公开(公告)号：WO2023060753A1

公开(公告)日：2023-04-20

申请号：PCT/CN2021/138501

申请日：2021-12-15

Applicant: 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司

Inventor： 王思博 ,  李冬梅 ,  廖汉忠

IPC: H01L33/38 ,  H01L33/24 ,  H01L33/14 ,  H01L33/00

Abstract: 本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种LED芯片及其制备方法。包括：衬底、外延层、电流阻挡层、电流扩展层、第一P型电极、第一N型电极、第一绝缘层、第二P型电极、第二N型电极、第二绝缘层、第三P型电极、第三N型电极、P型焊盘和N型焊盘。该LED芯片通过改进倒装芯片的电极设计，通过增加第三N型电极和第三P型电极，且第三N型电极与P型焊盘在空间上无任何重叠，同理第三P型电极与N型焊盘在空间上也无任何重叠，二者无接触可能，不存在因为任何原因导致氧化硅断裂，而导致极性不同的P、N型电极互连而发生漏电失效的问题，从而提高了芯片的可靠性。

公开(公告)号：WO2023007176A1

公开(公告)日：2023-02-02

申请号：PCT/GB2022/051999

申请日：2022-07-28

Applicant: PORO TECHNOLOGIES LTD

Inventor： ZHU, Tongtong ,  YUDIN, Alex ,  HAMMERSLEY, Simon

IPC: H01L27/15 ,  H01L25/16 ,  H01L33/16 ,  H01L33/32 ,  H05B45/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/62 ,  G09G2300/0439 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0666 ,  G09G2340/06 ,  G09G3/2003 ,  G09G3/32 ,  H01L25/167 ,  H01L27/153 ,  H01L27/156 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/025 ,  H01L33/20

Abstract: A display device comprising a variable-wavelength light emitting diode (LED) is provided. The variable-wavelength LED comprises: an n-doped portion, a p-doped portion, and a light emitting region located between the n-doped portion and the p-doped portion. The light emitting region comprises a light-emitting layer which emits light at a peak emission wavelength under electrical bias thereacross. The variable-wavelength LED is configured to receive a power supply, and the peak emission wavelength of the LED is continuously controllable over an emission wavelength range of at least 40 nm by varying the power supply.

公开(公告)号：WO2022249873A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/JP2022/019712

申请日：2022-05-09

Applicant: 株式会社小糸製作所

Inventor： 石本　聖治 ,  神野　大樹

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/24

Abstract: 成長基板（１１）と、成長基板（１１）上に形成された複数の柱状半導体層（１３，１４）と、柱状半導体層（１３，１４）の側面に接触して複数の柱状半導体層（１３，１４）を覆うｐ型の埋込半導体層（１５）と、埋込半導体層（１５）上に形成されたトンネル接合層（１６）と、トンネル接合層（１６）上に形成されたｎ型半導体層（１７）とを備え、埋込半導体層（１５）、トンネル接合層（１６）およびｎ型半導体層（１７）にはメサ構造が形成されており、トンネル接合層（１６）がメサ構造の側面まで延伸して形成されている半導体発光素子。

公开(公告)号：WO2022175151A1

公开(公告)日：2022-08-25

申请号：PCT/EP2022/053212

申请日：2022-02-10

Applicant: AMS-OSRAM INTERNATIONAL GMBH

Inventor： PERZLMAIER, Korbinian ,  PFEUFFER, Alexander F.

IPC: H01L27/15 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L33/24 ,  H01L33/62

Abstract: In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (1) umfasst dieser eine Emissionsseite (6), eine der Emissionsseite (6) gegenüberliegende Montageseite (7) und einen Halbleiterkörper (2). Der Halbleiterkörper (2) weist eine erste Halbleiterschicht (3), eine zweite Halbleiterschicht (4) und eine aktive Zone (5) zwischen der ersten Halbleiterschicht (3) und der zweiten Halbleiterschicht (4) auf. Der Halbleiterkörper (2) umfasst ferner mindestens zwei Emissionsbereiche (21, 22), die in Sicht auf die Emissionsseite (6) nebeneinander angeordnet sind. Ein erster Emissionsbereich (21) umfasst einen ersten Anteil (51) der aktiven Zone (5) und ein zweiter Emissionsbereich (52) umfasst einen zweiten Anteil (52) der aktiven Zone (5). Die Emissionsbereiche (21, 22) sind im Halbleiterkörper monolithisch integriert. In einem Querschnitt entlang einer Haupterstreckungsebene der aktiven Zone (5) weist der erste Anteil (51) der aktiven Zone (5) einen mindestens doppelt so großen Flächeninhalt auf wie der zweite Anteil (52) der aktiven Zone (5).

公开(公告)号：WO2022173503A2

公开(公告)日：2022-08-18

申请号：PCT/US2021/063127

申请日：2021-12-13

Applicant: APPLIED MATERIALS, INC.

Inventor： SANGLE, Abhijeet Laxman

IPC: H01L41/083 ,  H01L41/047 ,  H01L41/27 ,  G06N10/00 ,  H01L2933/0016 ,  H01L33/0004 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/40

Abstract: A quantum device includes a substrate including a first material and including an upper surface thereof, a first layer comprising a compound of the first material disposed on the upper surface of the substrate, a second layer, comprising a metal oxide, disposed on the first layer, a third layer, comprising a noble metal, disposed on the second layer, a fourth layer, comprising a metal oxide, disposed on the third layer, a fifth layer, comprising a piezoelectric material, disposed on the fourth layer, a sixth layer, comprising a noble metal, disposed on the fifth layer, a seventh layer, comprising a material capable of quantum emission, disposed on the sixth layer, and an eighth layer, comprising a noble metal, disposed on the seventh layer, and at least one of the eighth layer and the seventh layer are sized to enable quantum emission from the seventh layer.

