公开(公告)号：CN100463186C

公开(公告)日：2009-02-18

申请号：CN200510118089.2

申请日：2005-10-25

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 吴平源 ,  金愚镇 ,  吴勋静 ,  尹孝根 ,  尹孝燮 ,  催佰一

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： 本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。

公开(公告)号：CN1794456A

公开(公告)日：2006-06-28

申请号：CN200510118089.2

申请日：2005-10-25

申请人： 海力士半导体有限公司

发明人： 吴平源 ,  金愚镇 ,  吴勋静 ,  尹孝根 ,  尹孝燮 ,  催佰一

IPC分类号： H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/10 ,  H01L27/00 ,  H01L29/92 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/314 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L28/56 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31616 ,  H01L27/10817 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/91

摘要： 本发明公开一种用于半导体元件的电容器及该电容器的制造方法，所述电容器包括：形成在半导体衬底的预定下结构上的下电极；形成在下电极上具有低漏电流特性的氮氧化铝膜；形成在氮氧化铝膜上，且具有高于氮氧化铝膜的介电常数的氮氧化钇膜；及形成在氮氧化钇膜上的上电极。根据本发明，即使当半导体元件的集成度增加时，电容器的表面积会减少，但是藉由使用低漏电流特性的AlON膜和高电容特性的YON膜的双层膜，当作电容器的电介质膜，也可以得到具有高电容和低漏电流特性的电容器。