发明授权
CN100463186C 用于半导体元件的电容器及其制造方法
失效 - 权利终止
- 专利标题： 用于半导体元件的电容器及其制造方法
- 专利标题（英）： Capacitor for a semiconductor device and manufacturing method thereof
-
申请号： CN200510118089.2申请日： 2005-10-25
-
公开(公告)号： CN100463186C公开(公告)日： 2009-02-18
- 发明人: 吴平源 , 金愚镇 , 吴勋静 , 尹孝根 , 尹孝燮 , 催佰一
- 申请人： 海力士半导体有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人： 海力士半导体有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理商 陶凤波; 侯宇
- 优先权： 111387/04 2004.12.23 KR
- 主分类号： H01L27/108
- IPC分类号： H01L27/108 ; H01L27/102 ; H01L27/10 ; H01L27/00 ; H01L29/92 ; H01L21/8242 ; H01L21/8222 ; H01L21/82 ; H01L21/314 ; H01L21/02 ; H01L21/00
摘要：
本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。
公开/授权文献
- CN1794456A 用于半导体元件的电容器及其制造方法 公开/授权日：2006-06-28
IPC分类:
