子ドットは、Ａｇ原子に配位しているＳ原子の平均配位数であって、Ａｇ原子とＳ原子との原子間の平均結合距離が２．４～２．７Åである第一近接の平均配位数が２．２０以上である半導体膜、半導体膜の製造方法、光検出素子およびイメージセンサ。

公开(公告)号：WO2023023238A1

公开(公告)日：2023-02-23

申请号：PCT/US2022/040735

申请日：2022-08-18

Applicant: RAYTHEON COMPANY

Inventor： DEJARLD, Matthew ,  LAROCHE, Jeffrey R. ,  TRULLI, Susan C.

IPC: H01L23/552 ,  H01L27/144

Abstract: An integrated circuit structure (10) including a substrate (16) having an upper surface (18); a gallium nitride layer (20) disposed on the upper surface of the substrate; and a photoconductive semiconductor switch (14) laterally disposed alongside a transistor (12) on the gallium nitride layer (20) integrated into the integrated circuit structure; an EMF shield (40) enclosing the substrate, the gallium nitride layer and the photoconductive semiconductor switch laterally disposed alongside the transistor on the gallium nitride layer integrated into the integrated circuit structure; and a signal line (56) electronically coupled with the photoconductive semiconductor switch, the signal line (56) penetrating the EMF shield (40).

公开(公告)号：WO2023008287A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：PCT/JP2022/028242

申请日：2022-07-20

Applicant: 京セラ株式会社

Inventor： 川村　原子太郎 ,  小松　直佳

IPC: H01L27/146 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/144 ,  H01L31/10 ,  H04N5/369

Abstract: Ｍｇ２Ｓｉを含むＰＩＮ半導体層（１４）と、ＰＩＮ半導体層（１４）の第１面（１４ａ）と接続する第１電極（２２）と、第１電極（２２）の面（２２ａ）において接続層（２５）を介して接する支持部材（２９）と、ＰＩＮ半導体層（１４）の第２面（１４ｂ）で接続する第２電極（３１）および第３電極（３２）と、第２電極（３１）および第３電極（３２）と接続するＲＯＩＣ構造（３９）とを備え、第１電極（２２）は、貫通溝（２１）の周囲に配置され、第２電極（３１）は、第２面（１４ｂ）においてｐ＋型半導体層（１３）が形成された部分と接続し、第３電極（３２）は、第１電極（２２）および貫通溝（２１）と接続し、支持部材（２９）は、Ｍｇ２Ｓｉよりも熱膨張率が小さく、かつ、光透過性のある部材にて構成され、接続層（２５）は、支持部材（２９）を介して、ＰＩＮ半導体層（１４）に光を透過させる開口部（２５１）を有する。

公开(公告)号：WO2023281834A1

公开(公告)日：2023-01-12

申请号：PCT/JP2022/011758

申请日：2022-03-16

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 白方　徹 ,  岩田　晃 ,  山口　征也 ,  太田　和伸 ,  安藤　厚博 ,  酒井　大樹 ,  前原　鑑

IPC: H01L31/10 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H04N5/32 ,  H04N5/369

Abstract: 本開示の一実施形態の第１の受光装置は、対向する第１の面および第２の面を有し、第１の電位が印加されると共に、複数の受光素子が行列状に２次元配置された第１半導体基板と、対向する第３の面および第４の面を有すると共に、第１半導体基板の第１の面と第３の面とを向かい合わせに配置され、第１の電位よりも低い第２の電位が印加されると共に、複数の受光素子から出力された電荷に基づく受光信号を処理するロジック回路を有する第２半導体基板と、第１半導体基板と第２半導体基板との間に設けられた層間絶縁層とを備え、第２半導体基板は、第１半導体基板の側面よりも内側に後退する側面を有し、第２半導体基板の側面は保護膜によって被覆されている。

公开(公告)号：WO2022212485A1

公开(公告)日：2022-10-06

申请号：PCT/US2022/022521

申请日：2022-03-30

Applicant: RAYTHEON COMPANY

Inventor： DEJARLD, Matthew, T. ,  LAROCHE, Jeffrey, R. ,  LONG, Clay, T. ,  SOIREZ, Lovelace, J.

IPC: H01L31/0304 ,  H01L27/144 ,  H01L31/09 ,  H01L31/03044

Abstract: An integrated circuit structure comprising a substrate having an upper surface; a gallium nitride layer disposed on the upper surface of the substrate; and a photoconductive semiconductor switch laterally disposed alongside a transistor on the gallium nitride layer integrated into the integrated circuit structure.