公开(公告)号：WO2022131647A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/KR2021/018338

申请日：2021-12-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김성열 ,  박천순 ,  이계훈

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00 ,  H01L33/58 ,  H01L25/075 ,  G02F1/13357

Abstract: 디스플레이 장치가 제공된다. 디스플레이 장치는 디스플레이 패널 및 상기 디스플레이 패널로 광을 방출하도록 마련되는 엘이디 칩을 포함하고, 상기 엘이디 칩은, 빛을 방출하는 발광층과, 상기 발광층의 상에 마련되는 반도체층 및 상기 반도체의 상에 마련되는 성장 기판을 포함하고, 상기 성장 기판의 상면의 중심이 상기 발광층의 중심과 상기 반도체층의 중심 사이에 위치하도록, 상기 발광층이 상기 성장 기판의 제1측으로 편향되게 배치될 수 있다.

公开(公告)号：WO2022131527A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：PCT/KR2021/015134

申请日：2021-10-26

Applicant: 삼성디스플레이 주식회사

Inventor： 유철종 ,  김동욱 ,  김세영 ,  이소영 ,  차형래

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/12 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/00 ,  H01L25/075 ,  H01L27/12 ,  H01L25/16

Abstract: 본 발명의 일 실시예에 의한 발광 다이오드는, 서로 마주하는 제1 단부 및 제2 단부; 전류 차단층, 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층; 및 상기 제1 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층의 외주면을 감싸며 상기 제2 단부에서 상기 전류 차단층의 적어도 일 부분 및 상기 제1 반도체층의 적어도 일 부분을 노출하는 절연 피막을 포함한다. 상기 전류 차단층, 상기 제1 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제2 반도체층은 상기 제2 단부로부터 상기 제1 단부의 방향으로 순차적으로 배치된다.

公开(公告)号：WO2022021640A1

公开(公告)日：2022-02-03

申请号：PCT/CN2020/124571

申请日：2020-10-29

Applicant: 华南理工大学 ,  中山市华南理工大学现代产业技术研究院

Inventor： 王洪 ,  谭礼军 ,  姚若河 ,  王楷 ,  谢子敬

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/14 ,  H01L33/24 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

Abstract: 本发明公开一种具有微米孔阵列的微米尺寸正装LED器件及其制备方法。所述LED器件基于GaN基外延层制备而成，包括GaN基外延层、电流扩展层、P电极、N电极和钝化层；GaN基外延层包括衬底、N型GaN层即N-GaN层、量子阱层（MQW）、P型GaN层即P-GaN层；所述N-GaN层包括刻蚀露出的N-GaN层和刻蚀形成的N-GaN层。本发明保证器件调制带宽的同时提高了发光效率，同时ICP刻蚀微米孔阵列后，继续采用电流扩展层腐蚀液继续腐蚀样品，预防电流扩展层在刻蚀过程中出现扩展导致的漏电。

公开(公告)号：WO2021186153A1

公开(公告)日：2021-09-23

申请号：PCT/GB2021/050637

申请日：2021-03-15

Applicant: PLESSEY SEMICONDUCTORS LTD

Inventor： PINOS, Andrea ,  KIM, Jun -Youn ,  MEZOUARI, Samir ,  TAN, WeiSin

IPC: H01L33/06 ,  H01L33/38 ,  H01L33/24 ,  H01L27/15 ,  H01L33/00 ,  H01L33/40

Abstract: A light emitting diode structure comprising: a p-type region; an n-type region; a light emitting region for recombination of carriers injectable by the p-type region and the n- type region; and a via passing through the light emitting region, wherein the via defines the perimeter of a light emitting surface of at least one pixel and comprises a material configured to enable injection of carriers into the p-type region or the n-type region, wherein one of the p-type region and n-type region is configured such that carriers generated in the one of the p-type region and the n-type region diffuses through the other one of the n-type region and the p-type region prior to recombination in the light emitting region.

公开(公告)号：WO2021149984A1

公开(公告)日：2021-07-29

申请号：PCT/KR2021/000667

申请日：2021-01-18

Applicant: 서울바이오시스주식회사

Inventor： 채종현

IPC: H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/48 ,  H01L33/62 ,  H01L25/075 ,  H01L27/12 ,  H01L25/16

Abstract: 일 실시예에 따른 발광 소자는, 제1 LED 적층; 상기 제1 LED 적층의 아래에 위치하는 제2 LED 적층; 상기 제2 LED 적층의 아래에 위치하는 제3 LED 적층; 상기 제1, 제2 및 제3 LED 적층의 측면에 인접하여 배치된 복수의 필러들을 포함하되, 상기 복수의 필러들은 상기 제1, 제2 및 제3 LED 적층에 공통으로 전기적으로 접속된 제1 필러, 상기 제1, 제2 및 제3 LED 적층에 각각 전기적으로 접속된 제2 필러, 제3 필러 및 제4 필러를 포함한다.