公开(公告)号：WO2022167650A1

公开(公告)日：2022-08-11

申请号：PCT/EP2022/052866

申请日：2022-02-07

Applicant: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.

Inventor： FRACH, Thomas

IPC: H01L27/144 ,  G01S17/00 ,  H01L31/00 ,  G01J1/06

Abstract: A detector array (200) (200) according to the present teachings includes: a substrate (101) (101) adapted to function as a core layer of an optical waveguide (210) (210); a plurality of single photon avalanche photodiodes (SPAD (100)s (201)) disposed along a width of the substrate (101); a first cladding layer (202) (202) disposed over the plurality of SPADs (201) and along the width; and a second cladding layer (206) (206) disposed above the substrate and along the width.

公开(公告)号：WO2022131191A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/JP2021/045750

申请日：2021-12-13

Applicant: 富士フイルム株式会社

Inventor： 八木　一成

IPC: G02B5/22 ,  C08K5/34 ,  C08L101/12 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L31/0232

Abstract: 赤外線吸収剤と、硬化性化合物とを含有する組成物であって、赤外線吸収剤は、式（１）で表される化合物と、式（１）で表される化合物以外の化合物を含む組成物。この組成物を用いた膜、光学フィルタ、固体撮像素子、画像表示装置および赤外線センサ。

公开(公告)号：WO2022131033A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/JP2021/044558

申请日：2021-12-03

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 大久保　智弘 ,  津野　仁志 ,  富樫　秀晃 ,  栗田　暢之 ,  田村　崇人 ,  高田　哲朗 ,  河合　信宏 ,  平松　智記 ,  定榮　正大 ,  村田　賢一 ,  辻合　秀起

IPC: H01L31/10 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146 ,  H01L27/30 ,  H04N5/369 ,  G02B5/20

Abstract: 高い機能を有する光電変換素子を提供する。この光光電変換素子は、互いに直交する第１方向および第２方向にそれぞれ周期配列され、第１波長域の光を各々検出して光電変換を各々行う複数の第１光電変換部と、第１方向および第２方向の双方と直交する積層方向において第１光電変換部に積層され、複数の第１光電変換部を透過した第２波長域の光を検出して光電変換を行う一の第２光電変換部とを有する。第１方向における複数の第１光電変換部の第１配列周期のｎ倍（ｎは自然数）が、第１方向における一の第２光電変換部の第１寸法と実質的に等しく、第２方向における複数の第１光電変換部の第２配列周期のｎ倍（ｎは自然数）が、第２方向における一の第２光電変換部の第２寸法と実質的に等しい。

公开(公告)号：WO2022120949A1

公开(公告)日：2022-06-16

申请号：PCT/CN2020/138485

申请日：2020-12-23

Applicant: TCL华星光电技术有限公司 TCL CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. [CN]/[CN]

Inventor： 蔡广烁 CAI, Guangshuo

IPC: H01L31/113 ,  H01L27/144

Abstract: 一种光传感器(41)和显示装置，光传感器(41)通过采用光传感晶体管(T1)和开关晶体管(T2)形成光传感器电路，并在结构设计中，采用非晶硅作为光传感晶体管(T1)的第一有源图案(141)，使得第一有源图案(141)的沟道区的厚度(L)等于或者大于5000埃，提高了光传感晶体管(T1)的光生载流子数量，使得光传感器的响应较高，提高了指纹识别成功率。

公开(公告)号：WO2022113733A1

公开(公告)日：2022-06-02

申请号：PCT/JP2021/041270

申请日：2021-11-10

Applicant: ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

Inventor： 田中　克尚 ,  大竹　悠介

IPC: G01C3/06 ,  H01L31/107 ,  H01L27/144 ,  H01L27/146

Abstract: 本技術は、画素を微細化した場合に、意図しないエッジブレイクダウンを低減させることができるようにする受光素子、測距システム、および、電子機器に関する。 受光素子は、第１の導電型の第１の半導体領域と、第１の導電型とは反対の第２の導電型の第２の半導体領域とが接合したPN接合領域と、第１の半導体領域に対して所定の電源電圧を供給する配線が形成された基板の第１の面近傍の第１の半導体領域の外側に、いずれの配線とも接続されない第１の導電型の第３の半導体領域とを有する画素を備える。本技術は、例えば、反射光を受光して距離を測定する測距センサ等に適用できる。